晶片保持架制造技术

在保持架本体（２３）的上面载置晶片（２２），保持架本体插入到形成于热处理炉内的多个保持架用凹槽（１４），水平地得到保持。保持架本体形成为没有切口的圆板状，在保持架本体形成以该保持架本体的轴线为中心沿周向延伸并朝上方凸出的环状凸起（２４）。晶片接触在凸起上面地载置于保持架本体，当晶片直径为Ｄ时，凸起的外径形成在０．５Ｄ－０．９８Ｄ的范围内，晶片的外周缘不接触凸起。通过防止制作保持架本体时在保持架本体产生翘曲，从而可抑制在晶片产生滑移。另外，可不从规定位置错开地由同一保持架本体确实地保持直径不同的晶片。另外，还可平滑地进行晶片在保持架本体的载置作业和卸下作业。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
晶片保持架                  
本专利技术涉及一种适用于硅晶片的热处理特别是SIMOX(Separationby IMplanted OXygen)晶片制作时的高温退火处理的硅晶片保持架。                  
技术介绍
在特开平5-114645号公报中公开有作为现有技术的晶片保持装置，其中，多个支柱大体平行地配置，由安装于这些支柱的晶片支持板保持硅晶片，在上述支承板形成凹状切口。在该装置中，由SiC烧结体等高熔点陶瓷形成晶片支承板。在这样构成的晶片保持装置中，由于将晶片载置在安装于支柱的晶片支承板上插入到电炉内，所以，晶片支承板与晶片的接触面积增大。结果，不会在晶片的一部分区域集中地作用负荷，所以，可防止热处理时的晶片塑性变形。另外，通过在晶片支承板形成切口，可实现装置全体的轻量化，而且可由镊子等夹住硅晶片进出。然而，在上述现有的由特开平5-114645号公报记载的晶片保持装置中，晶片支承板形成切口，支承板相对该支承板的中心不呈点对称，所以在该支承板制造时可能在切口的部分出现翘曲。为此，当在晶片支承板载置硅晶片时，晶片接触切口的缘部，热处理时的热应力等可能在晶片的晶体中形成滑移这样的晶体缺陷。为了消除该问题，特开平6-163440号公报公开了一种半导体立式扩散炉用保持装置，其中，在配置于上板与下板之间的支柱可装拆地安装由环状的碳化硅质制成的晶片支承体。在该保持装置中，由上述晶片支承体水平地支承晶片的周缘部。在这样构成的半导体立式扩散炉用保持装置中，相对晶片外周均-->匀地配置晶片支承体，而且增加晶片支承体的面积，所以，可减少作用于晶片支承体的面压，使负荷分散。结果，可防止在晶片产生滑移。然而，在上述现有的由特开平6-163440号公报记载的半导体立式扩散炉用保持装置中，当晶片的外周缘接触晶片支承体时，由于晶片外周部的面部下垂的影响使得难以由外周缘均等地保持晶片，所以，可能在晶片产生滑移。本专利技术的第1目的在于提供一种晶片保持架，该晶片保持架通过防止保持架本体制作时的保持架本体的翘曲，可抑制在晶片产生滑移。本专利技术的第2目的在于提供一种晶片保持架，该晶片保持架通过防止保持架本体接触晶片外周缘，可抑制在晶片产生滑移。本专利技术的第3目的在于提供一种晶片保持架，该晶片保持架可不从规定位置错位地由同一保持架本体确实地保持直径不同的晶片。本专利技术的第4目的在于提供一种晶片保持架，该晶片保持架可平滑地进行晶片在保持架本体的载置作业和卸下作业。                   专利技术的公开如图1和图3所示，权利要求1所述的专利技术为一种晶片保持架的改良，该晶片保持架具有在上面载置晶片22的保持架本体23，保持架本体23插入到形成于热处理炉10内的多个保持架用凹槽14，水平地得到保持。其特征性构成在于，保持架本体23形成为没有切口的圆板状，在保持架本体23形成以该保持架本体23的轴线为中心沿周向延伸并朝上方凸出的环状凸起24，晶片22接触在凸起24上面地载置于保持架本体23，当晶片22的直径为D时，凸起24的外径形成在0.5D-0.98D的范围内，晶片22的外周缘不接触凸起24。在该权利要求1所述的晶片保持架中，由于保持架本体23形成为没有切口的圆板状，即，保持架本体23相对其中心呈点对称，所以，可防止在制造保持架本体23时保持架本体23产生翘曲。结果，晶片22均匀地接触在凸起24的上面，所以，在晶片22中基本不产生内部-->应力。另外，晶片22的外周缘不接触保持架本体23，不受晶片22外周部的面部下垂的影响，可均等地保持晶片22，所以，在晶片22不产生滑移。在本说明书中，“切口”指到达保持架本体中心部近旁的切口，不包括在保持架本体外周缘以小深度形成的切口。换言之，制作保持架本体时不在保持架本体产生翘曲那样程度的小切口不属于本说明书中所指的切口。权利要求2所述的专利技术在权利要求1所述专利技术的基础上还具有这样的特征，即，如图1和图5所示那样，在保持架本体23的外周缘形成朝上方凸出的凸状环26，在凸状环26的内侧的保持架本体23形成直径不同的多个环状凸起24a、24b，多个凸起24a、24b形成得比凸状环26低，最外侧的凸起24a最高，而且越往内侧越低。在权利要求2所述的晶片保持架中，当将直径大的晶片22载置到保持架本体23时，该晶片22接触在最外侧的凸起24a上面，并由凸状环26的内周面阻止该晶片22的外周面朝水平方向错位。另一方面，当在保持架本体23载置小直径的晶片27时，该晶片27接触在内侧的凸起24b上面，并由最外侧的凸起24a的内周面阻止该晶片27的外周面朝水平方向错位。结果，可不从规定位置错位地由同一保持架本体23确实地保持不同直径的晶片22、27。权利要求3所述的专利技术在权利要求1或2所述专利技术的基础上还具有这样的特征，即，如图1所示那样，凸起24的上面被进行平面加工。在该权利要求3所述的晶片保持架中，通过对凸起24的上面进行平面加工，可除去在凸起24的上面因CVD处理时的粒子生长等产生的凸部，使其变平滑。结果，即使在凸起24载置晶片22，晶片22也均匀地接触在凸起24的上面，晶片22基本上不产生内部应力，即，由于晶片22的面压减少而且晶片22的负荷分散，所以晶片22不产生滑移。权利要求4所述的专利技术在权利要求3所述专利技术的基础上还具有这样的特征，即，如图1所示那样，在凸起24的上面周缘形成倒角。-->在权利要求4所述的晶片保持架中，虽然对凸起24上面进行的平面加工使凸起24上面的周缘为尖棱，但通过在对凸起24的上面进行平面加工后对凸起24上面的周缘进行倒角，除去了上述尖棱。结果，即使在凸起24载置晶片22，晶片22也不会产生由凸起24上面的周缘导致的滑移。权利要求5所述的专利技术在权利要求1-4中任何一项所述专利技术的基础上还具有这样的特征，即，如图4所示那样，在保持架本体23中心形成柱塞28可松动插入的通孔23a，该柱塞28用于在保持架本体23载置晶片22和使晶片22从保持架本体23脱离。在该权利要求5所述的晶片保持架中，从该通孔23a的下方将柱塞28松动插入到保持架本体23的通孔23a，在该柱塞28的上面载置晶片22，在该状态下，使柱塞28下降，从而将晶片22载置到保持架本体23，使柱塞28从晶片22脱离。当与该作业相反地从该通孔23a的下方将柱塞28插入到载置晶片22的保持架本体23的通孔23a时，晶片22从保持架本体23脱离，载置到柱塞28上面。这样，可较平滑地进行晶片22载置到保持架本体23的作业和从保持架本体23卸下的作业。权利要求6所述的专利技术在权利要求2-4中任何一项所述专利技术的基础上还具有这样的特征，即，如图6和7所示那样，凸起74的高度H为2.0-20mm，在凸状环76的一部分形成可插入晶片输送用叉77的叉用凹部76a，该叉用凹部76a的底壁与凸状环76周围的保持架本体73在同一平面上。在权利要求6所述的晶片保持架中，当要在热处理炉中收容晶片22时，先在叉77上载置晶片22，移动叉77，使该叉77位于保持架本体73的叉用凹部76a的上方，而且，将晶片22输送到保持架本体73的上方，使晶片22的中心与保持架本体73的中心一致。接着，当使叉77下降时，晶片22接触凸起74上面，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片保持架，具有在上面载置晶片（２２、２７）的保持架本体（２３），上述保持架本体（２３）插入到形成于热处理炉（１０）内的多个保持架用凹槽（１４），水平地得到保持；其特征在于：保持架本体（２３）形成为没有切口的圆板状，在上述保持架本体（２３）形成以该保持架本体（２３）的轴线为中心沿周向延伸并朝上方凸出的环状凸起（２４），上述晶片（２２、２７）接触上述凸起（２４）上面地载置于上述保持架本体（２３），当上述晶片（２２、２７）的直径为Ｄ时，凸起（２４）的外径形成在０．５Ｄ－０．９８Ｄ的范围内，上述晶片（２２、２７）的外周缘不接触凸起（２４）。

【技术特征摘要】
JP 1999-9-3 249480/99;JP 2000-5-30 160033/20001．一种晶片保持架，具有在上面载置晶片(22、27)的保持架本体(23)，上述保持架本体(23)插入到形成于热处理炉(10)内的多个保持架用凹槽(14)，水平地得到保持；其特征在于：保持架本体(23)形成为没有切口的圆板状，在上述保持架本体(23)形成以该保持架本体(23)的轴线为中心沿周向延伸并朝上方凸出的环状凸起(24)，上述晶片(22、27)接触上述凸起(24)上面地载置于上述保持架本体(23)，当上述晶片(22、27)的直径为D时，凸起(24)的外径形成在0.5D-0.98D的范围内，上述晶片(22、27)的外周缘不接触凸起(24)。2．如权利要求1所述的晶片保持架，其特征在于：在保持架本体(23)的外周缘形成朝上方凸出的凸状环(26)，在上述凸状环(26)内侧的保持架本体(23)形成直径不同的多个环状凸起(24a、24b)，上述多个凸起(24a、24b)都形成得比上述凸状环(26)低，最外侧的凸起(24a)最高，而且越往内侧越低。3．如权利要求1或2所述的晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：中井哲弥，河原史朋，斋藤诚，川村恭彦，筱原真，荒井克夫，
申请(专利权)人：三菱住友硅晶株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]