本发明一般地涉及通过沉积阻挡层、在阻挡层上沉积籽层和在籽层上沉积导电层来填充特征。在一个实施方式中，籽层包括沉积在阻挡层上的铜合金籽层。例如，铜合金籽层可以包括铜和金属，如铝、镁、钛、锆、锡及其组合。在另一个实施方式中，籽层包括沉积在阻...

本发明提供一种利用空间分布经修改(spatially?modified)的等离子体蚀刻衬底的方法和设备。在一个实施例中，该方法包括提供在衬底支承底座上方配置有等离子体稳定器的处理腔室。衬底被放置到底座上。处理气体被引入处理腔室，而等离子...

本发明公开了一种基底制造装置，其包括一个制造腔室，此制造腔室具有一个基底支座、一个气体配管、一个气体增能器、一个气体排出口。此装置亦具有一个制造监测器，是用来监测基底的第一区域上的图案，并产生一个第一信号，还用来监测基底的第二区域上的图...

一般地，提供用于在加工系统中传送衬底的机械手。在一个实施方式中，用于在加工系统中传送衬底的机械手包括主体、连杆和末端执行器（适于保持衬底于其上）。连杆将末端执行器与主体连接在一起。末端执行器和／或连杆由热膨胀系数小于大约５×１０↑［－６...

一种用于太阳能板的接线盒，包括壳体、盖、第一连接器和第二连接器。所述壳体包括限定内部空间的侧壁和顶壁。所述第一联结器包括第一接触元件而所述第二联结器包括第二接触元件。所述接触元件穿透所述侧壁中的至少一个，从而所述接触元件提供从外接触元件...

本发明提供了一种用于从衬底表面上去除天然氧化物的方法和装置。一方面，该腔包括一个腔体和一个至少部分布置在腔体内并适合在其上支撑衬底的支撑装置。该支撑装置包括至少部分在其中形成并能冷却衬底的一个或多个流体通道。该腔进一步包括布置在腔体上表...

本发明提供了一种用于从衬底表面上去除天然氧化物的方法和装置。一方面，该腔包括一个腔体和一个至少部分布置在腔体内并适合在其上支撑衬底的支撑装置。该支撑装置包括至少部分在其中形成并能冷却衬底的一个或多个流体通道。该腔进一步包括布置在腔体上表...

公开一种磁控管溅射反应器（４１０）及其使用方法，其中促进ＳＩＰ溅射和ＩＣＰ溅射。公开在另一室（４１２）中，沿着磁控管溅射反应器从靶朝向晶片一侧上的侧壁（４１４）定位的辅助磁体阵列。磁控管（４３６）优选为具有包围第二磁极性的较弱内部磁极（...

本发明涉及定位基底（１４０）以及为了用具有光轴或相应设备的检验装置检验而接触检验对象（３０１）的方法。从而，基底被放置在支撑台（１３０）上。相对于光轴定位基底。接触单元（１５０）也相对于光轴被定位，其中接触单元的定位与基底的定位操作无关...

本发明提供一种形成氮化硅膜的方法。根据本发明，通过对含硅／氮源气体或者含硅源气体和含氮源气体进行热分解来在低沉积温度（例如小于５５０℃）下沉积氮化硅膜，以形成氮化硅膜。然后利用氢自由基对热沉积的氮化硅膜进行处理以形成处理后的氮化硅膜。

本发明描述了形成氮化硅层的方法。根据本发明，通过在低沉积温度下（例如，小于５５０℃）热分解含硅／氮源气体，或含硅源气体和含氮源气体形成氮化硅层。该热沉积氮化硅层然后用氢自由基处理，以形成处理过的氮化硅层。

本发明公开了一种基底制程装置，其包括一个制程腔室，此制程腔室具有一个基底支座、一个气体配管、一个气体增能器、一个气体排出口。此装置亦具有一个制程监测器，是用来监测基底的第一区域上的图案，并产生一个第一信号，还用来监测基底的第二区域上的图...

一种用于电镀操作的浸没衬底的方法和装置。所述装置一般包括其中包含电镀液的电镀槽。所述电镀槽包括至少一个液体池，设置在所述至少一个液体池的下部中的扩散板，和设置在所述扩散板之下的阳极，所述扩散板和所述阳极相互平行且处于相对于水平方向倾斜的...

一种装置设计用来限制电浆在电浆制程腔体中之一处理区域。在一实施例中，此装置包括一环（Ｒｉｎｇ）具有一挡板界定多数个狭长孔与多数个指状物。每一狭长孔具有一宽度小于在处理区域中之电浆鞘（Ｐｌａｓｍａ　Ｓｈｅａｔｈ）之厚度。

本发明公开了一种产生与控制在使用双频射频源的半导体基底处理腔体中的等离子体的方法与设备。本方法包括，例如在一第一频率下，由射频源提供一第一射频信号至制程腔体内的一电极的步骤，以及在一第二频率下，由射频源提供一第二射频信号到制程腔体内的电...

本发明提供一种处理半导体基板的方法与装置。一种等离子体反应装置具有由数个射频功率来源驱动的电容式电极，且电极电容在所需等离子体密度与射频功率频率上与等离子体的负电容相匹配，以提供一电极等离子体共振支持宽制程窗，以于其中维持等离子体。

本发明提供一种在使用双重频率射频电源的半导体基底制程腔体中，用于等离子体特性的控制的方法与设备。该方法包括，例如提供一第一射频信号到配置在一制程腔体中的一第一电极，以及提供一第二射频信号到该第一电极，其中介于第一与第二射频信号的一互动，...

本发明是有关于一种电浆腔室及在此电浆腔室中处理基底的方法。其提供一种蚀刻或化学气相沉积电浆制程和装置，其可藉由传送至电浆制程腔室中的多个电浆控制器件的电源的脉冲调变，而在基底的表面上产生均匀的电浆。在电浆制程腔室中所产生及／或维持的电浆...

本发明提供一种利用空间分布经修改（ｓｐａｔｉａｌｌｙ　　ｍｏｄｉｆｉｅｄ）的等离子体蚀刻衬底的方法和设备。在一个实施例中，该方法包括提供在衬底支承底座上方配置有等离子体稳定器的处理腔室。衬底被放置到底座上。处理气体被引入处理腔室，而等离...

本发明提供一种在使用双重频率射频电源的半导体基底制程腔体中，用于等离子体特性的控制的方法与设备。该方法包括，例如提供一第一射频信号到配置在一制程腔体中的一第一电极，以及提供一第二射频信号到该第一电极，其中介于第一与第二射频信号的一互动，...