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一种制造高压半导体器件的工艺，其特征在于包括以下步骤：第一，Ｎ阱形成步骤，在高阻衬底材料（１）上生长氧化层（２），经光刻构图，形成Ｎ阱区域；第二，Ｐ－层形成步骤，在氧化层（２）上涂布一光致抗蚀剂层（２００），然后经光刻构图， ...
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