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一种集成电路埋层和深磷的制造方法，其特征在于包括以下步骤：　　　　第一，选择半导体单晶材料；　　　　　第二，在硅片上表面形成抛光片和二氧化硅；　　　　　第三，在二氧化硅表面涂上光刻胶；　　　　第四，通过光刻、显影去掉其中部分光刻胶和腐蚀掉对...
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