含可释修光微粒的抛光垫制造技术

本发明专利技术提供了一种用于抛光半导体基材的抛光垫，该抛光垫包括具有抛光表面的抛光层，该抛光层包含配置在聚合物基体中的、经表面张力低于５０达因／厘米的材料涂敷过的微粒，该经涂敷的微粒在抛光过程中会从抛光表面释出。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于化学机械磨平(CMP)的抛光垫，本专利技术尤其涉及包含可释修光微粒的抛光垫。
技术介绍
对制造集成电路和其它电子器件来说，涉及使多层的导体、半导体和介电材料沉积在半导体晶片表面上或从半导体晶片表面上除去。可通过多种沉积技术将导体、半导体和介电材料的薄层沉积在晶片上。在现代加工中常用的沉积技术包括物理蒸气沉积(PVP)、又称为溅镀，化学蒸气沉积(CVD)，等离子增强的化学蒸气沉积(PECVD)和电化学镀(ECP)。当各层材料按顺序沉积和除去时，晶片的最上表面就会变成不平坦。由于随后的半导体加工(例如金属化)要求晶片具有平坦的表面，因而需要将晶片磨平。磨平技术常用于除去外形不符合要求的表面和表面缺陷，如粗糙的表面、结块的材料、晶格缺陷、刮痕以及被沾污的各层或材料。化学机械磨平或化学机械抛光(CMP)是一种磨平基材如半导体晶片的常用技术。对常规的CMP技术来说，晶片载持盘是安装在载持盘组件上并与CMP装置中的抛光垫相接触。载持盘组件会对晶片施加可以调节的压力，从而将晶片压向抛光垫。该抛光垫任选地借助外驱动力作相对于晶片的移动(如旋转)。与此同时，使化学组合物(“浆料”本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于抛光半导体基材的抛光垫，该抛光垫包括具有抛光表面的抛光层，该抛光层包含配置在聚合物基体中的、经表面张力低于５０达因／厘米的材料涂敷过的微粒，该经涂敷的微粒在抛光过程中会从抛光表面释出。

【技术特征摘要】
US 2004-2-5 10/774,6561.一种用于抛光半导体基材的抛光垫，该抛光垫包括具有抛光表面的抛光层，该抛光层包含配置在聚合物基体中的、经表面张力低于50达因/厘米的材料涂敷过的微粒，该经涂敷的微粒在抛光过程中会从抛光表面释出。2.权利要求1的抛光垫，其中抛光垫包含20-90重量％的经涂敷微粒。3.权利要求1的抛光垫，其中经涂敷的微粒的平均粒度为0.5-400微米。4.权利要求1的抛光垫，其中涂敷材料的表面张力低于30达因/厘米。5.权利要求1的抛光垫，其中涂敷材料选自硬脂酸、硬脂酸钙、四氢化硅、四氟乙烯和硬脂酸锌以及它们的混合物。6.权利要求1的抛光垫，其中聚合物基体选自热塑性材料和热固性材料。7.权利要求1的抛光垫，其中微粒选自无机氧化物、无机氢氧化物、无机氢氧化氧化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：CH杜昂，
申请(专利权)人：CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]