硅化物存在比率的测量方法、热处理温度的测量方法、半导体装置的制造方法以及X射线受光元件制造方法及图纸

本发明专利技术涉及硅化物存在比率的测量方法，热处理温度的测量方法，半导体装置的制造方法以及Ｘ射线受光元件。准备在硅基板（１０１）上，按以下顺序设置硅氧化膜（１０２）、聚酯硅层（１０３）及钛硅化物层（１０４）的测量用基板（１００）。用Ｘ射线照射该测量用基板（１００），根据由硅氧化膜（１０２）的氧放射的硬性Ｘ射线的强度，和由钛硅化物层（１０４）的钛放射的硬性Ｘ射线的强度，测量钛硅化物层（１０４）中的化合比互不相同的３种硅化物的存在比率。提供能简单而且精确地测量化合比互不相同的多种硅化物的存在比率的测量方法。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅化物存在比率的测量方法，热处理温度的测量方法，半导体装置的制造方法，以及X射线受光元件。
技术介绍
近年来，半导体装置日趋微小，因此，LSI的图案也越来越微细。另外，使图案如此微细的LSI高速动作的技术，已成当务之急。在这里，LSI的延时，主要由电阻成分和电容成分之积来确定。就是说，电阻越小，或电容越小，LSI的动作就越快。因此，所述栅电极的低电阻化和源·漏区的低电阻化，成为LSI高速化必不可少的技术。为了降低电阻，近年来，电阻值低于现有技术的聚脂硅电极的硅化物(金属和硅的化合物，例如钨硅化物)，被用来制作栅电极。进而，正在对被称作低阻硅化物SALICIDE(Salicide；Self-align Silicide)的利用自整合的硅化物中，使用钛、钴、镍等金属的情况展开着积极的研究。其中，使用钛及钴的低阻硅化物，由于能降低栅电极及源·漏区的电阻，所以已被实用化。所述硅化物，虽然是通过硅和金属的反应形成的，但即使是一种金属与硅反应，也会产生硅与金属的化合比互不相同的多种硅化物。钴、钛及镍的硅化物反应，如果用X表示金属，则会出现如下反应， 通过这些反应，主要形成3种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅化物存在比率的测量方法，包括：　　　　准备具有：在至少表面具有硅层的基板的该硅层表面所形成的硅氧化膜或硅氮化膜、在该硅氧化膜或硅氮化膜上所形成的聚脂硅层或非晶硅层、以及形成在该聚脂硅层或该非晶硅层上并由金属与硅的化合比互不相同的多种硅化物构成的硅化物层，的测量用基板的步骤；　　　　用Ｘ射线照射所述测量用基板的步骤；　　　　分别测量经过所述Ｘ射线照射后而由所述硅氧化膜中的氧或所述硅氮化膜中的氮放射出来的硬性Ｘ射线的强度，和经过所述Ｘ射线照射后而由所述硅化物层中的所述金属放射出来的硬性Ｘ射线的强度的步骤；以及　　　　　根据２个所述硬性Ｘ射线的强度，换算所述硅化物层中的所述多种硅化物的存在比的...

【技术特征摘要】
JP 2003-1-8 2003-0023831.一种硅化物存在比率的测量方法，包括准备具有在至少表面具有硅层的基板的该硅层表面所形成的硅氧化膜或硅氮化膜、在该硅氧化膜或硅氮化膜上所形成的聚脂硅层或非晶硅层、以及形成在该聚脂硅层或该非晶硅层上并由金属与硅的化合比互不相同的多种硅化物构成的硅化物层，的测量用基板的步骤；用X射线照射所述测量用基板的步骤；分别测量经过所述X射线照射后而由所述硅氧化膜中的氧或所述硅氮化膜中的氮放射出来的硬性X射线的强度，和经过所述X射线照射后而由所述硅化物层中的所述金属放射出来的硬性X射线的强度的步骤；以及根据2个所述硬性X射线的强度，换算所述硅化物层中的所述多种硅化物的存在比的步骤。2.一种硅化物存在比率的测量方法，包括准备具有在至少表面具有硅层的基板的该硅层表面注入掺杂剂后形成的掺杂层、和形成在该掺杂层上并由金属与硅的化合比互不相同的多种硅化物构成的硅化物层，的测量用基板的步骤；用X射线照射所述测量用基板的步骤；分别测量经过所述X射线照射后而由所述掺杂层中的掺杂剂放射出来的硬性X射线或超软X射线的强度，和经过所述X射线的照射后而由所述硅化物层中的所述金属放射出来的硬性X射线的强度的步骤；以及根据2个所述硬性X射线的强度，或根据所述超软X射线的强度和由所述金属放射出来的硬性X射线的强度，换算所述硅化物层中的所述多种硅化物的存在比的步骤。3.一种硅化物存在比率的测量方法，包括准备具有在至少表面具有硅层的基板的该硅层表面所形成的硅氧化膜或硅氮化膜、向形成在该硅氧化膜或该硅氮化膜上的聚脂硅层或非晶硅层中注入掺杂剂后所形成的掺杂层、以及形成在该掺杂层的表面并由金属与硅的化合比互不相同的多种硅化物构成的硅化物层，的测量用基板的步骤；用X射线照射所述测量用基板的步骤；分别测量经过X射线照射后而由所述硅氧化膜中的氧或所述硅氮化膜中的氮放射的硬性X射线的强度、经过X射线的照射后而由所述掺杂层中的掺杂剂放射出来的硬性X射线或超软X射线的强度、以及经过X射线照射后而由所述硅化层中的所述金属放射出来的硬性X射线的强度的步骤；以及根据3个所述硬性X射线的强度，或根据由所述氧或所述氮放射出来的硬性X射线的强度、所述超软X射线的强度及由所述金属放射出来的硬性X射线的强度，换算所述硅化物层中的所述多种硅化物存在比的步骤。4.如权利要求1所述的硅化物存在比率的测量方法，所述金属，包含高熔点金属元素。5.如权利要求2所述的硅化物存在比率的测量方法，所述金属，包含高熔点金属元素。6.如权利要求3所述的硅化物存在比率的测量方法，所述金属，包含高熔点金属元素。7.如权利要求1所述的硅化物存在比率的测量方法，所述金属是从由钛、钴、镍、铂组成的元素群中选择1个或2个以上构成的。8.如权利要求2所述的硅化物存在比率的测量方法，所述金属是从由钛、钴、镍、铂组成的元素群中选择1个或2个以上构成的。9.如权利要求3所述的硅化物存在比率的测量方法，所述金属是从由钛、钴、镍、铂组成的元素群中选择1个或2个以上构成的。10.如权利要求2所述的硅化物存在比率的测定量方法，所述掺杂剂，是从由硼、磷、砷、锗、锑及铟组成的元素群中选择1个或2个以上构成的。11.如权利要求3所述的硅化物存在比率的测量方法，所述掺杂剂，是从由硼、磷、砷、锗、锑及铟组成的元素群中选择1个或2个以上构成的。12.一种热处理温度的测量方法，包括准备具有在至少表面具有硅层的基板的该硅层的表面所形成的硅氧化膜或硅氮化膜、在该硅氧化膜或该硅氮化膜上所形成的聚脂硅层或非晶硅层、以及在该聚脂硅层或该非晶硅层上所形成的金属层，的测量用基板的步骤；用所定的温度对所述测量用基板进行热处理，由所述聚脂硅层或所述非晶硅层的至少一部分与所述金属层的至少一部分，形成由金属与硅的化合比互不相同的多种硅化物构成的硅化物层的步骤；在形成所述硅化物层的步骤之后，用X射线照射所述测量用基板的步骤；分别测量经过所述X射线照射后而由所述硅氧化膜中的氧或所述硅氮化膜中的氮放射出来的硬性X射线的强度，和经过X射线照射后而由所述硅化物层中的所述金属放射出来的硬性X射线的强度的步骤；以及由2个所述硬性X射线的强度，换算所述所定的温度的步骤。13.一种热处理温度的测量方法，包括准备具有在至少表面具有硅层的基板的该硅层的表面注入掺杂剂后所形成的掺杂层、和在该掺杂层上所形成的金属层的测量用基板的步骤；用所定的温度对所述测量用基板进行热处理，由所述掺杂层的至少一部分与所述金属层的至少一部分，形成由金属和硅化比互不相同的多种硅化物构成的硅化物层的步骤；在形成所述硅化物层的步骤之后，用X射线照射所述测量用基板的步骤；分别测量经过所述X射线照射后而由所述掺杂层中的掺杂剂放射出来的硬性X射线的强度或超软X射线的强度，和经过所述X射线照射后而由所述硅化物层中的所述金属放射出来的硬性X射线的强度的步骤；以及根据2个所述硬性X射线的强度，或根据所述超软X射线的强度和由所述金属放射出来的硬性X射线的强度，换算所述所定的温度的步骤。14.一种热处理温度的测量方法，包括准备具有在至少表面具有硅层的基板的该硅层的表面所形成的硅氧化膜或硅氮化膜、向形成在该硅氧化膜或该硅氮化膜之上的聚脂硅层或非晶硅层注入掺杂剂后所形成的掺杂层、以及在该掺杂层上所形成的金属层，的测量用基板的步骤；用所定的温度对所述测量用基板进行热处理，由所述掺杂层的至少一部分与所述金属层的至少一部分，形成由金属与硅的化合比互不相同的多种硅化物构成的硅化物层的步骤；在形成所述硅化物层的步骤之后，用X射线照射所述测量用基板的步骤；分别测量经过所述X射线照射后而由所述硅氧化膜中的氧或所述硅氮化膜中的氮放射出来的硬性X射线的强度、经过所述X射线照射后而由所述掺杂层中的掺杂剂放射出来的硬性X射线或超软X射线的强度、以及经过X射线照射后而由所述硅化物层中的所述金属放射出来的硬性X射线的强度的步骤；以及根据3个所述硬性X射线的强度，或根据由所述氧或所述氮放射出来的硬性X射线的强度、所述超软X射线的强度及由所述金属放射出来的硬性X射线的强度，换算所述所定的温度的步骤。15.如权利要求12所述的热处理温度的的测量方法，所述金属，包含高熔点金属元素。16.如权利要求13所述的热处理温度的的测量方法，所述金属，包含高熔点金属元素。17.如权利要求14所述的热处理温度的的测量方法，所述金属，包含高熔点金属元素。18.如权利要求12所述的热处理温度的测量方法，所述金属是从由钛、钴、镍、铂组成的元素群中选择1个或2个以上构成的。19.如权利要求13所述的热处理温度的测量方法，所述金属是从由钛、钴、镍、铂组成的元素群中选择1个或2个以上构成的。20.如权利要求14所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：皷谷昭彦，奥野泰利，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]