【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件的工艺，尤其涉及一种制造高压半导体器件的工艺。
技术介绍
现有技术半导体集成电路器件制造工艺中，为了达到高压低导通电阻(LDMOS)和电路(BICMOS)的逻辑功能，传统的且公知的方法是将(LDMOS)和(BICMOS)这两种器件分开制造。现有技术常规且最简单的制造BICMOS的工艺是，需在P+衬底材料上生长一10um到15um厚的P外延层制成NMOS器件，在4um至5um深的n阱中制成PMOS器件和NPN晶体管；而现有技术制造LDMOS功率管，其耐压最高只能做到一百多伏。由此可见，现有技术制造(LDMOS)和(BICMOS)器件，不仅制造工艺繁琐，并且浪费原材料，而且制造的器件体积大，因此不能满足信息和电子工业飞速发展的需求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种制造高压半导体器件的工艺，它不仅能将LDMOS和BICMOS这两种器件合在一起制造，并且制造的器件体积小。本专利技术的目的是这样实现的一种制造高压半导体器件的工艺，其特点是包括以下步骤第一，N阱形成步骤，在高阻衬底材料上生长氧化层，经光刻构图，形成N阱区域；第二，P-层...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制造高压半导体器件的工艺，其特征在于包括以下步骤第一，N阱形成步骤，在高阻衬底材料(1)上生长氧化层(2)，经光刻构图，形成N阱区域；第二，P-层形成步骤，在氧化层(2)上涂布一光致抗蚀剂层(200)，然后经光刻构图，形成P-区域；第三，场区和P场区域形成步骤，在硅片上生长氧化层淀积氮化硅(6)，经光刻构图，形成场区和P场区域；第四，生长场氧化和腐蚀步骤，在硅片上生长场氧化(7)，然后依次分别腐蚀有源区上的氮氧化硅，氮化硅和二氧化层；第五，形成电容区域和栅氧化层步骤，先在硅片上生长预栅氧化，经光刻构图，形成结(9)，并再生长一栅氧化层；第六，多晶区域形成步骤，在硅片上淀积多晶硅(10)，并经光刻构图，形成多晶区域；第七，N+，P+区域形成步骤，在硅片上经光刻构图，分别形成N+区域和P+区域；第八，接触孔形成步骤，在硅片上光刻构图，形成接触孔区域；第九，铝布线和钝化膜形成步骤，用常规的方法布铝条，生长钝化层。2.如权利要求1所述的制造高压半导体器件的工艺，其特征在于所述的步骤一包括1)在电阻率100～200欧姆厘米的高阻衬底材料1上，生长一层大于5000A的氧化层(2)；2)在该氧化层上涂布一光致抗蚀剂层(100)，然后进行光刻构图，以暴露待形成的N阱区域(3)；3)将暴露区域的氧化层用腐蚀液腐蚀干净，并去除光致抗蚀剂层(100)；4)对该暴露区域进行磷离子注入，然后在大于1000℃温度下，在氮气和氧气的气氛中推进大约7～8小时左右，从而形成结深约6.5～7.0um左右的N阱；同时生长5000A左右的氧化层(2-1)。3.如权利要求1所述的制造高压半导体器件的工艺，其特征在于所述的步骤二包括1)在氧化层(2)上涂布一光致抗蚀剂层(200)，然后进行光刻构图，暴露待形成的P-层区域，并将暴露区域的二氧化硅用腐蚀液腐蚀干净；2)去除光致抗蚀剂层200；3)生长一层约500A左右的预注入氧化层，对该暴露域进行硼离子注入；4)在硅片上涂布一光致抗蚀剂层(250)，然后进行光刻构图，以暴露待形成的基区区域，对暴露区域进行硼离子注入；5)在大于1100℃温度下，在氮气和氧气的气氛中推进大约1.5～2.5小时左右，从而形成结深约0.5～1.5um左右的P-层(4)，最后用氢氟酸腐蚀液漂光所有的氧化层。4.如权利要求1所述的制造高压半导体器件的工艺，其特征在于所述的步骤三包括，1)在硅片上生长一层400A左右的氧化层(5)，然后再淀积600A...
【专利技术属性】
技术研发人员：陆晓敏，黄海涛，王伟国，王浩，陈康民，韩雁，张宇峰，王旭红，
申请(专利权)人：上海贝岭股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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