用于电子器件制造的金属电化学共沉积制造技术

电解沉积金属层的新组成和方法，金属层包括在诸如半导体晶片或者印刷电路板的电子器件中的与相邻轨迹电隔离的金属轨迹（如电路图案）。本发明专利技术包括用组成可调的电镀方法提供得到隔离轨迹，也就是说，举例来讲就是使用单一的电镀液（电解质）以不同的电流密度或者还原电势来沉积两种不同的金属。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
1.专利
本专利技术包括电解沉积金属层的新组成和方法，金属层包括在电子器件中的与相邻轨迹电隔离的金属轨迹(如电路图案)。本专利技术包括用组成可调的电镀方法提供隔离线路，即，举例来讲就是使用单一的电镀液(电解质)以不同的电流密度或者还原电势来沉积两种不同的金属。2.背景对提高了密度和性能的半导体芯片和其它电子器件的需求给制造商施加持续的压力去改良互连技术。典型的半导体器件包含半导体衬底如掺杂单晶硅，和多重介电层及导电轨迹。集成电路由一系列的导电图案构成，这些导电图案包括由布线间隔隔开的导电轨迹(线路)。在半导体的不同层中制备的导电图案利用层间的由导电金属填充的通路孔或者其它缝隙电连接。典型地，铝(Al)已被用于芯片互连。然而，工业持续要求增强性能，包括超大规模集成和更快速的电路。结果，芯片互连需要在临界尺寸200nm或以下进行。更新近地，铜电镀也已被用到半导体芯片制造中来提供芯片互连。传统上，半导体是通过铝导体互连的。然而，工业持续需求增强的性能，包括超大规模集成和更快速的电路。结果，芯片互连需要在临界尺寸200nm或以下进行。在这种几何条件下，铝的电阻率(在室温下理论上为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在半导体衬底上沉积多重金属层的方法，包括：将半导体衬底与电解电镀组合物相接触，该电镀组合物包含铜金属源和与铜不同的第二种金属源；在半导体衬底上，以第一种还原电势电解沉积第一种铜的金属层；在半导体衬底上，以与第一种 还原电势不同的第二种还原电势电解沉积第二种金属层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：ER奥陵，MW巴耶斯，
申请(专利权)人：希普雷公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]