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一种半导体器件，具备：　　　　已形成了半导体元件的半导体衬底；　　　　在上述半导体衬底上每一者都通过层间绝缘膜多层叠层的多层金属布线层；　　　　在上述多层金属布线层上通过层间绝缘膜地形成的由上部金属电极、电介质膜和下部金属电极构成的电容器；...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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