半导体器件及其制造方法技术

微机器所包括的微结构和半导体元件通常在不同的步骤中形成。本发明专利技术的目的是提供一种微机器的制造方法，其中该微结构和半导体元件形成在一个绝缘衬底上。本发明专利技术的特征在于微机器包括包含多晶硅的可移动层和在该层的下面或上面的间隔，该可移动层使用金属通过热结晶或激光结晶。该多晶硅具有高强度并形成在绝缘表面之上，使得它用作微结构和用于形成半导体元件。因此，可形成其中在一个绝缘衬底上形成微结构和半导体元件的半导体器件。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：衬底上的包括半导体元件的电路；和衬底上的微结构，其中该微结构包括使用金属通过热结晶或激光结晶而结晶的包含多晶硅的可移动层。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：泉小波，山口真弓，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]