双极集成电路中硅材料质量的检测方法技术

一种双极集成电路中硅材料质量的检测方法，其特征在于包括以下步骤：　　　　步骤一，建立具有Ｎ埋层的ＮＰＮ管结构，用以测试工艺证实模型中ＮＰＮ管的发射极到集电极的击穿电压，以判断集成电路中ＮＰＮ管质量；　　　　步骤二，建立具有Ｎ型埋层的二极管结构，即有Ｎ型埋层的ＮＰＮ管集电结结构，用以测量Ｎ型外延的质量；　　　　步骤三，建立没有Ｎ型埋层的二极管结构，即没有Ｎ型埋层的ＮＰＮ管集电结结构，用以测量没有Ｎ型埋层的ＮＰＮ管的基极到集电极的击穿电压，以便进一步判断该击穿电压的质量是否和硅材料质量相关；　　　　经过步骤二和步骤三的检测，通过排除集成电路制造的质量问题，即排除Ｎ型外延和基区的问题，从而找到因原单晶片质量问题即一次缺陷引起漏电超规范。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种材料质量的检验方法，尤其涉及一种判别集成电路中所使用的硅单晶片质量问题的。
技术介绍
集成电路制作中所使用的硅单晶片的质量极为重要，这是集成电路合格率的基础保证。硅单晶片的质量可以分为两种，即，一因原单晶片质量问题引起漏电超规范(或者称为一次缺陷)导致集成电路合格率下降，二因硅片制造(集成电路制造)的质量问题引起漏电超规范(或者称为二次缺陷)。因此如何区分是原单晶片的质量还是硅片制造的质量问题显得格外重要，它可使单晶生产厂家和硅片制造厂家各负其责改进其工艺，使之达到集成电路产品可以稳定于高合格率的状态。而现有技术工艺证实模型PVM(Process Validation Module)测试，其PVM图形仅能对测试集成电路NPN管击穿电压BV ceo检测，以判断集成电路中NPN管质量，但是对于1uA的漏电条件下的击穿，则无法判断是原单晶片的质量问题(一次缺陷)还是硅片制造引起的二次缺陷造成漏电大的原因。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，它能使简化判断单晶片质量的问题，从而保证集成电路的合格率趋于稳定。本专利技术的目的是这样实现的一种，其特点是包括以下步骤步骤本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双极集成电路中硅材料质量的检测方法，其特征在于包括以下步骤步骤一，建立具有N埋层的NPN管结构，用以测试工艺证实模型中NPN管的发射极到集电极的击穿电压，以判断集成电路中NPN管质量；步骤二，建立具有N型埋层的二极管结构，即有N型埋层的NPN管集电结结构，用以测量N型外延的质量；步骤三，建立没有N型埋层的二极管结构，即没有N型埋层的NPN管集电结结构，用以测量没有N型埋层的NPN管的基极到集电极的击穿电压，以便进一步判断该击穿电压的质量是否和硅材料质量相关；经过步骤二和步骤三的检测，通过排除集成电路制造的质量问题，即排除N型外延和基区的问题，从而找到因原单晶片质量问题即一次缺陷引起漏电超规范。2.如权利要求1所述的双极集成电路中硅材料质量的检测方法，其特征在于在所述的步骤一中，建立具有N型埋层的NPN管结构包括以下步骤，1)选择适当的P型硅单晶片(20)作为衬底；2)在P型硅单晶片(20)表面生长二氧化硅，采用光刻和腐蚀技术去掉氧化层，在没有氧化层区域离子注入锑，进行高温推进，形成N型埋层(21)；3)在去掉氧化层以后生长N型外延(22)；4)在N型外延(22)表面生长二氧化硅，采用光刻，刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍荣生，
申请(专利权)人：上海贝岭股份有限公司，
类型：发明
国别省市：