【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一集成电路，其包括基片、电路元件、该电路元件之间的互连元件、钝化涂层和能量吸收结构。为了保护集成电路不受腐蚀和机械破坏，在用于互连元件的金属化的最上层形成图案之后设置钝化涂层，该钝化涂层只在设置引线(焊线)的位置(焊点)处被断开。层间的机械应力、不足的层附着力和在封装集成电路时来自壳的压塑材料的应力可能在脆的钝化涂层和金属化的最上层中导致裂纹。为了克服上述缺点，US5,880,528提出了一种具有一个能量吸收结构的集成电路。该集成电路包括一个硅基片和在该基片上的介电层(钝化层)。该集成电路还包括一个在该介电层上的最终金属化层。该介电层和该最终金属化层形成一个主动区域。该集成电路还包括一个由该最终金属化层形成的第一护圈。该集成电路还包括一个第二护圈，该第二护圈由该最终金属化层形成并包围该第一护圈。然而，如US5,880,528公开的最终金属化层的能量吸收结构不能排除剪切力作用于钝化层的开口横向边缘上的情况，其将导致集成电路的过早失效。因此，本专利技术的目的是提供一种具有改进的能量吸收结构的集成电路。按照本专利技术，该目的通过一种集成电路实现，其构...
【技术保护点】
一种集成电路，其构件体包括基片、电路元件、互连元件、钝化层和可延展材料的边缘段，其中该构件体的基面主要由该基片构成，该构件体的覆盖面主要由该钝化层和边缘段构成，该构件体的侧壁由该基片和边缘段构成。
【技术特征摘要】
DE 2001-6-1 10126955.21.一种集成电路，其构件体包括基片、电路元件、互连元件、钝化层和可延展材料的边缘段，其中该构件体的基面主要由该基片构成，该构件体的覆盖面主要由该钝化层和边缘段构成，该构件体的侧壁由该基片和边缘段构成。2.按权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该可延展材料可从包括可延展金属、可延展粘结剂和可延展聚合体的组中选择。3.按权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：W施尼特，JH福克，
申请(专利权)人：皇家菲利浦电子有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]
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