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在同时研磨半导体晶片（Ｗ）的正反两面时，上平板（１２）的研磨布（１４）以及下平板（１３）的研磨布（１５）中的任一个研磨布是使用与余下的另一个研磨布在研磨时半导体晶片进入量不同的研磨布，由此而使得正面的光泽度与反面的光泽度不同。而且，通过使上...
该专利属于三菱住友硅晶株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱住友硅晶株式会社授权不得商用。

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