半导体处理装置用电加热器制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体处理装置用电加热器，其由多个区域构成，这些区域中的被放置高载荷的至少１个区域（例如：底区）的发热体为由二硅化钼制成的非金属电阻发热体，其余区域（例如：中间区和顶区）的发热体为由构成细直径过弯曲形状的金属电阻发热体。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及适用于对半导体晶片进行氧化、扩散、CVD等的热处理的装置的电加热器。
技术介绍
以往，作为半导体晶片的批量式热处理装置用的电加热器，采用了金属电阻发热体(参见日本特开2001-267261号公报)或采用非金属电阻发热体(参见日本专利第3307924号公报)，这是众所周知的。在日本特开2001-267261号公报中所记载的专利技术中，作为金属线使用铁·铬·铝系的材料制成的直径为1～3mm左右的被称之为细直径的康塔尔(商品名)线或同类材料。此外，还使用了采用线的直径为7～10mm左右被称之为粗直径的康塔尔电阻丝或同类材料的加热器。在使用以这些线材中的任一种康塔尔电阻丝或同类物作为发热体使用的加热器的场合，有时在加热器的温度达到1200℃时，发热体的温度最高可达1250～1300℃，由于发热体的温度超过1200℃时会发生蠕变而易造成损伤，因此，将使用该发热体的热处理装置的设定温度限制≤1200℃。此外，加热器的端区之一，例如在竖式炉的底区，由于有处理物的投入和取出或具有驱动部而造成隔热状态的恶化，因此，会出现容易造成载荷的增加、从而引起金属电阻发热体的变形或断线等的问题。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体处理装置用电加热器，是由多个区域构成的筒状的半导体处理装置用电加热器，其特征为，多个区域中的被放置高载荷的至少１个区域的发热体是非金属电阻发热体，其余区域的发热体是金属电阻发热体。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体处理装置用电加热器，是由多个区域构成的筒状的半导体处理装置用电加热器，其特征为，多个区域中的被放置高载荷的至少1个区域的发热体是非金属电阻发热体，其余区域的发热体是金属电阻发热体。2.如权利要求1所述的半导体处理装置用电加热器，其中，发热体为非金属电阻发热体的区域是至少1个端区。3.如权利要求1或2所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：上森进，蓝谷隆，
申请(专利权)人：光洋热系统株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]