用于加热基片的设备和控制加热基片的基座温度的方法技术

一种用于加热基片的设备和控制加热基片的基座温度的方法，该设备包括：适合支撑基片的基座；第一和第二加热元件，所述第一和第二加热元件被分别设置，以加热所述基座的第一和第二部分，其中所述基座的所述第二部分放射状地位于所述基座的所述第一部分之外；产生第一温度读数的第一热电偶；产生第二温度读数的第二热电偶；和加热器控制器，其被连接用以给所述第一加热元件提供第一电流并且给所述第二加热元件提供第二电流，其中所述加热器控制器响应所述温度读数控制这些电流；其中所述第二热电偶被耦合到所述基座的第三部分，所述第三部分位于所述第一和第二部分之间；及其中所述第一热电偶被耦合到所述基座的第四部分，该部分放射状地位于所述基座的所述第三部分之内。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般关于薄膜沉积工艺，特别是关于控制该工艺以提高沉积在大表面积应用上的薄膜的厚度均匀性。
技术介绍
在半导体和LCD器件的生产中，为了在工件整体上获得良好性能和可行部件，薄膜均匀性(即，整个膜厚度基本不变)是重要标准。基座是一个机械部件，其将基片固定在用于在诸如化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或物理气相沉积(PVD)的制造步骤的处理室中。基座包括固定在芯柱(stem)上的基片固定板(substrate mounting plate)，以及用于在处理室内升高和降低基片的升降组件(lift assmbly)。加热基片固定板以利于制造工艺。一般，加热元件设置在固定板内。由CVD方法沉积的大多数膜用源材料在处理室中沉积，在该处理室中输入几种能量(例如，等离子体、热、微波)类型的至少一种以促进沉积工艺。当然，源材料取决于要沉积层的种类，例如，其可以包括诸如SiH4、H2、N2、NH3、PH3、CH4、Si2H6和O2的气态材料，和/或可以包括金属离子和像TEOS的有机硅酸盐组分的液体源材料。膜在它们沉积时对温度条件极其敏感，尤其是用有机硅酸盐液体源沉本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于加热基片的设备，包括：　　　　适合支撑基片的基座；　　　　第一和第二加热元件，所述第一和第二加热元件被分别设置，以加热所述基座的第一和第二部分，其中所述基座的所述第二部分放射状地位于所述基座的所述第一部分之外；　　　　产生第一温度读数的第一热电偶；　　　　产生第二温度读数的第二热电偶；和　　　　加热器控制器，其被连接用以给所述第一加热元件提供第一电流并且给所述第二加热元件提供第二电流，其中所述加热器控制器响应所述温度读数控制这些电流；　　　　其中所述第二热电偶被耦合到所述基座的第三部分，所述第三部分位于所述第一和第二部分之间；及　　　　其中所述第一热电偶被耦合到所述基座的第四部分，该部...

【技术特征摘要】
US 2001-8-23 09/938,4351.一种用于加热基片的设备，包括适合支撑基片的基座；第一和第二加热元件，所述第一和第二加热元件被分别设置，以加热所述基座的第一和第二部分，其中所述基座的所述第二部分放射状地位于所述基座的所述第一部分之外；产生第一温度读数的第一热电偶；产生第二温度读数的第二热电偶；和加热器控制器，其被连接用以给所述第一加热元件提供第一电流并且给所述第二加热元件提供第二电流，其中所述加热器控制器响应所述温度读数控制这些电流；其中所述第二热电偶被耦合到所述基座的第三部分，所述第三部分位于所述第一和第二部分之间；及其中所述第一热电偶被耦合到所述基座的第四部分，该部分放射状地位于所述基座的所述第三部分之内。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述基座的所述第四部分放射状地位于所述基座的所述第一部分之内。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述基座的所述第二部分与所述基座的周边相邻。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述加热器控制器控制所述电流，以使所述第二热电偶的所述温度读数高于所述第一热电偶的所述温度读...

【专利技术属性】
技术研发人员：TK阮，T竹原，WR哈什巴杰，
申请(专利权)人：应用材料有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]