半导体装置及其制造方法、半导体晶片、电路基板及电子机器制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置及其制造方法、半导体晶片、电路基板及电子机器，其目的在于提高可靠性。在形成有多个集成电路（１２）的半导体基板（１０）上，形成树脂层（２０）。在树脂层（２０）的表面，形成多个凹部（２２）。在树脂层（２０）上，形成通过至少一个凹部（２２）的布线（４０）。将半导体基板（１０），切断成多个半导体芯片。将它们各自的凹部（２２），做成：其开口宽度小于布线（４０）的厚度，深度则在１μｍ以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置及其制造方法、半导体晶片、电路基板及电子机器。
技术介绍
近年来，在晶片级制造的所谓晶片级CSP(Chip Scale/size Package)受到关注。晶片级CSP，是在半导体晶片上形成树脂层，再在树脂层上形成布线，然后将半导体晶片切割成多个半导体装置。在这里，树脂层和布线的密接性(紧密接触的能力)，在提高产品的可靠性方面，十分重要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，在半导体装置及其制造方法、半导体晶片、电路基板及电子机器中，提高可靠性。(1)、本专利技术涉及的半导体装置的制造方法，包括在形成多个集成电路的半导体基板上，形成树脂层的工序；在所述树脂层的表面，形成多个凹部的工序；在所述树脂层上，形成通过至少一个所述凹部的布线的工序；以及，将所述半导体基板，切断成多个半导体芯片的工序；将各个所述凹部的开口宽度做成小于所述布线的厚度，且具有1μm以上的深度。采用本专利技术后，由于通过树脂层的凹部形成布线，所以能提高树脂层和布线的密接性。(2)、在该半导体装置的制造方法中用感光性树脂前驱体，形成所述树脂层；所述凹部的形成工序，采取使用掩模的光刻蚀法进行；所述掩模，可以具有旨在对所述感光性树脂前驱体进行超过析像能力的微细图案的光照射的透过遮蔽图案。(3)、在该半导体装置的制造方法中所述感光性树脂前驱体，感光部分是不溶解性的负片型；所述透过遮蔽图案，也可以包括宽度在所述布线厚度以下的遮蔽部。(4)、在该半导体装置的制造方法中所述遮蔽部的宽度，也可以在所述树脂层的厚度的1/4以下。(5)、在该半导体装置的制造方法中，还可以具有在所述凹部形成之后、所述布线形成之前，对包括所述树脂层的所述凹部的内壁在内的表面，进行粗糙面处理的工序。(6)、在该半导体装置的制造方法中，还可以具有在所述布线形成之后、所述半导体基板的切断之前，在所述树脂层上，形成至少覆盖所述布线的一部分的第2树脂层的工序。(7)、在该半导体装置的制造方法中，还可以包括在所述第2树脂层的表面，形成凹凸的工序。(8)、在该半导体装置的制造方法中，还可以包括在所述第2树脂层的表面，形成第3树脂层的工序。(9)、在该半导体装置的制造方法中，还可以包括在所述第3树脂层的表面，形成凹凸的工序。(10)、本专利技术涉及的半导体晶片，包括形成多个集成电路的半导体基板；在所述半导体基板上形成、表面形成多个凹部的树脂层；在所述树脂层上，通过至少一个所述凹部而形成的布线。将各个所述凹部的开口宽度，做成小于所述布线的厚度，且具有1μm以上的深度。采用本专利技术后，由于通过树脂层的凹部形成布线，所以能提高树脂层和布线的密接性。(11)、在该半导体晶片中，所述凹部的所述开口宽度，也可以在所述树脂层的厚度的1/4以下。(12)、在该半导体晶片中，所述凹部，也可以在所述树脂层的整个所述表面上形成。(13)、在该半导体晶片中，所述布线，具有设置外部端子的脊； 所述凹部，也可以至少在所述树脂层的所述脊下的区域形成。(14)、在该半导体晶片中，对包括所述树脂层的所述凹部的内壁在内的表面，可以进行粗糙面处理。(15)、在该半导体晶片中，将所述树脂层作为第1树脂层，还可以具有形成在所述第1树脂层上、至少覆盖所述布线的一部分的第2树脂层。(16)、在该半导体晶片中，可以在所述第2树脂层的表面，形成凹凸。(17)、在该半导体晶片中，还可以具有形成在所述第2树脂层上的第3树脂层。(18)、在该半导体晶片中，可以在所述第3树脂层的表面，形成凹凸。(19)、在该半导体晶片中，所述第3树脂层，可以用遮光性比所述第1及第2树脂层高的材料形成。(20)、本专利技术涉及的半导体装置，包括形成集成电路的半导体芯片；在所述半导体芯片上形成、表面形成多个凹部的树脂层；在所述树脂层上，通过至少一个所述凹部而形成的布线。将各个所述凹部的开口宽度，做成小于所述布线的厚度，且具有1μm以上的深度。采用本专利技术后，由于通过树脂层的凹部形成布线，所以能提高树脂层和布线的密接性。(21)、在该半导体装置中，所述凹部的所述开口宽度，可以在所述树脂层的厚度的1/4以下。(22)、在该半导体装置中，所述凹部，可以在所述树脂层的整个所述表面上形成。(23)、在该半导体装置中，所述布线，具有设置外部端子的脊；所述凹部，也可以至少在所述树脂层的所述脊下的区域形成。(24)、在该半导体装置中，对包括所述树脂层的所述凹部的内壁在内的表面，可以进行粗糙面处理。(25)、在该半导体装置中，将所述树脂层作为第1树脂层，还可以具有形成在所述第1树脂层上、至少覆盖所述布线的一部分的第2树脂层。(26)、在该半导体装置中，可以在所述第2树脂层的表面，形成凹凸。(27)、在该半导体装置中，还可以具有形成在所述第2树脂层的第3树脂层。(28)、在该半导体装置中，可以在所述第3树脂层的表面，形成凹凸。(29)、在该半导体装置中，所述第3树脂层，可以用遮光性比所述第1及第2树脂层高的材料形成。(30)、本专利技术涉及的电路基板，安装着上述半导体装置。(31)、本专利技术涉及的电子机器，具有上述半导体装置。附图说明图1是本专利技术的实施方式涉及的半导体装置的制造方法的说明图。图2是本专利技术的实施方式涉及的半导体装置的制造方法的说明图。图3(A)～图3(C)是凹部的开口形状的说明图。图4(A)～图4(C)是本专利技术的实施方式涉及的半导体装置的制造方法的说明图。图5(A)～图5(C)是本专利技术的实施方式涉及的半导体装置的制造方法的说明图。图6是本专利技术的实施方式涉及的半导体装置的制造方法的说明图。图7是本专利技术的实施方式涉及的半导体装置的说明图。图8是安装了本专利技术的实施方式涉及的半导体装置的电路基板的图形。图9是具有本实施方式涉及的半导体装置的电子机器的图形。图10是具有本实施方式涉及的半导体装置的电子机器的图形。具体实施例方式下面，参阅附图，讲述本专利技术的实施方式。本专利技术并不限于以下的实施方式。本专利技术可以适用于半导体装置的一种形态——CSP(ChipScale/Scale Package)。正如图1所示，在本实施方式中，使用半导体基板(例如半导体晶片)10。在半导体基板10上，形成有集成电路12。将半导体基板切断成为多个半导体芯片90(参阅图7)时，在半导体基板10上，形成多个集成电路12，每个半导体芯片90，都具有一个集成电路12。也可以在半导体基板10的表面，形成至少由一层构成的钝化膜14。钝化膜14，是电绝缘膜。钝化膜14，既可以仅用非树脂材料(例如SiO2或SiN)形成，也可以再在其上，形成由树脂(例如聚酰亚胺树脂)构成的膜。钝化膜14，不含导电性粒子。在半导体基板10上，形成有电极16。电极16，也可以是与集成电路12电连接的布线的一部分(端部)。钝化膜14，至少避开电极16的中央部位形成。钝化膜14，可以骑在电极16的端部上。在本实施方式中，在半导体基板上形成树脂层20。既可以在上涂敷树脂前驱体(前体)后形成，也可以通过旋涂方式，在半导体基板10上扩散树脂前驱体后形成。在本实施方式中，树脂层20，包括固化(聚合)之前及之后的所有状态。树脂层20，既可以做成多层，也可以做成1层。树脂层20，是电绝缘层。树脂层20，在固化(聚合)之后，还可以具有缓和应力的功能。树脂层20本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，包括：在形成有多个集成电路的半导体基板上，形成树脂层的工序；　　　　在所述树脂层的表面，形成多个凹部的工序；　　　　在所述树脂层上，形成至少通过一个所述凹部的布线的工序；以及　　　　将所述半导体基板，切断成多个半导体芯片的工序，　　　　将各个所述凹部的开口宽度，做成小于所述布线的厚度，且具有１μｍ以上的深度。

【技术特征摘要】
JP 2003-2-14 2003-0361431.一种半导体装置的制造方法，包括在形成有多个集成电路的半导体基板上，形成树脂层的工序；在所述树脂层的表面，形成多个凹部的工序；在所述树脂层上，形成至少通过一个所述凹部的布线的工序；以及将所述半导体基板，切断成多个半导体芯片的工序，将各个所述凹部的开口宽度，做成小于所述布线的厚度，且具有1μm以上的深度。2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，用感光性树脂前驱体，形成所述树脂层，所述凹部的形成工序，采取使用掩模的光刻蚀法进行，所述掩模，具有旨在对所述感光性树脂前驱体进行超过析像能力的微细图案的光照射的透过遮蔽图案。3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，所述感光性树脂前驱体，感光部分是不溶解性的负片型，所述透过遮蔽图案，包括宽度在所述布线厚度以下的遮蔽部。4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，所述遮蔽部的宽度，在所述树脂层的厚度的1/4以下。5.如权利要求1～4任一项所述的半导体装置的制造方法，还具有在所述凹部形成之后、所述布线形成之前，对包括所述树脂层的所述凹部的内壁在内的表面，进行粗糙面处理的工序。6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，还具有在所述布线形成之后、所述半导体基板的切断之前，在所述树脂层上，形成至少覆盖所述布线的一部分的第2树脂层的工序。7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，还包括在所述第2树脂层的表面，形成凹凸的工序。8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，还包括在所述第2树脂层的表面，形成第3树脂层的工序。9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，还包括在所述第3树脂层的表面，形成凹凸的工序。10.一种半导体晶片，包括形成有多个集成电路的半导体基板；在所述半导体基板上形成的、表面形成有多个凹部的树脂层；以及在所述树脂层上，至少通过一个所述凹部而形成的布线，将各个所述凹部的开口宽度，做成小于所述布线的厚度，且具有1μm以上的深度。11.如权利要求10所述的半导体晶片，所述凹部的所述开口宽度，在所述树脂层的厚度的1/4以下。12.如权利要求10或11所述的半导体晶片，所述凹部，在所述树脂层的整个所述表面上形成。13.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊东春树，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]