一种贴合绝缘体基外延硅基片，它由形成器件的绝缘体基外延硅层和支持该绝缘体基外延硅层的支持基片用晶片隔着绝缘层贴合而成，其中：所述绝缘层含有空腔。

一种检查方法，测定在受检体上形成的具有绝缘性的基材内部存在的导电体并检查受检体的内部状态，其特征在于：用离子或者电子照射所述基材的检查部分的表面，并通过从所述表面以及表面附近射出的二次电子进行表面图像的摄影的同时，腐蚀所述检查部分， ...

在使单晶体（１１）稳定的气氛中，在０．２～３０４Ｍｐａ的压力和以绝对温度表示的单晶体（１１）熔点的０．８５倍以上的温度下，对单晶体（１１）进行热等静压处理５分钟～２０小时，然后对单晶体（１１）进行缓冷。对单晶体（１１）稳定的气氛优选为不...

将单晶提拉装置中的热区模型化成网格结构；将各元件的物理性质数值输入到计算机中；根据加热器的发热量和各元件的发射率获得各元件的表面温度分布；根据各元件的表面温度分布和热导率获得内部温度分布，从而获得考虑了对流的熔液内部温度分布；根据包括单...

在保持架本体（２３）的上面载置晶片（２２），保持架本体插入到形成于热处理炉内的多个保持架用凹槽（１４），水平地得到保持。保持架本体形成为没有切口的圆板状，在保持架本体形成以该保持架本体的轴线为中心沿周向延伸并朝上方凸出的环状凸起（２４）...

在激光器件和半导体基片之间的第一个斩光器以一特定频率遮挡激发光，在第一斩光器和半导体基片之间的第二个斩光器以比第一斩光器高的变化频率遮挡激发光。当用激发光断续性地照射半导体基片时，通过控制第二个斩光器逐渐增加激发光的斩光频率时，控制器从...

在同时研磨半导体晶片（Ｗ）的正反两面时，上平板（１２）的研磨布（１４）以及下平板（１３）的研磨布（１５）中的任一个研磨布是使用与余下的另一个研磨布在研磨时半导体晶片进入量不同的研磨布，由此而使得正面的光泽度与反面的光泽度不同。而且，通过...

在使用双面抛光装置进行半导体晶片的抛光时，使上平板（１２）方作用于晶片（Ｗ）正面的摩擦力与下平板（１３）方作用于晶片反面的摩擦力产生较大差异，从而使得晶片（Ｗ）在晶片保持孔（１１ａ）内以０．１～１．０ｒｐｍ的速度回旋。而且，此时，在晶片...

公开了一种外延生长用气体的供给装置。在气化器１９中将液体原料加热至该液体的沸点以上的温度以使其气化，将气化的原料气与载气在混合器４３中按预定的浓度混合，将该混合气在其露点以上的温度下加热保温，同时调节该温合气的流量，然后在将该混合气加热...

一种用于外延生长设备和方法中的基座，其中，多个圆形通孔被制作在凹坑底部壁中向着圆形底部壁的中心达大约１／２半径距离的外围区域中。这些通孔的总开口表面积为底部壁表面积的０．０５－５５％。提供在这一外围区域处的各个通孔的开口表面积为０．２－...

一种用于半导体基片品质评价的方法，包括通过解扩散方程得到当用所述激发光照射所述薄膜层时，在所述薄膜层中产生载流子的稳态扩散分布，从所述载流子的稳态扩散分布导出得到光致发光强度的信号数据的表达式（２），用入射强度不同的两种激发光照射所述的...

一种通过在表面磨削后进行除去活性层的外周部的粘合不良部分的粘合基片、其制造方法、晶片外周加压夹具类。在表面磨削后，对粘合晶片（３０）的活性层用晶片（１０）一侧实施除去外周部而留下中央部的外周除去研磨。从而省去以前的外周磨削、外周腐蚀。并...

一种硅片的制造方法，该方法是在氧化性气氛中热处理从硅单晶切片的硅片的制造硅片的方法，在该制造方法中，将在氧化性气氛中热处理的温度记为Ｔ（℃），将硅片的晶格间氧浓度记为［Ｏｉ］（原子／ｃｍ↑［３］），温度Ｔ和晶格间氧浓度［Ｏｉ］的组合满足...

一种化学机械研磨用浆料组合物，是相对于对氮化物层选择性地研磨除去氧化物层的化学机械研磨用浆料组合物，其特征在于，含有氧化铯研磨粒子、分散剂及阴离子性添加剂，控制上述阴离子性添加剂的浓度添加浆料组合物，使得上述氧化物层对上述氮化物层的研磨...

本发明的半导体衬底的制造方法，包括：第一层形成工序、第二层形成工序、热处理工序以及研磨工序，第一层形成工序中，设定所述第一ＳｉＧｅ层的膜厚，薄于因膜厚增加而发生位错并产生晶格缓和的膜厚即临界膜厚的２倍厚度，第二层形成工序中，形成倾斜组成...

一种ＣＶＤ装置的净化方法，其中，向设置基片的反应室（１１２）内供给半导体材料气体，在所述基片上形成半导体膜，其特征在于，作为加热流通净化处理时使用的净化气体，使用把氢、氦等热传导系数高的气体与惰性气体进行混合的气体。