半导体器件的制造方法技术

用包含导电颗粒的有机粘接剂层把半导体芯片和基片粘结在一起，通过导电颗粒将压焊块和电极相互电连接在一起。通过使附着在带上的半导体晶片与刻蚀剂相接触形成该半导体芯片，与刻蚀剂相接触的同时在半导体晶片的面内方向高速旋转该半导体晶片或使该半导体晶片作横向往复运动，均匀刻蚀该半导体晶片，从而减薄其厚度并把减薄后的晶片切割开。用加热头热压分割开的薄芯片，使其粘结到基片。用这种方法可以低成本稳定制造薄半导体芯片，并把它粘结到基片上，不使其破碎，这样得到的半导体器件不大会由于来自外界的挠曲应力而破损。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，尤其涉及以低成本稳定生产薄型半导体器件的方法。
技术介绍
制造诸如IC卡一类的各种卡都要使用非常薄的半导体器件。由于挠曲应力容易使其破损，因此至今为止，很难得到能用于实际应用中的这种卡。在例如“LSI Handbook”(由Electronic Communication Society编辑及Ohom Corporation于1984年11月30日出版，406-416页)中描述了薄半导体器件的常规装配工艺。在这种常规半导体器件的装配工艺中，使用的半导体晶片厚约200微米或略多，直接对其进行处理不大会使其破损。一般都知道，技术上广泛使用抛光方法来减薄半导体晶片。为了均匀地加工半导体晶片，例如加工精度为5％的抛光方法，必须使半导体晶片以高精度及高重复性地平行于抛光装置。为了达到这种高度的平行，需要非常昂贵的装置，因此很难得到实际应用。曾尝试在监控半导体晶片的厚度时进行抛光的方法。如果用这种方法来抛光一个大面积的区域，则需要很长时间，造成生产率低下。另外，当半导体晶片被抛光到非常薄，例如0.1微米左右时，会产生问题，由抛光产生的应力会使作在半导体晶片表面上的各种半导体器本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体器件的制造方法，包括以下步骤：制备完全分离的多个ＩＣ芯片的工序，所述多个ＩＣ芯片在保持为晶片的状态下粘结于带上且厚度为０．１微米～１１０微米；制备形成有布线的基片的工序；使所述多个ＩＣ芯片中的一个ＩＣ芯片在保持 粘结于所述带的状态下面对所述基片的工序；用具有平坦头表面的加热头通过所述带把与所述基片面对的所述ＩＣ芯片压接到所述基片上，所述头表面的面积与面对所述基片的所述ＩＣ芯片的表面面积大致相同；通过在所述ＩＣ芯片与所述基片面对的表面 上方设置的粘结剂层将所述ＩＣ芯片固定于所述基片上的工序；将所述带从固定于所述基片...

【技术特征摘要】
JP 1995-5-18 120236/951.半导体器件的制造方法，包括以下步骤制备完全分离的多个IC芯片的工序，所述多个IC芯片在保持为晶片的状态下粘结于带上且厚度为0.1微米～110微米；制备形成有布线的基片的工序；使所述多个IC芯片中的一个IC芯片在保持粘结于所述带的状态下面对所述基片的工序；用具有平坦头表面的加热头通过所述带把与所述基片面对的所述IC芯片压接到所述基片上，所述头表面的面积与面对所述基片的所述IC芯片的表面面积大致相同；通过在所述IC芯片与所述基片面对的表面上方设置的粘结剂层将所述IC芯片固定于所述基片上的工序；将所述带从固定于所述基片上的所述IC芯片剥离的工序。2.根据权利要求1的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：宇佐美光雄，坪崎邦宏，西邦彦，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]