【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在RF通信等中使用的具备MIM(金属-绝缘体-金属)电容器的半导体器件。
技术介绍
随着通信技术的进步，单独使用个人计算机(PC)或便携信息终端(PDA，个人数字助理)已很少见，连接到网络上使用已经常态化。人们预测今后即便是冰箱或空调等的家电产品也要变成为连接到网络上使用。在用这样的多个设备形成网络的情况下，特别是在一般家庭内，人们认为那些过去一直在办公室等处使用的把LAN电缆配线在每一个设备间构成网络的方法已经不适用，利用无线的无导线连接将成为今后的主流。因此，人们认为今后所有的LSI芯片上都要附加上RF通信功能。以往，可在这样的用途中使用的LSI，与用途相吻合地用多个芯片(RF模拟器件(SiGe-BiCMOS等)和CMOS逻辑器件)构成，但是，在便携信息终端等的情况下，由于因重视小型化而要求用更小的印制基板占有面积实现所希望的电路性能，故要求由RF混合装载LSI而得到的进一步的小型化。此外，为了使得设备厂家可以更为方便地利用RF通信，人们要求采用把RF模拟器件和CMOS逻辑器件混合装载于单个芯片内的办法，作成为使得即便是没有设计现有RF电路的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，具备已形成了半导体元件的半导体衬底；在上述半导体衬底上每一者都通过层间绝缘膜多层叠层的多层金属布线层；在上述多层金属布线层上通过层间绝缘膜地形成的由上部金属电极、电介质膜和下部金属电极构成的电容器；在被形成为把上述电容器被覆起来的绝缘膜上设置上层的布线层，其特征在于上述电容器由第1和第2元件构成，这些第1和第2元件，分别由叠层起来的下部金属电极、电介质膜和上部金属电极构成，各自上部金属电极实质上是同一大小形状，而且，各自上部金属电极在已分别形成配置有上述下部金属电极和上述电介质膜的区域内形成，上述第1元件的下部金属电极和上述第2元件上部金属电极电连起来，上述第1元件上部金属电极和上述第2元件的下部金属电极电连起来。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于上述第1元件下部金属电极和上述第2元件上部金属电极用构成上述上层的布线层的第1布线连接起来，上述第1元件上部金属电极和上述第2元件的下部金属电极用构成上述上层的布线层的第2布线连接起来。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于构成上述电容器的电介质膜，由用高介电常数材料构成的第1膜和由漏泄电流低的材料构成的第2膜构成的叠层膜构成。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于上述第1膜，使用Ta2O5、Nb2O3、ZrO2、HfO2、La2O3、Pr2O3中的任何一者，上述第2膜使用Al2O3、SiO2、SiN中的任何一者。5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于构成上述电容器的下部金属电极由TiN构成，上部金属电极由TiN构成。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于构成上述电容器的电介质膜，由用高介电常数材料构成的第1膜和漏泄电流低的材料构成，且由把上述第1膜夹持的第2和第3膜构成的叠层膜构成。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于上述第1膜，使用Ta2O5、Nb2O3、ZrO2、HfO2、La2O3、Pr2O3中的任何一者，上述第2膜和第3膜使用Al2O3、SiO2、SiN中的任何一者。8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于构成上述电容器的下部金属电极和上部金属电极，由TiN构成。9.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于上述第1膜和上述第2膜厚度彼此不同。10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于构成上述电容器的电介质膜具有氧缺损，构成上述电容器上部金属电极和下部金属电极由镍构成。11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于上述电介质膜...
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