电子、光电子或机电器件的制造方法以及电子器件技术

本发明专利技术提供了在固体结构中形成空气隙的方法。在该方法中，牺牲材料上覆盖了覆盖层。然后通过覆盖层除去牺牲材料，留下空气隙。这种空气隙尤其可用作诸如电互连结构的电子器件中的金属线之间的绝缘。本发明专利技术还提供了含有空气隙的结构。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
本专利技术一般性地涉及电子器件制造领域。具体地，本专利技术涉及用空气隙降低此类器件中的导体间的电容耦合的电子器件的制造。集成电路技术的发展减小了集成电路的任何给定平面上的金属线间的间隙。这种间隙现已达到亚微米量级。减小集成电路中导电元件间的间隙导致了相邻导电线路间的电容耦合增加。这种电容耦合的增加产生了诸如串扰增大和电容损失增加的问题。常用介电材料具有3.5-4.2的介电常数，例如二氧化硅具有4.2的介电常数。正在发展低介电常数(“低k值”)材料，以取代用于给定层上的导体之间和层与层之间的常用介电材料。这些低k值材料比常用的介电材料降低了导体间的电容耦合。这种低k值材料的实例是多孔二氧化硅，即在薄膜中带有孔或空隙的二氧化硅薄膜。这种孔或空隙可以是真空或充满空气或其他气体。低k值材料一般具有1.8-3.0的介电常数。然而，低k值材料并未在所有应用中使用，因为它们在加工、造价和材料方面存在严重问题。可能或理想的最低介电常数是1.0，这是真空的介电常数。空气几乎相当于1.001的介电常数。因此，已尝试制造在金属导线间带有空气隙，以降低导电元件间的电容耦合的半导体器件。已经发展的空气隙本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子、光电子或机电器件的制造方法，其包括以下步骤：ａ）在器件基材上布置牺牲材料层；ｂ）在牺牲材料层上布置覆盖材料；和然后ｃ）除去牺牲材料层形成空气隙；其中牺牲材料层包含交联聚合物。

【技术特征摘要】
US 2002-9-13 60/414,857;US 2003-1-23 60/442,1621.一种电子、光电子或机电器件的制造方法，其包括以下步骤a)在器件基材上布置牺牲材料层；b)在牺牲材料层上布置覆盖材料；和然后c)除去牺牲材料层形成空气隙；其中牺牲材料层包含交联聚合物。2.权利要求1的方法，其中牺牲材料为可光成像的。3.权利要求1至2中任何一项的方法，其中器件基材包含金属线。4.权利要求1至3中任何一项的方法，其进一步包含以下步骤i)将覆盖材料和牺牲材料层制图形成部件；和ii)向部件中沉积金属，其中步骤i)和ii)在步骤b)之后和步骤c)之前进行。5.权利要求1至4中任何一项的方法，其中覆盖材料具有足够的孔隙率，使牺牲...

【专利技术属性】
技术研发人员：MK加拉格尔，DA格朗贝克，TG亚当斯，JM卡尔弗特，
申请(专利权)人：希普雷公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]