集成电路埋层和深磷的制造方法技术

一种集成电路埋层和深磷的制造方法，其特征在于包括以下步骤：　　　　第一，选择半导体单晶材料；　　　　　第二，在硅片上表面形成抛光片和二氧化硅；　　　　　第三，在二氧化硅表面涂上光刻胶；　　　　第四，通过光刻、显影去掉其中部分光刻胶和腐蚀掉对应的二氧化硅，注入锑元素至硅片中，形成Ｎ型埋层；　　　　第五，去掉光刻胶和二氧化硅，在硅片上表面生长Ｎ型外延；　　　　第六，在Ｎ型外延上生长二氧化硅后通过光刻、腐蚀、Ｐ型硼离子注入和高温扩散形成隔离断面；　　　　第七，通过光刻、刻蚀技术限定对有源器件ＮＰＮ管基区的硼离子注入和硼高温扩散，形成限定断面；再经同样的光刻，刻蚀技术限定磷离子注入和扩散形成再限定断面，即ＮＰＮ管发射区和Ｎ型外延的欧姆接触。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路制造工艺，尤其涉及一种在具有N型埋层和深磷的双极工艺中的。
技术介绍
现有技术半导体集成电路制造工艺中，N型埋层应用于晶体管正下方，N型埋层同时和N型深磷串联在一起，其共同效果使NPN管集电极串联电阻减少，同时发射极到集电极饱和压降V ces减少，这些对于大电流工作的功率晶体管是有利于性能的改进。但是，深磷工艺基本上要纵向深透外延层厚度，因此结深较深；正因为纵向结深较深，同时引起副作用使横向扩散也相当严重，从而影响了器件的合格率。请参见图1至图3所示，它们表示现有技术有N型埋层和深磷的工艺流程制作器件的剖面示意图。其工艺流程步骤如下请参见图1所示，1.选用的是P型半导体硅单晶材料制造成硅大圆片1；2.在硅片1上表面抛光形成抛光片2，并在硅表面通过高温热氧化生成0.6μM厚二氧化硅；3.然后二氧化硅表面涂上厚度大于1μM光刻胶3(图1A上中黑圆点)，通过光刻、显影将光刻胶3中间部分光刻胶去掉，然后用HF酸将暴露出来二氧化硅腐蚀干净形成2中间部分二氧化硅消失；4.用离子注入工艺将锑元素注入到硅片中，形成的N型埋层4，N型埋层两侧由于二氧化硅和光刻胶的掩本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路埋层和深磷的制造方法，其特征在于包括以下步骤第一，选择半导体单晶材料；第二，在硅片上表面形成抛光片和二氧化硅；第三，在二氧化硅表面涂上光刻胶；第四，通过光刻、显影去掉其中部分光刻胶和腐蚀掉对应的二氧化硅，注入锑元素至硅片中，形成N型埋层；第五，去掉光刻胶和二氧化硅，在硅片上表面生长N型外延；第六，在N型外延上生长二氧化硅后通过光刻、腐蚀、P型硼离子注入和高温扩散形...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍荣生，
申请(专利权)人：上海贝岭股份有限公司，
类型：发明
国别省市：