半导体晶片的制造方法技术

在同时研磨半导体晶片（Ｗ）的正反两面时，上平板（１２）的研磨布（１４）以及下平板（１３）的研磨布（１５）中的任一个研磨布是使用与余下的另一个研磨布在研磨时半导体晶片进入量不同的研磨布，由此而使得正面的光泽度与反面的光泽度不同。而且，通过使上平板与下平板的旋转速度不同，而使正面的光泽度与反面的光泽度不同。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

该专利技术涉及，具体所涉及的是通过使用未组装太阳齿轮(中心轮)构造的两面研磨装置来研磨(抛光)半导体晶片，可得到具有不同光泽度正反面的半导体晶片。
技术介绍
以往的两面研磨晶片的制造是通过以下的工艺方法来进行。即，将单晶体硅结晶块切片而制成硅晶片之后，对该硅晶片顺次进行磨边、研磨、酸腐蚀等各工序。然后，对晶片正反两面施以镜面化的两面研磨。在该两面研磨中，通常所使用的两面研磨装置具有分别在中心部配置太阳齿轮、而在外周部配置内齿轮的行星齿轮构造。在该两面研磨装置中，是将硅晶片插入保持在托板上形成的多个晶片保持孔的内部。然后，从其上方一边将含有研磨磨粒的磨浆供给硅晶片，一边把在相对面上铺有研磨布的上平板以及下平板分别压在这些硅晶片的正方两面，通过使托板在太阳齿轮与内齿轮之间自转以及公转，来同时研磨各硅晶片的两面。可是，在该行星齿轮式的两面研磨装置中，在其装置中央部设有太阳齿轮。因此，在制作两面研磨例如300mm晶片等大孔径晶片的装置的场合，因为设有该太阳齿轮而使得托板、以致使得两面研磨装置整体的大型化。例如存在着装置的直径为3m以上的问题。所以，作为解决该问题点的以往的技术，众所周知有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶片的制造方法，其特征在于：把半导体晶片保持在托板形成的晶片保持孔内，一边把含有研磨磨粒的磨浆供给该半导体晶片，一边使该托板在分别铺有研磨布的上平板以及下平板之间、且在平行于上述托板的表面的面内运动，由此而同时研磨上述半导体晶片的正反两面；上述上平板的研磨布以及下平板的研磨布中的任一个与余下的另一个是使用在研磨时的半导体晶片进入量不同的研磨布，由此而使得半导体晶片正面的光泽度与其反面的光泽度不同。

【技术特征摘要】
JP 2000-4-24 122272/00;JP 2000-6-30 199561/00;JP 21.一种半导体晶片的制造方法，其特征在于把半导体晶片保持在托板形成的晶片保持孔内，一边把含有研磨磨粒的磨浆供给该半导体晶片，一边使该托板在分别铺有研磨布的上平板以及下平板之间、且在平行于上述托板的表面的面内运动，由此而同时研磨上述半导体晶片的正反两面；上述上平板的研磨布以及下平板的研磨布中的任一个与余下的另一个是使用在研磨时的半导体晶片进入量不同的研磨布，由此而使得半导体晶片正面的光泽度与其反面的光泽度不同。2.如权利要求1所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于上述托板的运动是不带有托板自转的圆运动。3.如权利要求1或2所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于上述上平板的研磨布的硬度与上述下平板的研磨布的硬度不同。4.如权利要求1或2所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于上述上平板的研磨布的密度与上述下平板的研磨布的密度不同。5.如权利要求1或2所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于上述上平板的研磨布的压缩率与上述下平板的研磨布的压缩率不同。6.如权利要求1或2所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于上述上平板的研磨布的压缩弹性率与上述下平板的研磨布的压缩弹性率不同。7.如权利要求3～6中任一项所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于上述上平板的研磨布以及下平板的研磨布中的任一个是发泡氨基甲酸乙酯泡沫衬垫，而余下的另一个是无纺织物衬垫。8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于上述磨浆是由配置在上述晶片保持孔正上方的磨浆供给孔供给。9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于通过使用上述半导体晶片的进入量小的研磨布，来轻轻地研磨半导体晶片的正反面中的一个面，由此而制成轻抛光面。10.如权利要求1～9中任一项所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于上述半导体晶片的一面由氧化膜覆盖。11.一种半导体晶片的制造方法，其特征在于把半导体晶片保持在托板形成的晶片保持孔内，一边把含有研磨磨粒的磨浆供给该半导体晶片，一边使该托板在各自铺有研磨布且以各旋转轴为中心而旋转的上平板以...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷口彻，森田悦郎，又川敏，原田晴司，小野五十六，远藤光弘，吉田文彦，
申请(专利权)人：三菱住友硅晶株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]