在半导体加工设备中的氧化锆增韧陶瓷组件和涂层及其制造方法技术

半导体加工设备如等离子室组件的抗腐蚀组件，包括作为组件外表面的氧化锆增韧陶瓷材料。组件可全部由陶瓷材料制成，或陶瓷材料可作为涂层附在衬底上如铝或铝合金，不锈钢或难熔金属。氧化锆增韧陶瓷可以是四方氧化锆多晶（ＴＺＰ）材料，部分稳定氧化锆（ＰＳＺ）或氧化锆弥散增韧陶瓷（ＺＴＣ），如氧化锆增韧氧化铝（四方氧化锆颗粒弥散在Ａｌ＃－［２］Ｏ＃－［３］中）。在陶瓷氧化锆增韧的涂层的情况，可在组件和陶瓷涂层之间附以一层或多层中间层。为提高陶瓷涂层的结合力，组件表面或中间层表面可在沉积陶瓷涂层前进行表面粗糙化处理。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
专利
本专利技术大体涉及半导体晶片的制造，和更具体是具有可在加工时减少颗粒和金属污染的内表面的高密度等离子刻蚀室。相关领域说明在半导体加工领域，真空加工室通常用于刻蚀和通过向真空室通入刻蚀或沉积气体而在衬底上化学气相沉积(CVD)材料以及对气体施加射频场以激发气体成等离子态。平行板的例子如，变压器耦合等离子体(TCPTM)也称为感应耦合等离子体和电子回旋加速器谐振(ECR)反应器及其组件公开于共同所有的美国专利Nos.4,340,462；4,948,458；5,200,232和5,820,723中。由于在上述电抗器中等离子环境的腐蚀本性和使颗粒和/或金属杂质减至最小的要求，迫切需要上述设备的组件表现出高抗腐蚀性。在加工半导体衬底时，衬底通常由衬底夹如机械夹和静电夹(ESC)固定在真空室内部。上述夹持装置及其组件的例子可在共同所有的美国专利Nos.5,262,029和5,838,529中找到。工作气体可以多种方式通入真空室，如通过气体分配盘。感应耦合等离子体反应器及其组件的控温气体分配盘的例子可在共同所有的美国专利No.5,863,376中找到。除等离子室设备外，其它用于加本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体加工设备组件表面的涂层方法，该方法包括　　　　在半导体加工设备组件表面上沉积氧化锆增韧陶瓷层，其中陶瓷层形成外表面。

【技术特征摘要】
US 2000-12-29 09/750,0561.半导体加工设备组件表面的涂层方法，该方法包括在半导体加工设备组件表面上沉积氧化锆增韧陶瓷层，其中陶瓷层形成外表面。2.依照权利要求1的方法，其中陶瓷层主要由四方氧化锆多晶(TZP)材料组成。3.依照权利要求1的方法，其中陶瓷层的施加是通过选自溅射，溅射沉积，浸镀，化学气相沉积，物理气相沉积，热等静压，冷等静压，压模，浇注，压实和烧结，等离子喷涂和热喷涂中的技术。4.依照权利要求1的方法，其中组件选自等离子室壁，室内衬，气体分配盘，气环，基座，介电窗，静电卡盘和聚焦环。5.依照权利要求1的方法，其中陶瓷层沉积至厚度为大约0.001～大约0.050英寸。6.依照权利要求1的方法，其中陶瓷层主要由部分稳定氧化锆(PSZ)组成。7.依照权利要求1的方法，其中陶瓷层主要由氧化锆弥散增韧陶瓷(ZTC)组成。8.依照权利要求7的方法，其中陶瓷层主要由氧化锆增韧氧化铝组成(ZTA)。9.依照权利要求1的方法，进一步包括在组件表面沉积中间层和在中间层上沉积陶瓷层。10.依照权利要求1的方法，进一步包括在沉积陶瓷层之前对表面进行表面粗糙化处理，陶瓷层沉积在粗糙化处理的表面上。11.依照权利要求1的方法，其中该表面是金属表面。12.半导体加工设备的组件，该组件包括形成组件外表面的氧化锆增韧陶瓷材料。13...

【专利技术属性】
技术研发人员：RJ奥丹尼尔，CC常，JE多尔蒂，
申请(专利权)人：兰姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]