光量检测电路制造技术

本发明专利技术提供一种光量检测电路。薄膜晶体管的光传感器的光量非常微小，要反馈很困难。本发明专利技术在薄膜晶体管的光传感器附加使输出电流转换为电压的检测电路。借此使微小的电流转变为可反馈的在所要求范围的电压。此外，电路可由三个ＴＦＴ及一个电容，或由二个ＴＦＴ和一个电容、一个电阻构成，因此可减少组件数量。另外，动作也仅由Ｈ位准的脉冲输入，即可实现良好、简易的光量检测电路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于光传感器(photosensor)的光量检测电路，特别是关于使用薄膜晶体管的光传感器的光量检测电路。
技术介绍
现在的显示装置系因应市场要求的小型化、轻量化、薄型化而普遍使用平面面板显示器(flat panel display)。这种显示装置系例如检测外部光线以控制显示器画面的亮度者等，而有装设光传感器者也很多。例如图10系在液晶显示器(LCD)305安装光传感器306，依照受光的周围的光控制LCD显示面的背光亮度的显示装置。作为该光传感器有如使用Cds电池的光电转换组件(例如参照专利文献1)。此外，也已知有LCD或有机EL显示器与在同一基板上设置半导体层形成光二极管(例如参照专利文献2)使薄膜晶体管作为光传感器利用的技术(例如参照专利文献3)。日本特开平6-11713号公报[专利文献2]日本特开2002-176162号公报[专利文献3]日本特开2003-37261号公报
技术实现思路
(专利技术所欲解决的问题)如图10的显示器系将显示部与光传感器以不同的生产设备经由不同的制造步骤制造不同的模块，对于机器组件数量的减少、各模块组件的制造成本的降低都有限。因此，已有将显示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光量检测电路，所述光量检测电路具有：由在基板上叠层栅极电极、绝缘膜及半导体层，以及设置于该半导体层的沟道与设置于该沟道两侧的源极及漏极的薄膜晶体管构成，而将所接受的光转变为电信号的光传感器；第１开关晶体管；第２开关晶体管；电阻器；以及电容，在高电位的第１电源端子及低电位的第２电源端子之间串联连接前述第１开关晶体管和前述光传感器，在前述第１电源端子及前述第２电源端子之间串联连接前述第２开关晶体管和前述电阻器，前述电容的一端是通过第１连接点与前述第２开 关晶体管的控制端子连接，另一端则与前述第１电源端子或第２电源端子连接，使前述第１开关晶体管导通以...

【技术特征摘要】
JP 2004-7-12 2004-2052551.一种光量检测电路，所述光量检测电路具有由在基板上叠层栅极电极、绝缘膜及半导体层，以及设置于该半导体层的沟道与设置于该沟道两侧的源极及漏极的薄膜晶体管构成，而将所接受的光转变为电信号的光传感器；第1开关晶体管；第2开关晶体管；电阻器；以及电容，在高电位的第1电源端子及低电位的第2电源端子之间串联连接前述第1开关晶体管和前述光传感器，在前述第1电源端子及前述第2电源端子之间串联连接前述第2开关晶体管和前述电阻器，前述电容的一端是通过第1连接点与前述第2开关晶体管的控制端子连接，另一端则与前述第1电源端子或第2电源端子连接，使前述第1开关晶体管导通以使前述第1连接点的电位在前述电源端子的任一个电位充电，使前述第1开关晶体管不导通，藉由来自前述光传感器的放电使前述第1连接点的电位变动，藉由前述第1连接点的电位使前述第2开关晶体管导通或不导通，而从该第2开关晶体管及前述电阻的第2连接点检测输出电压。2.根据权利要求1所述的光量检测电路，其中，前述第2开关晶体管为连接于前述第1电源端子侧的情形为p沟道型晶体管，连接于...

【专利技术属性】
技术研发人员：小川隆司，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]