【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及通过从形成半导体器件的半导体晶片中切分单个半导体器件来制造半导体芯片的方法。
技术介绍
安装在电子装置等的电路板上的半导体芯片是通过将半导体期间从其中形成电路图案的晶片状态切分成单独的片而制造的。伴随着半导体期间厚度减小带来的操纵晶片状态的半导体期间的难度增加，近年来已经采用了等离子体切割，在这种情况下，将半导体晶片切分成单独的半导体芯片是通过等离子体蚀刻来进行的(例如，参见JP-A-2004-172364专利申请公开说明书)。等离子体切割是通过在除了网格图案的显示分割位置的分割线(streetline)外，半导体晶片掩盖有抗蚀膜的掩膜的情况下进行的，使得半导体晶片沿着该分割线切割。在切割后，为了去掉掩膜，在与JP-A-2004-172364专利申请公开说明书的现有技术中进行等离子体切割相同的等离子体处理设备中进行等离子体灰化(ashing)来去掉掩膜。但是，在等离子体灰化时，在去除掩膜过程中产生的反应产物扩散成颗粒，并积累在等离子体处理设备内部。于是，在相同的等离子体处理设备中反复执行切割过程和灰化过程的情况下，会由于半导体晶片被等离子体处理设...
【技术保护点】
一种制造半导体芯片的方法，该方法通过从半导体晶片中切割单个半导体器件而进行，在该半导体晶片中，半导体器件分别形成在有切割线分隔的多个区域内，所述方法包括以下步骤：保护带粘贴步骤：能够被剥离的保护带粘贴到半导体晶片的半导体器件形成面上 ；背面研磨步骤：研磨半导体晶片中的与其上粘贴保护带的表面相对的背面，以便减薄半导体晶片；掩膜形成步骤：在背面掩膜步骤之后，在半导体晶片的背面上形成覆盖所述多个区域的掩膜；等离子体切割步骤：通过从其上形成掩膜的半导体晶 片一侧产生等离子体，以去除半导体晶片中的没有被掩膜覆盖的部分，将半导...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-7-11 201536/20051.一种制造半导体芯片的方法，该方法通过从半导体晶片中切割单个半导体器件而进行，在该半导体晶片中，半导体器件分别形成在有切割线分隔的多个区域内，所述方法包括以下步骤保护带粘贴步骤能够被剥离的保护带粘贴到半导体晶片的半导体器件形成面上；背面研磨步骤研磨半导体晶片中的与其上粘贴保护带的表面相对的背面，以便减薄半导体晶片；掩膜形成步骤在背面掩膜步骤之后，在半导体晶片的背面上形成覆盖所述多个...
【专利技术属性】
技术研发人员：有田洁，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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