半导体工艺设备的富勒烯涂层部件及涂层方法技术

半导体工艺设备如等离子体腔的一种包括一个含富勒烯的表面的抗腐蚀部件，及其制造方法。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
专利
本专利技术涉及半导体工艺设备以及提高这些部件抗腐蚀性的方法。相关技术描述在半导体工艺领域中，通常使用真空工艺腔来在衬底上进行材料的刻蚀和化学气相沉积(CVD)，将刻蚀或者沉积气体供入真空腔中，并对气体施加一种RF场将气体激发到等离子体状态。在专利号为4340462，4948458，5200232和5820723的共同所有的US专利中公开了平行板式变压耦合等离子体(TCPTM)，也叫做电感耦合等离子体(ICP)，和电子回旋共振(ECR)反应器及其部件的例子。由于这些反应器中等离子体环境的腐蚀性以及极小化颗粒和/或重金属污染的需要，高度希望这些设备的部件呈现出高的抗腐蚀性。在半导体衬底的处理过程中，衬底一般用衬底夹具例如机械钳和静电钳(ESC)固定在真空腔中。这些钳制系统及其部件的例子可以在专利号为5262029和5838529的共同所有的US专利中找到。处理气体可以通过许多方式供入腔室中，比如通过气体喷嘴，导气环，气体分布板等。在专利号为5863376的共同所有的US专利中可以找到一种用于电感耦合等离子体反应器的温控气体分布板及其部件的例子。除了等离子体腔室设备，在半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对半导体工艺设备部件表面进行涂层的方法，该方法包括：　　　　（ａ）可选地，在半导体工艺设备部件表面沉积一个第一中间涂层；　　　　（ｂ）可选地，在上述第一中间涂层或者上述表面上沉积一个第二中间涂层；并　　　　（ｃ）在上述部件上沉积一个含富勒烯的涂层以形成一个抗侵蚀的外表面。

【技术特征摘要】
US 2000-12-29 09/749,9231.一种对半导体工艺设备部件表面进行涂层的方法，该方法包括(a)可选地，在半导体工艺设备部件表面沉积一个第一中间涂层；(b)可选地，在上述第一中间涂层或者上述表面上沉积一个第二中间涂层；并(c)在上述部件上沉积一个含富勒烯的涂层以形成一个抗侵蚀的外表面。2.权利要求1中的涂层方法，其中半导体工艺设备的所述部件的所述表面包含一种金属，陶瓷或者聚合物的表面。3.权利要求2中的涂层方法，其中所述第一中间涂层是必需的。4.权利要求3中的涂层方法，其中所述第一中间涂层包含一种金属，陶瓷或者聚合物的涂层。5.权利要求1中的涂层方法，其中所述部件包含等离子体刻蚀腔室的腔室壁。6.权利要求1中的涂层方法，进一步包含在所述部件上制备一个粗化表面，在该粗化表面上沉积所述含富勒烯涂层。7.权利要求1中的涂层方法，其中所述含富勒烯的涂层中存在的富勒烯是C60富勒烯，C70富勒烯或它们的混合物。8.权利要求1中的涂层方法，其中所述富勒烯涂层沉积的厚度范围从约0.001到约0.050英寸。9.权利要求1中的涂层方法，其中在所述含富勒烯涂层中存在的富勒烯是掺杂的富勒烯。10.权利要求1中的涂层方法，其中所述含富勒烯的涂层通过化学气相沉积，等离子体喷敷涂层，升华，激光蒸发，溅射，溅射沉积，离子束涂层，喷敷涂层，浸...

【专利技术属性】
技术研发人员：RJ奥丹尼尔，CC常，JE多尔蒂，
申请(专利权)人：兰姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]