一种调节抛光垫的平整表面的方法，设备和介质包括：在具有抛光垫（１０８０）和调节盘（１０３０）的化学机械抛光（ＣＭＰ）设备（１００）中安放待抛光晶片；在第一套垫调节参数下抛光该晶片，选择该套参数是为将晶片材料去除速率保持在预选的最小和最大...

一种具有抛光层（２２）的抛光衬垫，该抛光层有抛光面（２４）和底面。抛光面上形成有多条沟槽（２８ｂ），且在抛光层的底面上形成有凹槽（５２）。在抛光面上对应于底面中的凹槽的区域没有沟槽或有浅沟槽（２８ａ）。

本发明提供了一种循环使用的抛光垫整修器，其包括基板和从其原结构位置翻转的研磨盘。翻转的研磨盘包括一暴露的研磨面，该研磨盘包括含有研磨颗粒的一未用过的研磨表面。研磨盘的结合面固定到基板上，结合面包括曾被用来整修抛光垫的用过的研磨面。本发明...

所述热处理装置包括台座（２１６）、连续波（ｃｗ）电磁辐射源（２０２）、系列透镜（２１０）、平移机械装置（２１８）和控制器（２２６）。台座（２１６）被配置成用以安放衬底（２１４）。连续波电磁辐射源（２０２）被置于台座（２１６）附近，且被配...

一种用于从半导体生产过程排出的流出物流中脱除至少一种有毒气体组分或其副产物的装置，该装置包括：　　　　第一吸附床材料，对于所述至少一种有毒气体组分来说，该材料具有高容量吸附亲和力；　　　　第二分立的吸附床材料，对于所述至少一种有毒气体组...