【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种方法和装置，用于以像外延晶片或这类硅基片为代表的半导体基片的品质评价，也就是说，用于定量地评价半导体基片中存在的杂质、缺陷等。
技术介绍
到目前为止，像此类评价方法，已经公开了一种用于光发射器件的外延晶片评价方法，该方法是用一种激发光照射用于化合物半导体光发射器件的外延晶片，检测在该晶片中由载流子激发产生的光致发光，当光致发光强度变化的速度成为一个固定值时(日本特许公开No.2000-101,145)从光致发光强度的变化速度导出非辐射寿命。在以这种方式组成的用于光发射器件的外延晶片评价的一种方法中，由于非辐射寿命是不依赖于受激发载流子密度的物理参数值，发光系数与具有高激发载流子密度的高亮度LED(发光二极管)保持好的相关性。结果，由于可能准确方便地测量活性层中非辐射寿命，而不依赖于受激载流子密度，就可能确实选择一个有高发光系数的外延晶片并提高制作外延晶片的成品率。还公布了一种评价半导体器件的方法，该方法是，在正方向上，在p型覆盖层和n型覆盖层之间加一个偏转电压，在用脉冲光照射半导体层得到光致发光的基础上，测量光致发光的衰减时间常数，该半导体层...
【技术保护点】
一种用于评价半导体基片品质的方法，该方法用激发光断续性地照射半导体基片的表面，该半导体基片包含一个块状基片和在所述块状基片上沉积的一个薄膜层，当用所述激发光断续性地照射该半导体基片时，使该半导体基片发射光致发光，并测量该光致发光的强度，该方法包括如下步骤： 通过解扩散方程得到当用所述激发光照射所述薄膜层时，在所述薄膜层中产生的载流子的稳态扩散分布， 从所述载流子的稳态扩散分布导出得到光致发光强度的信号数据的表达式（２）， 用入射强度不同的两种激发光照射所述的半导体衬底表面，来测量两种光致发光强度的信号数据，以及 用一个特定值乘所述两种光致发光强度的信...
【技术特征摘要】
JP 2000-9-8 272622/2000;JP 2000-9-8 272623/20001.一种用于评价半导体基片品质的方法，该方法用激发光断续性地照射半导体基片的表面，该半导体基片包含一个块状基片和在所述块状基片上沉积的一个薄膜层，当用所述激发光断续性地照射该半导体基片时，使该半导体基片发射光致发光，并测量该光致发光的强度，该方法包括如下步骤通过解扩散方程得到当用所述激发光照射所述薄膜层时，在所述薄膜层中产生的载流子的稳态扩散分布，从所述载流子的稳态扩散分布导出得到光致发光强度的信号数据的表达式(2)，用入射强度不同的两种激发光照射所述的半导体衬底表面，来测量两种光致发光强度的信号数据，以及用一个特定值乘所述两种光致发光强度的信号数据中强度较小的一个，然后从强度较大的信号数据中减去强度...
【专利技术属性】
技术研发人员：长谷川健，伊藤辉三，白木弘幸，
申请(专利权)人：三菱住友硅晶株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。