【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及半导体处理系统,特别涉及具有处理室和热源组件的半导体处理系统。在半导体芯片制造中采用快速热处理(RTP)系统以产生、化学改变或刻蚀半导体晶片上的表面结构。一种如在美国专利US5155336中介绍的这样的RTP系统包括半导体处理室和位于该半导体处理室上的灯头(lamphead)或热源组件。该半导体处理室可以配有减压(RP)适配器板以用于低压操作。该RP适配器板包括下部石英窗口、上部石英窗口以及夹在下部和上部石英窗口之间的增强部件。该增强部件可由不锈钢制成并包括两个间隔板和一个环绕环,它们共同地确定封闭体积。多个管焊接到板中的通孔以形成光通道。若干热辐射源(如灯)设置在灯头中。灯通过布线环供电,布线环通过大功率电缆连接到电源控制器。布线环包括多端板到灯的布线以及灯到灯的互连线。布线环和灯头电缆的组装和测试可能很昂贵和耗时。在处理期间,来自灯的辐射通过上部窗口、光通道和下部窗口照射到处理室内的晶片上。通过这种方式,将晶片加热到所需的处理温度。在处理期间处理室内的压力可以为次大气压。处理室内的减压导致下部窗口的下表面上的负压。由板和环绕环限定的封闭容积内的压力可以减小到低于或接近于处理室内压力的压力,以便防止下部窗口的倒塌。为此,一排气口延伸穿过环绕环并连接到泵以减小由间隔板和和环限定的封闭容积内的压力。专利技术概述一般地说,本专利技术涉及半导体处理系统。在一个方案中,本专利技术的特征在于具有上表面和下表面的辐射能量源的组件。一窗口与所述组件的下表面形成密封,而一印刷电路板结构与所述组件的上表面形成密封。该印刷电路板结构被配置为向辐射能量源 ...
【技术保护点】
一种半导体处理系统,包括: 具有上表面和下表面的辐射能量源的组件; 与该组件的下表面形成密封的窗口;和 与该组件的上表面形成密封并构成为向该辐射能量源分配功率的印刷电路板结构; 其中该窗口和该印刷电路板结构形成包括所述组件的可抽真空的包封。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2000-11-9 09/710,5181.一种半导体处理系统,包括具有上表面和下表面的辐射能量源的组件;与该组件的下表面形成密封的窗口;和与该组件的上表面形成密封并构成为向该辐射能量源分配功率的印刷电路板结构;其中该窗口和该印刷电路板结构形成包括所述组件的可抽真空的包封。2.根据权利要求1的系统,还包括设置在该印刷电路板结构和该组件的上表面之间的基板;且其中所述的窗口、基板和印刷电路板结构形成包括所述组件的可抽真空的包封。3.根据权利要求2的系统,还包括将该印刷电路板结构固定到该基板上的夹紧环。4.根据权利要求3的系统,还包括用于保持所述包封的真空完整性的多个O形圈。5.根据权利要求1的系统,其中该印刷电路板结构包括真空屏障层。6.根据权利要求5的系统,其中该印刷电路板结构还包括具有导电迹线和向该辐射能量源分配功率的插孔的基底印刷电路板层。7.根据权利要求6的系统,还包括设置在该组件的上表面和该基底印刷电路板层之间的电绝缘层。8.根据权利要求6的系统,其中该印刷电路板结构还包括插座层,该插座层具有构成为用以容纳该辐射能量源的多个插孔。9.根据权利要求8的系统,其中每个该辐射能量源包括被容纳在所述插座层的插孔之一内的柔性基座。10.一种在半导体处理中使用的系统,包括辐射能量源的组件,其位于具有上表面和下表面的外壳内;形成与该外壳的上表面的密封并构成为向该辐射能量源分配功率的印刷电路板结构;形成与该外壳的下表面的密封的窗口;和形成带有印刷电路板结构的密封的盖;其中所述外壳、窗口、印刷电路板结构和盖形成可抽真空的包封,其封闭了该辐射能量源和一部分所述印刷电路板结构。11.根据权利要求10的系统,还包括位于该盖和该印刷电路板结构之间的O形圈密封。12.一种在半导体处理中使用的系统,包括辐射能量源的组件,其位于具有上表面和下表面的外壳内;形成与该外壳的上表面的密封并构成为向该辐射能量源分配功率的印刷电路板;形成与该外壳的下表面的密封的窗口;且其中所述外壳、窗口和印刷电路板形成可抽真空的包封。13.根据权利要求12的系统,还包括插座层,该插座层具有构成为用以容纳该辐射能量源的多个插孔。14.根据权利要求13的系统,其中每个该辐射能量源包括具有多个电连接器的柔性基座,其中该电连接器构成为可从所述印刷电路板接收功率。15.根据权利要求14的系统,其中每个该电连接器设置在该柔性基座的插头中,并且每个插座层插孔构成为容纳该插头之一,以便防止产生电弧。...
【专利技术属性】
技术研发人员:RC博厄斯,PJ斯特法斯,
申请(专利权)人:应用材料有限公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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