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本发明涉及硅化物存在比率的测量方法，热处理温度的测量方法，半导体装置的制造方法以及Ｘ射线受光元件。准备在硅基板（１０１）上，按以下顺序设置硅氧化膜（１０２）、聚酯硅层（１０３）及钛硅化物层（１０４）的测量用基板（１００）。用Ｘ射线照射该测量...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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