一种磨光衬垫（１０４，３００，４００，５００）用于对晶片（１１２，５１６）或其它物体进行磨光。该磨光衬垫包括一种用于对磁性基片、光学基片或半导体基片进行磨光的方法，该方法包括利用磨光衬垫和磨光介质对基片进行磨光的步骤，该磨光衬垫包括：一...

一种用于抛光晶片（１１２，５１６）或其他工件的抛光垫座（１０４，３００，４００，５００）。这种抛光垫座包括一个含有多个凹槽（１４８，１５２，１５６）（３０４，３０８，３２４）（４０４，４０８，４２４）（５２０，５２４，５２８）的抛光层（...

一种用于化学机械平面化的抛光垫，具有一使基片平面化的抛光层。该抛光层包括一从抛光层中心延伸到抛光层一外周边的半径；在该抛光层中形成并从该抛光层的外周边向内延伸的一或多条连续槽；以及一开槽的圆周百分率（ＣＦ）。该ＣＦ发生在从抛光层周边延伸...

一种含水化学机械磨平组合物包括用于促进阻隔层去除的氧化剂和磨料。缓蚀剂降低了互连金属的去除。该组合物具有包含至少一种含至少两个羧酸官能度的聚合物重复单元的羧酸聚合物，ｐＨ值低于或等于４，在磨盘压力为１３．８千帕下，氮化钽去除速率为铜去除...

公开了用于化学机械抛光的弹性，叠层抛光垫板。该抛光垫板包括通过热熔型胶粘剂粘合的基层和抛光层。本发明的热熔型胶粘剂可以在３０５ｍｍ／ｍｉｎ下提供至少大于４０牛顿的抛光垫板Ｔ↓［剥离］强度，并减少垫板的分层。

在铜ＣＭＰ中用于第二步骤屏蔽物脱除抛光的抛光流体，该抛光流体不包含氧化剂、包含有机酸、磨粒，和非必要地铜缓蚀剂，其显示出屏蔽物对金属和屏蔽物对绝缘层的高选择性。

适用于抛光半导体晶片的水性组合物。该组合物包含可抑制碳氮化硅去除速率的非离子表面活性剂，且该非离子表面活性剂具有亲水基和疏水基。该疏水基具有大于３的碳链长度。如使用１３．８ｋＰａ的垂直于晶片的微孔聚氨酯抛光垫板压力所测，该非离子表面活性...

一种研磨垫（２００），其包括带有用于研磨晶片（２２０）的研磨区（２０８）的研磨层（２０４）。研磨层包括一组流入凹槽（２３２）和一组流出凹槽（２３６），其中，所述流入凹槽（２３２）延伸入研磨区内，所述流出凹槽（２３６）延伸出研磨区外。流入...

一种化学式机械研磨垫（２００），其包括研磨层（２０４），所述研磨层具有研磨区（２０８）并包含至少局部延伸到研磨区的多个凹槽（２１２）。在研磨过程中，凹槽含有用于促进研磨过程的浆液（２３６）。各个凹槽包括多个混合结构（２２０），其用于致使...

该抛光流体适用于抛光半导体衬底的含钽阻挡层材料。该抛光流体包含具有至少两个氮原子的含氮化合物并且该含氮化合物包括亚胺化合物和肼化合物。该含氮化合物不含吸电子取代基；而且该抛光流体能够从半导体衬底的表面除去含钽的阻挡层材料而无需研磨剂。

适用于从半导体衬底上去除阻挡层材料的溶液。该溶液包含：０．０１至２５ｗｔ％的氧化剂，０至１５ｗｔ％的非铁金属抑制剂，０至１５ｗｔ％的研磨剂，０至２０ｗｔ％该非铁金属的配位剂，０．０１至１２ｗｔ％的阻挡层去除剂，和余量的水；该阻挡层去除剂...

用于平面化半导体晶片的钨ＣＭＰ溶液，该溶液包含具有足够的氧化电位用于将钨金属氧化成氧化钨的主要氧化剂；且该钨ＣＭＰ溶液具有用于除去钨金属的静态腐蚀速率。辅助氧化剂可降低钨ＣＭＰ溶液的静态腐蚀速率。该辅助氧化剂选自溴酸盐和氯酸盐。可选地，...

本发明提供了其中形成有窗口的化学机械抛光垫，其中该窗口是由脂肪族聚异氰酸酯，含羟基材料和固化剂的反应形成。

一种抛光体，例如基台（２００，２３０，２６０，３００）或带（４００，５００），其具有一抛光层（２１４，４０４），该抛光层包括一个回混区（２０２，２３２，２６２，３０８，４１６，５０８），其中，在某些条件下，回混发生在晶片（２０４，２３４...

本发明提供了适用于抛光半导体晶片的水性组合物，该晶片在存在电介质和互连金属的情况下包含钽阻挡层材料。该组合物包含具有足以促进钽阻挡层材料去除的浓度的唑类化合物。另外，该唑类化合物不会抑制互连金属的去除。该组合物还包含研磨剂。此外，该组合...

本发明提供了适用于从半导体晶片上抛光铜的水性组合物，该组合物包含１至１５ｗｔ％的氧化剂，０．１至１ｗｔ％的非铁金属抑制剂，０．０５至３ｗｔ％该非铁金属的配位剂，０．０１至５ｗｔ％的羧酸聚合物，０．０１至５ｗｔ％的改性纤维素，０．０００１...

用于抛光半导体晶片的抛光组合物，该组合物包含水，优选为胶态二氧化硅的研磨剂，具有至少约１，０００，０００的分子量的水溶性纤维素和优选为氨的碱性化合物。还可以向该抛光组合物中加入氢氧化四甲铵。

一种用于平整半导体基体的抛光垫。该抛光垫包含孔隙度为至少０．１体积％、在４０℃和１ｒａｄ／ｓｅｃ下ＫＥＬ能量损耗因子为３８５至７５０１／Ｐａ以及在４０℃和１ｒａｄ／ｓｅｃ下模量Ｅ′为１００至４００ＭＰａ的聚合物材料。

用于去除钽阻挡层材料的化学机械平坦化溶液。该溶液包含０至２５重量百分比的氧化剂，０至１５重量百分比的非铁金属金属抑制剂和０至２０重量百分比该非铁金属的配位剂，０．０１至１２重量百分比选自甲脒，甲脒盐，甲脒衍生物，胍衍生物，胍盐和它们的混...

本发明提供了适用于抛光半导体晶片上的铜的水性组合物，该组合物包含０．００１至６ｗｔ％的非铁金属抑制剂，０．０５至１０ｗｔ％该金属的配位剂，０．０１至２５ｗｔ％用于加速铜的去除的铜去除剂，０．５至４０ｗｔ％的研磨剂，和０至１０ｗｔ％选自聚...