【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是关于一种半导体组件的制造方法,特别是关于一种嵌入式动态随机存储器(Embedded DRAM)的制造方法。半导体组件为了达到降低成本,简化制造步骤的需求,而将内存区(Memory Cell)与逻辑电路区(Logic Circuit)的组件整合在同一芯片上已逐渐成为一种趋势,例如将动态随机存储器(DRAM)与逻辑电路组件的制造架构在同一芯片上,称其为嵌入式动态随机存储器。公知所谓的嵌入式内存结构,是将用作内存的晶体管与用作逻辑组件的晶体管,都形成在同一个芯片(Wafer)上。但是,由于用作内存的晶体管与用作逻辑组件的晶体管本身由于对于特性的要求并不相同,因此在制造上必须做一些修正以符合要求。例如对逻辑组件而言,操作速度愈快愈好。而对存储单元而言,重要的反而是电容器的更新周期愈久愈好。因此在存储单元区与逻辑电路区制作晶体管的制造中,两种不同的晶体管制造是有所差异的。附图说明图1是公知嵌入式DRAM的晶体管部份剖面图,从中可看出在逻辑组件的晶体管和存储单元的晶体管间的差异。请参照图1,逻辑电路区102和存储单元区104分别代表基底100上形成逻辑组件和存储单元的区域。在存储单元区104上形成有三个晶体管108、110和112;而在逻辑电路区102上则形成有晶体管106。其中,晶体管108、110、112和106的栅极导体层分别由复晶硅、硅化钨与氮化硅所构成。随着半导体组件积集度增加,组件中的图案与线宽亦逐渐缩小,导致组件中的栅极与导线的接触电阻增高,产生较长的电阻-电容延迟(RC Delay),影响组件操作速度。由于金属硅化物的电阻较多晶硅(P ...
【技术保护点】
一种嵌入式动态随机存储器的制造方法,其特征在于:其应用于具有存储单元区和逻辑电路区的基底,在存储单元区与逻辑电路区的基底上已形成有复数个栅极导体层,且同时在这些栅极导体层的侧壁形成间隙壁,该方法包括: 在裸露在基底上形成磊晶硅层,以作为逻辑电路区的源极/漏极区,以及该存储单元区的源极区和漏极区; 在逻辑电路区的源极/漏极区,以及存储单元区的源极区和漏极区上同时形成金属硅化物层; 在基底上形成共形的阻挡层; 在基底上形成介电层; 以阻挡层为蚀刻终止层,进行第一蚀刻步骤,去除位于预定形成DRAM存储单元位线接触窗,以及逻辑组件源极/漏极接触窗区域的介电层; 进行第二蚀刻步骤,去除阻挡层,以形成暴露出金属硅化物层的DRAM存储单元位线接触窗,以及逻辑组件源极/漏极接触窗;以及 同时在DRAM存储单元位线接触窗,以及逻辑组件源极/漏极接触窗中形成插塞。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种嵌入式动态随机存储器的制造方法,其特征在于其应用于具有存储单元区和逻辑电路区的基底,在存储单元区与逻辑电路区的基底上已形成有复数个栅极导体层,且同时在这些栅极导体层的侧壁形成间隙壁,该方法包括在裸露的基底上形成磊晶硅层,以作为逻辑电路区的源极/漏极区,以及该存储单元区的源极区和漏极区;在逻辑电路区的源极/漏极区,以及存储单元区的源极区和漏极区上同时形成金属硅化物层;在基底上形成共形的阻挡层;在基底上形成介电层;以阻挡层为蚀刻终止层,进行第一蚀刻步骤,去除位于预定形成DRAM存储单元位线接触窗,以及逻辑组件源极/漏极接触窗区域的介电层;进行第二蚀刻步骤,去除阻挡层,以形成暴露出金属硅化物层的DRAM存储单元位线接触窗,以及逻辑组件源极/漏极接触窗;以及同时在DRAM存储单元位线接触窗,以及逻辑组件源极/漏极接触窗中形成插塞。2.根据权利要求1所述的嵌入式动态随机存储器的制造方法,其特征在于在存储单元区的基底中包括深沟道电容器。3.根据权利要求1所述的嵌入式动态随机存储器的制造方法,其特征在于栅极导体层是由复晶硅层、硅化钨物层与氮化盖层所组成。4.根据权利要求1所述的嵌入式动态随机存储器的制造方法,其特征在于磊晶硅层的形成方法包括下列步骤选择性地在裸露的基底表面上形成未掺杂的磊晶硅层;在基底上形成第一罩幕层,以进行第一导电型离子掺杂步骤;以及在基底上形成第二罩幕层,以进行第二导电型离子掺杂步骤,其中第二导电型离子与第一导电型离子电性相反。5.根据权利要求4所述的嵌入式动态随机存储器的制造方法,其特征在于未掺杂的磊晶硅层的形成方法是利用低温选择性磊晶技术,使用SiH4、H2和Cl2的混合气体,在温度600℃,压力1托耳(Torr)的条件下形成。6.根据权利要求4所述的嵌入式动态随机存储器的制造方法,其特征在于未掺杂的磊晶硅层的厚度为500-800埃。7.根据权利要求4所述的嵌入式动态随机存储器的制造方法,其特征在于第一导电型离子掺杂步骤所植入的离子包括N型的砷离子,其浓度为1-3E15 ions/cm3,植入能量为45-75KeV。8.根据权利要求4所述的嵌入式动态随机存储器的制造方法,其特征在于第二导电型离子掺杂步骤所植入的包括P型的氟化硼,其浓度为1-3E15 ions/cm3,植入能量为30-50KeV。9.根据权利要求1所述的嵌入式动态随机存储器的制造方法,其特征在于金属硅化物层包括硅化钛层。10.根据权利要求1所述的嵌入式动态随机存储器的制造方法,其特征在于金属硅化物层包括硅化钴层。11.根据权利要求1所述的嵌入式动态随机存储器的制造方法,其特征在于阻挡层的材质包括氮化硅。12.根据权利要求1所述的嵌入式动态随机存储器的制造方法,其特征在于介电层的材质包括BPSG。13.根据权利要求1所述的嵌入式动态随机存储器的制造方法,其特征在于插塞包括钨插塞。14.一种嵌入式动态随机存储器的制造方法,其特征在于其应用于具有存储单元区和逻辑电路区的基底,在存储单元区与逻辑电路区的基底上已形成有复数个栅极导体层,且同时在这些栅极导体层的侧壁形成间隙壁,该方法包括在裸露的基底上形成磊晶...
【专利技术属性】
技术研发人员:谢文贵,
申请(专利权)人:华邦电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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