一种高稳定性光耦合触摸开关制造技术

本发明专利技术公开了一种高稳定性光耦合触摸开关，其特征在于，主要由光耦合芯片U1，电流开关芯片U3等组成。本发明专利技术只需通过人体触摸不同的触摸片即可打开或关闭照明灯，与传统的机械开关相比，本发明专利技术没有机械磨损，使用寿命更长，有效的解决了使用机械开关因机械磨损容易损坏的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种触摸开关，具体是指一种高稳定性光耦合触摸开关。
技术介绍
目前家用的照明灯通常采用机械开关来控制，通过控制机械开关的导通和闭合来控制照明灯的电源导通和截止。然而机械开关在使用的过程中，由于反复操作其存在很大的机械磨损，非常容易损坏，给人们带来很大的麻烦。为了解决上述问题，目前市面上出现了触摸式开关，人体通过触摸触摸式开关即可控制照明灯的开、关。触摸式开关不存在机械磨损，其寿命较机械开关长很多。然而目前所使用的触摸式开关还是存在较大的缺陷，即其稳定性较低，无法满足人们的需求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服目前所使用的触摸式开关的稳定性较低的缺陷，提供一种高稳定性光耦合触摸开关。本专利技术的目的通过下述技术方案实现：一种高稳定性光耦合触摸开关，主要由光耦合芯片U1，稳压芯片U2，电流开关芯片U3，场效应管MOS，触摸片M1，触摸片M2，一端与触摸片M1相连接、另一端与光耦合芯片U1的BASE管脚相连接的电阻R1，正极与光耦合芯片U1的BASE管脚相连接、负极接地的电容C1，一端与触摸片M2相连接、另一端与场效应管MOS的栅极相连接的电阻R2，正极与场效应管MOS的栅极相连接、负极接地的电容C2，串接在光耦合芯片U1的AN管脚和场效应管MOS的源极之间的电阻R3，正极与光耦合芯片U1的AN管脚相连接、负极与光耦合芯片U1的CAT管脚相连接的电容C3，正极经电阻R5后与光耦合芯片U1的EMIT管脚相连接、负极与电容C3的负极相连接的同时接地的电容C5，与电容C5相并联的电阻R6，正极与场效应管MOS的漏极相连接、负极与电容C5的正极相连接的电容C4，串接在光耦合芯片U1的COLL管脚和电流开关芯片U3的IN管脚之间的电阻R4，P极与稳压芯片U2的IN管脚相连接、N极与稳压芯片U2的OUT管脚相连接的二极管D1，正极与二极管D1的P极相连接、负极与电容C5的负极相连接的电容C6，正极与稳压芯片U2的ADJ管脚相连接、负极与电容C6的负极相连接的电容C7，串接在电容C7的负极和稳压芯片U2的OUT管脚之间的电阻R7，N极与二极管D1的N极相连接、P极与电容C7的正极相连接的二极管D2，串接在电流开关芯片U3的GND管脚和电容C5的负极之间的电阻R8，以及一端与电流开关芯片U3的OUT1管脚相连接、另一端则与电容C5的负极共同形成输出端的电阻R9组成；所述电流开关芯片U3的IN管脚接+6V电压，其OUT1管脚和其OUT2管脚相连接；所述稳压芯片U2的OUT管脚与电流开关芯片U3的EN管脚相连接、其IN管脚与光耦合芯片U1的EMIT管脚相连接。所述光耦合芯片U1为TIL113集成芯片，所述稳压芯片U2为LM317型稳压芯片，所述电流开关芯片U3为TWH8778集成芯片。所述场效应管MOS为3DJ6结型场效应管。本专利技术较现有技术相比，具有以下优点及有益效果：本专利技术只需通过人体触摸不同的触摸片即可打开或关闭照明灯，与传统的机械开关相比，本专利技术没有机械磨损，使用寿命更长，有效的解决了使用机械开关因机械磨损容易损坏的问题。本专利技术还可以对输出的电压信号进行处理，使电压信号更加稳定，避免电压波动而使本专利技术出现误动作。附图说明图1为本专利技术的整体电路结构图。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步地详细说明，但本专利技术的实施方式并不限于此。实施例如图1所示，本专利技术主要由光耦合芯片U1，稳压芯片U2，电流开关芯片U3，场效应管MOS，触摸片M1，触摸片M2，电阻R1，电阻R2，电阻R3，电阻R4，电阻R5，电阻R6，电阻R7，电阻R8，电阻R9，电容C1，电容C2，电容C3，电容C4，电容C5，电容C6，电容C7，二极管D1以及二极管D2组成。其中，电阻R1和电容C1组成第一RC滤波器；该电阻R1的一端与触摸片M1相连接，另一端与光耦合芯片U1的BASE管脚相连接；电容C1的正极与光耦合芯片U1的BASE管脚相连接，负极接地。电阻R2和电容C2组成第二RC滤波器；该电阻R2的一端与触摸片M2相连接，另一端与场效应管MOS的栅极相连接；电容C2的正极与场效应管MOS的栅极相连接，负极接地。该第一RC滤波电路和第二RC滤波电路可以对干扰信号进行过滤，该电阻R1和电阻R2的阻值均为1KΩ，电容C1和电容C2的容值则均为0.47μF，该触摸片M1和触摸片M2均为导电性良好的金属片，通过触摸触摸片来控制照明灯的开关已是现有的技术，因此触摸片的形状、设置方式等在此不做过多的赘述。另外该电阻R3串接在光耦合芯片U1的AN管脚和场效应管MOS的源极之间。该电容C3为充电电容，其正极与光耦合芯片U1的AN管脚相连接，负极与光耦合芯片U1的CAT管脚相连接，该电容C3的容值为47μF。该电阻R3的阻值为350KΩ。该电容C5的正极经电阻R5后与光耦合芯片U1的EMIT管脚相连接，负极与电容C3的负极相连接的同时接地。电阻R6与电容C5相并联。电容C4的正极与场效应管MOS的漏极相连接，负极与电容C5的正极相连接。该电阻R5和电阻R6起分压作用其阻值均为5KΩ，电容C4和电容C5的容值均为0.1μF。电阻R4串接在光耦合芯片U1的COLL管脚和电流开关芯片U3的IN管脚之间。二极管D1的P极与稳压芯片U2的IN管脚相连接，N极与稳压芯片U2的OUT管脚相连接。电容C6的正极与二极管D1的P极相连接，负极与电容C5的负极相连接。电容C7的正极与稳压芯片U2的ADJ管脚相连接，负极与电容C6的负极相连接。电阻R7串接在电容C7的负极和稳压芯片U2的OUT管脚之间。二极管D2的N极与二极管D1的N极相连接，P极与电容C7的正极相连接。电阻R8串接在电流开关芯片U3的GND管脚和电容C5的负极之间。电阻R9的一端与电流开关芯片U3的OUT1管脚相连接，其另一端则与电容C5的负极共同形成输出端并与照明灯相连接。所述电流开关芯片U3的IN管脚接+6V电压，其OUT1管脚和其OUT2管脚相连接。所述稳压芯片U2的OUT管脚与电流开关芯片U3的EN管脚相连接、其IN管脚与光耦合芯片U1的EMIT管脚相连接。该稳压芯片U2，二极管D1，二极管D2，电阻R7，电容C6以及电容C7共同组成一个稳压电路；从光耦合芯片U1的EMIT管脚输出的电压信号输入到稳压芯片U2进行稳压处理，从而使电流开关芯片U3接收到的电压更加稳定，避免本专利技术出现误动作现象。二极管D1，二极管D2起到保护稳压芯片U2的作用。该稳压芯片U2采用LM317型稳压芯片，二极管D1和二极管D1均为1N4001型二极管，电阻R7的阻值为200Ω，电容C6和电容C7的容值均为0.1μF。该光耦合芯片U1采用TIL113集成芯片，所述电流开关芯片U3则采用TWH8778集成芯片，该场效应管MOS采用3DJ6结型场效应管，电阻R4的阻值为10KΩ，电阻R8和电阻R9的阻值均为1KΩ。工作时，当接通电源，因场效应管MOS源极的阻值较小，通过场效应管MOS源极的电流较大，电容C3充电，此时光耦合芯片U1内部的LED点亮，但是由于光耦合芯片U1的BASE管脚悬空，所以光耦合芯片U1不导通，电流开关芯片U3也不导通，电路断开。当触摸触摸片M1时，人体感应的杂波信号电压经过第一RC滤波器过滤后加到光耦合芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高稳定性光耦合触摸开关，其特征在于，主要由光耦合芯片U1，稳压芯片U2，电流开关芯片U3，场效应管MOS，触摸片M1，触摸片M2，一端与触摸片M1相连接、另一端与光耦合芯片U1的BASE管脚相连接的电阻R1，正极与光耦合芯片U1的BASE管脚相连接、负极接地的电容C1，一端与触摸片M2相连接、另一端与场效应管MOS的栅极相连接的电阻R2，正极与场效应管MOS的栅极相连接、负极接地的电容C2，串接在光耦合芯片U1的AN管脚和场效应管MOS的源极之间的电阻R3，正极与光耦合芯片U1的AN管脚相连接、负极与光耦合芯片U1的CAT管脚相连接的电容C3，正极经电阻R5后与光耦合芯片U1的EMIT管脚相连接、负极与电容C3的负极相连接的同时接地的电容C5，与电容C5相并联的电阻R6，正极与场效应管MOS的漏极相连接、负极与电容C5的正极相连接的电容C4，串接在光耦合芯片U1的COLL管脚和电流开关芯片U3的IN管脚之间的电阻R4，P极与稳压芯片U2的IN管脚相连接、N极与稳压芯片U2的OUT管脚相连接的二极管D1，正极与二极管D1的P极相连接、负极与电容C5的负极相连接的电容C6，正极与稳压芯片U2的ADJ管脚相连接、负极与电容C6的负极相连接的电容C7，串接在电容C7的负极和稳压芯片U2的OUT管脚之间的电阻R7，N极与二极管D1的N极相连接、P极与电容C7的正极相连接的二极管D2，串接在电流开关芯片U3的GND管脚和电容C5的负极之间的电阻R8，以及一端与电流开关芯片U3的OUT1管脚相连接、另一端则与电容C5的负极共同形成输出端的电阻R9组成；所述电流开关芯片U3的IN管脚接+6V电压，其OUT1管脚和其OUT2管脚相连接；所述稳压芯片U2的OUT管脚与电流开关芯片U3的EN管脚相连接、其IN管脚与光耦合芯片U1的EMIT管脚相连接。...

【技术特征摘要】
1.一种高稳定性光耦合触摸开关，其特征在于，主要由光耦合芯片U1，稳压芯片U2，电流开关芯片U3，场效应管MOS，触摸片M1，触摸片M2，一端与触摸片M1相连接、另一端与光耦合芯片U1的BASE管脚相连接的电阻R1，正极与光耦合芯片U1的BASE管脚相连接、负极接地的电容C1，一端与触摸片M2相连接、另一端与场效应管MOS的栅极相连接的电阻R2，正极与场效应管MOS的栅极相连接、负极接地的电容C2，串接在光耦合芯片U1的AN管脚和场效应管MOS的源极之间的电阻R3，正极与光耦合芯片U1的AN管脚相连接、负极与光耦合芯片U1的CAT管脚相连接的电容C3，正极经电阻R5后与光耦合芯片U1的EMIT管脚相连接、负极与电容C3的负极相连接的同时接地的电容C5，与电容C5相并联的电阻R6，正极与场效应管MOS的漏极相连接、负极与电容C5的正极相连接的电容C4，串接在光耦合芯片U1的COLL管脚和电流开关芯片U3的IN管脚之间的电阻R4，P极与稳压芯片U2的IN管脚相连接、N极与稳压芯片U2的OUT管脚相连接的二极管D1，正极与...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁毅，俞德军，
申请(专利权)人：成都赛昂电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51