半导体装置及其制造方法、半导体晶片、电路基板及电子机器制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置及其制造方法、半导体晶片、电路基板及电子机器，其目的在于提高可靠性。在形成有多个集成电路（１２）的半导体基板（１０）上，形成树脂层（２０）。在树脂层（２０）的表面，形成多个凹部（２２）。在树脂层（２０）上，形成通过至少一个凹部（２２）的布线（４０）。将半导体基板（１０），切断成多个半导体芯片。将它们各自的凹部（２２），做成：其开口宽度小于布线（４０）的厚度，深度则在１μｍ以上。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置及其制造方法、半导体晶片、电路基板及电子机器。
技术介绍
近年来，在晶片级制造的所谓晶片级CSP(Chip Scale/size Package)受到关注。晶片级CSP，是在半导体晶片上形成树脂层，再在树脂层上形成布线，然后将半导体晶片切割成多个半导体装置。在这里，树脂层和布线的密接性(紧密接触的能力)，在提高产品的可靠性方面，十分重要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，在半导体装置及其制造方法、半导体晶片、电路基板及电子机器中，提高可靠性。(1)、本专利技术涉及的半导体装置的制造方法，包括在形成多个集成电路的半导体基板上，形成树脂层的工序；在所述树脂层的表面，形成多个凹部的工序；在所述树脂层上，形成通过至少一个所述凹部的布线的工序；以及，将所述半导体基板，切断成多个半导体芯片的工序；将各个所述凹部的开口宽度做成小于所述布线的厚度，且具有1μm以上的深度。采用本专利技术后，由于通过树脂层的凹部形成布线，所以能提高树脂层和布线的密接性。(2)、在该半导体装置的制造方法中用感光性树脂前驱体，形成所述树脂层；所述凹部的形成工序，采取使用掩模的光刻蚀法进行；所述掩本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，包括：在形成有多个集成电路的半导体基板上，形成树脂层的工序；　　　　在所述树脂层的表面，形成多个凹部的工序；　　　　在所述树脂层上，形成至少通过一个所述凹部的布线的工序；以及　　　　将所述半导体基板，切断成多个半导体芯片的工序，　　　　将各个所述凹部的开口宽度，做成小于所述布线的厚度，且具有１μｍ以上的深度。

【技术特征摘要】
JP 2003-2-14 2003-0361431.一种半导体装置的制造方法，包括在形成有多个集成电路的半导体基板上，形成树脂层的工序；在所述树脂层的表面，形成多个凹部的工序；在所述树脂层上，形成至少通过一个所述凹部的布线的工序；以及将所述半导体基板，切断成多个半导体芯片的工序，将各个所述凹部的开口宽度，做成小于所述布线的厚度，且具有1μm以上的深度。2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，用感光性树脂前驱体，形成所述树脂层，所述凹部的形成工序，采取使用掩模的光刻蚀法进行，所述掩模，具有旨在对所述感光性树脂前驱体进行超过析像能力的微细图案的光照射的透过遮蔽图案。3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，所述感光性树脂前驱体，感光部分是不溶解性的负片型，所述透过遮蔽图案，包括宽度在所述布线厚度以下的遮蔽部。4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，所述遮蔽部的宽度，在所述树脂层的厚度的1/4以下。5.如权利要求1～4任一项所述的半导体装置的制造方法，还具有在所述凹部形成之后、所述布线形成之前，对包括所述树脂层的所述凹部的内壁在内的表面，进行粗糙面处理的工序。6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，还具有在所述布线形成之后、所述半导体基板的切断之前，在所述树脂层上，形成至少覆盖所述布线的一部分的第2树脂层的工序。7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，还包括在所述第2树脂层的表面，形成凹凸的工序。8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，还包括在所述第2树脂层的表面，形成第3树脂层的工序。9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，还包括在所述第3树脂层的表面，形成凹凸的工序。10.一种半导体晶片，包括形成有多个集成电路的半导体基板；在所述半导体基板上形成的、表面形成有多个凹部的树脂层；以及在所述树脂层上，至少通过一个所述凹部而形成的布线，将各个所述凹部的开口宽度，做成小于所述布线的厚度，且具有1μm以上的深度。11.如权利要求10所述的半导体晶片，所述凹部的所述开口宽度，在所述树脂层的厚度的1/4以下。12.如权利要求10或11所述的半导体晶片，所述凹部，在所述树脂层的整个所述表面上形成。13.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊东春树，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]