第一方面，提供相对于移动传送机来校准基片载体载入器的第一种方法。第一种方法包括步骤：（１）提供适于将基片载体装到移动传送机上的基片载体载入器；（２）将基片载体载入器与移动传送机对准；（３）相对于移动传送机校准基片载体载入器。提供多个另外...

本发明实施例一般提供了一种小容量电化学电镀槽。电镀槽一般包括一个用来容纳电镀液的液池，此液池具有一个大致水平的堰。电镀槽还包括一个位于液池底部的阳极，此阳极具有多条贯穿形成的平行沟槽；和用于放置阳极的底部部件，且底部部件在放置阳极的表面...

本发明公开一种用反馈控制机理控制半导体制造工具的系统、方法和介质。该反馈控制机理包括用于接收关于工具输出的数据点的特征。数据点包括当前数据点和至少一个先前数据点。该反馈控制机理也包括基于是否至少一个先前数据点是异常值，用于通过比较当前数...

本发明提出一种方法和装置，用于在生产界面中保护基片免于损坏。在一实施例中，在生产界面中防止基片损坏的方法包括以下步骤：获取可能导致基片损坏的信息；根据获取的信息，自动保护基片，使其不会移出基片储存盒。其中所获取的信息可以是一地震预警信号...

提供了一种管理小批次在电子设备制造设施中的处理工具之间移动的方法和设备。在一些实施例中，确定多个将处理的优先批次并且在处理工具的衬底装载站保留相等数目的载体存储位置。通过处理并且从衬底装载站提升占据的非优先批次和／或移动未处理的占据的非...

一种方法，其包括把一种物质引入一个包含半导体材料的衬底，并将线性聚焦的电磁辐射平移跨过所述衬底的表面，电磁辐射足以热影响所述物质。一种装置，其包括一个电磁辐射源；一个台架，该台架的尺寸适合在处理腔内安放半导体衬底；一个放置在所述电磁辐射...

一种静电夹盘，其在支撑衬底的表面上具有一个共形或非共形的涂层。所述涂层减少了由静电夹盘所生成的微粒数量。

在第一方面，一种适合用晶片载体传送系统交换晶片载体的晶片装载装置包括适合一发生意外事件例如电源故障或紧急停机就促使晶片装载装置的末端执行器远离晶片载体传送系统的移动式传送机的偏置元件。在第二方面，一发生意外事件，不间断电源就命令控制器使...

本发明在第一方面，提供一设备用于打开基片载体的基片载体门。该设备包括一支撑构件，该支撑构件适合于（１）在装卸口处支撑该基片载体门；（２）允许该门从基片载体上移开；和（３）将已经移开的门枢转到基片载体的底部表面下方。还提供了数个其他方面。

第一方面，提供一种自动开门器，包括（１）适合于支撑衬底托架的平台；（２）适合于在衬底托架由平台支撑时开启衬底托架的门的开门机构；及（３）管道。管道适于从清洁室壁上的开口延伸到平台且至少部分地围绕平台。管道进一步适于将来自于清洁室壁的气流...

一方面，一种用于处理工具的衬底装载台包括多个装载端口。每个装载端口皆被操作地连接到处理工具，且具有一个用来打开衬底承载器的机构。承载器装卸装置将衬底承载器从生产交换位置传送到装载端口，而不会将承载器放置在除了装载端口外的任何承载器支撑位...

提供一种载体处理器可适合（１）在载体到达载体处理器管区之前接收载体转送命令；（２）接收终止命令，其导致在前命令被取消或中止而不依赖于在前命令的状态；（３）选择无序执行的排队命令以利用所述选择的命令和／或根据执行命令所需的预计时间利用适合...

一种在处理系统中给衬底提供电偏置的装置，包括：　　　　一个导电环形体，其限定中央开口，具有适合接收衬底的衬底支持面；　　　　多个电触点，其形成在所述衬底支持面上以接合所述衬底的电镀表面；和　　　　多个突起，其形成在所述导电环形体的一个表...

一种加工被置于有电源的基片加工腔室中的基片的方法，其包括把基片送入基片加工腔室。通过暴露该基片于一等离子体并使该等离子体偏向所述基片而在所述基片上蚀刻一个沟槽，该等离子体是通过从电源系统施加ＲＦ能量由第一蚀刻剂气体形成。不施加偏置功率或...

本发明涉及清洗和翻新处理腔室部件。此部件拥有具有表面涂覆层的结构，此表面涂覆层具有第一层。为了翻新部件，在此结构中去除第一层以形成暴露表面。在去除涂覆层期间或之后，用清洗液清洗暴露表面，其时清洗液在暴露表面上沉积清洗剩余物。在基本上无氧...

本发明公开了一种用于制造场效应晶体管门极结构的工艺整合的方法和设备，该方法包括装配一整合基板加工系统（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　　ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　　ｓｙｓｔｅｍ），该系统包括一测量模块和一真空加工平台，以完成受控...

一种加工衬底的方法，包括：　　　　加热衬底至５５０℃或更低的温度；　　　　热分解含硅和氮源气体，或含硅源气体和含氮源气体，以在所述衬底表面上沉积氮化硅层；　　　　将所述氮化硅层暴露于氢自由基。

在第一方面中，本发明提供了一种小批量光刻台。该小批量光刻台包括：（１）多个光刻工具；及（２）适于将小批量衬底载体传送到光刻工具的小批量传输系统。每个小批量衬底载体适于保持少于１３块衬底。本发明还提供许多其他方面。

一种形成氮化硅膜的方法，包括：　　　　将衬底加热到５５０℃或更低的温度；　　　　在将所述衬底加热到５５０℃或更低温度的同时，对含硅／氮源气体或者含硅源气体和含氮源气体进行热分解，从而在所述衬底上形成氮化硅膜；并且　　　　利用氢自由基来处...

一种用于加热基片的设备和控制加热基片的基座温度的方法，该设备包括：适合支撑基片的基座；第一和第二加热元件，所述第一和第二加热元件被分别设置，以加热所述基座的第一和第二部分，其中所述基座的所述第二部分放射状地位于所述基座的所述第一部分之外...