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一种双极集成电路中硅材料质量的检测方法，其特征在于包括以下步骤：　　　　步骤一，建立具有Ｎ埋层的ＮＰＮ管结构，用以测试工艺证实模型中ＮＰＮ管的发射极到集电极的击穿电压，以判断集成电路中ＮＰＮ管质量；　　　　步骤二，建立具有Ｎ型埋层的二极管结...
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