存储器封装工艺方法技术

本发明专利技术涉及一种存储器封装工艺方法，包括粘片、烘烤、键合、封入、切筋、脱脂、去毛刺、电镀步骤，其特征在于：在封入工艺后增加脱脂去毛刺工艺，在切筋工艺后去除脱脂工艺，具体操作步骤如下：粘片－烘烤－键合－封入－脱脂－去毛刺－切筋－去毛刺－电镀－引线加工。采用该工艺方法从根本上提高密着性、解决剥离问题，并可以生产出不存在剥离的制品从而使存储器的生产得以顺利进行、提高成品率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别是针对存储器封装中芯片同树脂的剥离问题所提出的解决方案。
技术介绍
在存储器的生产中LOC结构被广泛的应用并最终形成为TSOP型式的封装，本专利技术也是针对LOC封装工艺的。存储器的LOC封装工艺一般由粘片、烘烤、键合、封入、切筋、脱脂、去毛刺、电镀、引线加工所组成，在这个一般作业流程中经常会发生树脂同芯片剥离的问题，有剥离问题的制品在实际的使用中会使得可靠性及寿命降低，同时给存储器的稳定性也造成影响。因此，为提高存储器的可靠性必须改善剥离问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是通过采用新的工艺流程及条件提高存储器封装的密着性，生产出无剥离的存储器制品。本专利技术涉及的，包括粘片、烘烤、键合、封入、切筋、脱脂、去毛刺、电镀步骤，其特征在于在封入工艺后增加脱脂去毛刺工艺，在切筋工艺后去除脱脂工艺，具体操作步骤如下粘片-烘烤-键合-封入-脱脂-去毛刺-切筋-去毛刺-电镀-引线加工。烘烤工序的氮流量为20L/MIN-80L/MIN。脱脂方式为侵渍脱脂。本专利技术所提出的技术方案可以完全解决目前生产存储器制品中的剥离问题。附图说明图1是封装工艺的一般流程2是本专利技术封装工艺流程图具体实施方式下面结合附图对该专利技术进行详细描述。一、存储器封装作业的一般流程存储器封装作业的一般流程如图1，是一种在存储器生产中现有的技术方案。对于存储器的封装作业目前国际上广泛的采取了LOC结构封装，虽然LOC封装中使用的引线框架有各种各样但在封装作业的一般流程中并没有对其种类进行区分，采取了同样的流程我们称之为存储器封装作业的一般流程。生产工艺的简单说明粘片粘片是指将芯片粘结到引线框架的过程。在粘片的过程中由于采取了LOC结构的封装形式因此需要给芯片和框架加热使得二者之间的胶带软化并将它们粘到一起，烘烤烘烤的目的是将胶带中的可挥发物质充分排除并使黏结更加紧密，为了防止烘烤中引线框架的氧化在烘烤氛围中需要注入氮气，氮气起到流量必须满足一定的规格。在一般作业流程中采用的氮气流量为80L/min，但该流量在充分防止了氧化的同时也降低了引线框架同树脂之间形成致密接合的能力，一次在我们的专利技术中对该流量进行了变更。键合键合是将芯片上的连接点同引线框架的内引线相连的过程。在该过程中也需要一定的温度，另外设备本身对键合的工具施加超声波。键合的质量也直接影响制品的性能，键合工艺是封装过程中容易发生不良的工序。封入封入是指将键合完了的制品使用树脂进行密封的过程。经过封入后的制品将不再能看到内部的情况，同时也保护了芯片、引线框架内引线、键合配线不受外界的侵害。在一般生产工艺中产生的剥离也就是指在封入工序发生的引线框架同树脂、芯片同树脂直接的接合不紧密。切筋切筋是将引线框架外引线之间的连筋切断的过程。切筋是为了将引线框架的各个外引线分离开来，切筋工艺的好坏一般只会影响到制品的外观不良项目。脱脂脱脂是为了去除引线框架表面的油污、树脂毛刺等，以便于后工序的作业。脱脂的过程一般采用电解脱脂，在电解脱脂过程中需要在引线框架施加一定的电压，该电压的施加会加速剥离的产生。去毛刺去除制品的毛刺。电镀电镀是在引线框架的表面镀上一层特定物质，使得制品在使用中的性能良好。引线加工引线加工也叫做成形，是将引线框架的外引线按照一定的形状进行加工的过程。二、新专利技术所采用的新工艺流程通过试验我们专利技术了不同于一般作业流程的新工艺流程，采用新的工艺流程可以有效的提高存储器封装后的密着性。技术方案详解针对一般作业流程本专利技术采用了变更烘烤工序氮气流量、改变脱脂方式、改变部分工序的作业顺序等手段。试验中我们发现在一般工艺流程中剥离问题的发生同所使用的引线框架的种类密切相关，而引线框架一般分为刻蚀、冲压两种，由于无法也没有必要对所有生产存储器使用的材料进行试验，因此本专利技术仅针对刻蚀、冲压两种引线框架，就这两种引线框架结合实例进行描述实例一刻蚀品引线框架的工艺流程①刻蚀品引线框架的新工艺流程如图2所示在刻蚀品引线框架的新流程中自封入后的工序顺序有变化，在切筋前先进行脱脂作业；脱脂作业后进行去毛刺随后进行切筋，切筋后再次进行去毛刺作业，最后电镀。②刻蚀品引线框架的新工艺条件在刻蚀品的新工艺流程中采用了新的工艺条件A烘烤工序的氮气流量由80L/min变更为20L/min，流量变更后可使引线框架在烘干过程中产生部分氧化，从而提高引线框架同树脂的密着性。B变电解脱脂为浸渍脱脂，浸渍脱脂可以防止电压加速引线框架同树脂间的剥离。C二次去毛刺，由于切筋后会产生毛刺因此在切筋后需要有去毛刺工序以去除残留在引线框架上的树脂屑等。实例二冲压品引线框架的工艺流程冲压品引线框架的工艺流程基本同一般作业流程相同，但部分工艺条件及脱脂方式不同。冲压品引线框架脱脂方式采用同刻蚀品相同的浸渍脱脂方式，为了有效去除残留树脂对冲压品引线框架的浸渍脱脂采用25min的脱脂时间。冲压品引线框架在烘烤工序的作业条件也同一般作业流程的条件不同，冲压品引线框架采取的氮气流量为80L/min，在烘烤升温前先通氮气30min。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器封装工艺方法，包括粘片、烘烤、键合、封入、切筋、脱脂、去毛刺、电镀步骤，其特征在于：在封入工艺后增加脱脂去毛刺工艺，在切筋工艺后去除脱脂工艺，具体操作步骤如下：粘片－烘烤－键合－封入－脱脂－去毛刺－切筋－去毛刺－电镀－引线加工。

【技术特征摘要】
1.一种存储器封装工艺方法，包括粘片、烘烤、键合、封入、切筋、脱脂、去毛刺、电镀步骤，其特征在于在封入工艺后增加脱脂去毛刺工艺，在切筋工艺后去除脱脂工艺，具体操作步骤如下粘片-烘烤-键合-封入-脱脂-去毛刺...

【专利技术属性】
技术研发人员：周永春，丁伟，张冰，祝斌，贾锁辉，
申请(专利权)人：首钢日电电子有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]