【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，更具体地说是柔性。
技术介绍
目前象移动电话一类装置的趋势是变得越来越小，使其更便于携带，而且已经提出作为“你可以穿着的个人计算机”的可穿着计算机。此外，还提出了象3DMD(通过安装于头部的显示器来观察)，内装CCD相机的HD，头戴送受话器眼镜和头戴式话筒等图象语音直接认知界面装置，而且可穿着装置被认为在将来会有所发展。有人建议采用将用于AMLCD(主动矩阵显示)的TFT芯片变成薄膜的方法作为满足这种需要的一种措施(见美国专利5,702,963)。按照这种方法，首先如图4A所示，采用一个具有SOI结构的衬底，在硅衬底40上，依次层叠上Si缓冲层41，按CVD方法形成的氧化硅膜42，和由氮氧化硅膜做的释放层43，及用作元件形成层的上Si层44，同时如图4B所示，在这些层上形成一个象素部分(象素区)44b和一个用于AMLCD的TFT区。其次如图4C所示，在象素部分44b和TFT区44a上形成一层氧化膜46，以形成绝缘体区45。再其次如图4D所示，在按上述方式得到的衬底上形成一个门电极48和源/漏区49，接着用一层绝缘膜50覆盖它，并在绝缘膜50所希...
【技术保护点】
半导体器件，包括：半导体衬底，提供半导体元件；硬膜，覆盖该半导体衬底的侧面的一部分或全部，且其顶面和底面大概处在与半导体衬底顶面和底面相同的平面内，其中半导体衬底的该覆盖着硬膜的侧面处理为与半导体衬底的表面垂直或基本 垂直。
【技术特征摘要】
JP 2003-1-9 3413/031.半导体器件，包括半导体衬底，提供半导体元件；硬膜，覆盖该半导体衬底的侧面的一部分或全部，且其顶面和底面大概处在与半导体衬底顶面和底面相同的平面内，其中半导体衬底的该覆盖着硬膜的侧面处理为与半导体衬底的表面垂直或基本垂直。2.如权利要求1的器件，其中硬膜有通孔，孔中形成贯通电极，故该电极的顶面和底面大致与硬膜的顶面和底面处在相同的平面内。3.如权利要求1的器件，其中半导体衬底是硅衬底。4.如权利要求1的器件，其中硬膜是氧化硅膜或氮化硅膜。5...
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