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本发明的半导体处理装置用电加热器，其由多个区域构成，这些区域中的被放置高载荷的至少１个区域（例如：底区）的发热体为由二硅化钼制成的非金属电阻发热体，其余区域（例如：中间区和顶区）的发热体为由构成细直径过弯曲形状的金属电阻发热体。...
该专利属于光洋热系统株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过光洋热系统株式会社授权不得商用。

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