晶片保持架制造技术

在保持架本体（２３）的上面载置晶片（２２），保持架本体插入到形成于热处理炉内的多个保持架用凹槽（１４），水平地得到保持。保持架本体形成为没有切口的圆板状，在保持架本体形成以该保持架本体的轴线为中心沿周向延伸并朝上方凸出的环状凸起（２４）。晶片接触在凸起上面地载置于保持架本体，当晶片直径为Ｄ时，凸起的外径形成在０．５Ｄ－０．９８Ｄ的范围内，晶片的外周缘不接触凸起。通过防止制作保持架本体时在保持架本体产生翘曲，从而可抑制在晶片产生滑移。另外，可不从规定位置错开地由同一保持架本体确实地保持直径不同的晶片。另外，还可平滑地进行晶片在保持架本体的载置作业和卸下作业。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
晶片保持架                  
本专利技术涉及一种适用于硅晶片的热处理特别是SIMOX(Separationby IMplanted OXygen)晶片制作时的高温退火处理的硅晶片保持架。                  
技术介绍
在特开平5-114645号公报中公开有作为现有技术的晶片保持装置，其中，多个支柱大体平行地配置，由安装于这些支柱的晶片支持板保持硅晶片，在上述支承板形成凹状切口。在该装置中，由SiC烧结体等高熔点陶瓷形成晶片支承板。在这样构成的晶片保持装置中，由于将晶片载置在安装于支柱的晶片支承板上插入到电炉内，所以，晶片支承板与晶片的接触面积增大。结果，不会在晶片的一部分区域集中地作用负荷，所以，可防止热处理时的晶片塑性变形。另外，通过在晶片支承板形成切口，可实现装置全体的轻量化，而且可由镊子等夹住硅晶片进出。然而，在上述现有的由特开平5-114645号公报记载的晶片保持装置中，晶片支承板形成切口，支承板相对该支承板的中心不呈点对称，所以在该支承板制造时可能在切口的部分出现翘曲。为此，当在晶片支承板载置硅晶片时，晶片接触切口的缘部，热处理时的热应力本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片保持架，具有在上面载置晶片（２２、２７）的保持架本体（２３），上述保持架本体（２３）插入到形成于热处理炉（１０）内的多个保持架用凹槽（１４），水平地得到保持；其特征在于：保持架本体（２３）形成为没有切口的圆板状，在上述保持架本体（２３）形成以该保持架本体（２３）的轴线为中心沿周向延伸并朝上方凸出的环状凸起（２４），上述晶片（２２、２７）接触上述凸起（２４）上面地载置于上述保持架本体（２３），当上述晶片（２２、２７）的直径为Ｄ时，凸起（２４）的外径形成在０．５Ｄ－０．９８Ｄ的范围内，上述晶片（２２、２７）的外周缘不接触凸起（２４）。

【技术特征摘要】
JP 1999-9-3 249480/99;JP 2000-5-30 160033/20001．一种晶片保持架，具有在上面载置晶片(22、27)的保持架本体(23)，上述保持架本体(23)插入到形成于热处理炉(10)内的多个保持架用凹槽(14)，水平地得到保持；其特征在于：保持架本体(23)形成为没有切口的圆板状，在上述保持架本体(23)形成以该保持架本体(23)的轴线为中心沿周向延伸并朝上方凸出的环状凸起(24)，上述晶片(22、27)接触上述凸起(24)上面地载置于上述保持架本体(23)，当上述晶片(22、27)的直径为D时，凸起(24)的外径形成在0.5D-0.98D的范围内，上述晶片(22、27)的外周缘不接触凸起(24)。2．如权利要求1所述的晶片保持架，其特征在于：在保持架本体(23)的外周缘形成朝上方凸出的凸状环(26)，在上述凸状环(26)内侧的保持架本体(23)形成直径不同的多个环状凸起(24a、24b)，上述多个凸起(24a、24b)都形成得比上述凸状环(26)低，最外侧的凸起(24a)最高，而且越往内侧越低。3．如权利要求1或2所述的晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：中井哲弥，河原史朋，斋藤诚，川村恭彦，筱原真，荒井克夫，
申请(专利权)人：三菱住友硅晶株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]