一种高灵敏度光MOS固体继电器制造技术

本发明专利技术公开了一种高灵敏度光MOS固体继电器，其特征在于：包括输入电路、光隔离器、触发电路、开关电路和输出电路；所述输入电路包括正反馈回路，所述输出电路上设置电容泄放回路；所述输入电路包括电阻R1，R2,R3,稳压管D1，D2，开关管T1，T2；T1和T2构成正反馈回路；T1的发射极与R1连接，并连接输入端，T1的集电极与T2的基极连接，T1的基极连接T2的集电极，并连接稳压二极管D2；T2的发射极连接隔离电路；R1与R3并联，R3与R2串联。本发明专利技术能够解决光MOS固体继电器的抖动、误触发和易受辐射影响等问题，具有很高的灵敏度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及固态继电器，尤其是一种高灵敏度光MOS固体继电器。
技术介绍
固态继电器是一种全部由固态电子元件组成的新型无触点开关器件,它利用电子元件(如开关三极管、双向可控硅等半导体器件)的开关特性,可达到无触点无火花地接通和断开电路的目的,因此又被称为“无触点开关”。固态继电器是一种四端有源器件,其中两个端子为输入控制端,另外两端为输出受控端.它既有放大驱动作用,又有隔离作用,很适合驱动大功率开关式执行机构,较之电磁继电器可靠性更高,且无触点、寿命长、速度快,对外界的干扰也小,已被得到广泛应用。目前应用的固态继电器存在一些问题：一、固态继电器的导通电压和截止电压近似相等，当输入在临界值附近时，继电器会发生抖动，无法正常工作；二、开关光电耦合MOS栅驱动回路出现上级回路无动作，下级MOS栅微固态继电器误触发，接口信号引起继电器误操作；三、辐射会影响光MOS固体继电器的工作，提高的抗辐射能力可以避免辐射对继电器的磨损。
技术实现思路
本专利技术的专利技术目的在于：针对上述存在的问题，提供一种能够解决光MOS固体继电器的抖动、误触发和易受辐射影响等问题的高灵敏度光MOS固体继电器。本专利技术采用的技术方案如下：本专利技术一种高灵敏度光MOS固体继电器，包括输入电路、光隔离器、触发电路、开关电路和输出电路；所述输入电路包括正反馈回路，所述输出电路上设置电容泄放回路。本专利技术一种高灵敏度光MOS固体继电器，所述输入电路包括电阻R1，R2,R3,稳压管D1，D2，开关管T1，T2；T1和T2构成正反馈回路；T1的发射极与R1连接，并连接输入端，T1的集电极与T2的基极连接，T1的基极连接T2的集电极，并连接稳压二极管D2；T2的发射极连接隔离电路；R1与R3并联，R3与R2串联。所述输入电路的工作原理：电阻R2和R1构成开关管输入分压回路；增大输入电压，当T1发射极输入端电压大于D2上电压，三极管T1导通，继而T2导通，光耦合器中发光二极管导通，电路导通；降低输入电压，D2两端电压等于T1、D1以及光耦合器中二极管三个元件的电压总和，随着电压的降低，D2上电压高于T1发射极输入端电压，此时电压为临界电压；当电压降到临界电压以下，T1截止，光耦合器中发光二极管也截止，整个电路处于截止状态。本专利技术一种高灵敏度光MOS固体继电器，所述光隔离器为光耦合器，其包括发光二极管和光敏元件。本专利技术一种高灵敏度光MOS固体继电器，所述触发电路包括电容C1、R2、R3、三极管Q2、反向保护二极管D2和稳压二极管V1；所述C1和R2并联连接，且连接三极管Q2基极、反向保护二极管D2和R3；三极管Q2的发射极与反向保护二极管D2、R3连接；所述稳压二极管V1并联于三极管Q2。本专利技术一种高灵敏度光MOS固体继电器，所述开关电路采用MOS场效应管；所述MOS场效应管的栅极与触发电路中稳压二极管V1连接，其漏极和源极与电容C2并联。本专利技术一种高灵敏度光MOS固体继电器，所述输出电路上设置电容泄放回路；所述电容泄放回路包括开关和电阻，在MOS的源极与输出端之间设置开关和电阻。本专利技术一种高灵敏度光MOS固体继电器，所述发光二极管采用双异质结发光二极管，所述双异质结发光二极管的钝化层为Si3N4钝化层。本专利技术一种高灵敏度光MOS固体继电器，所述MOS场效应管采用干氧氧化的纯净碳化硅膜；所述MOS场效应管的外壳采用陶瓷管壳，采用金属盖板封装，管壳内的芯片烧结处镀上合金材料。干氧氧化的纯净碳化硅膜具有很好的抗辐射性。本专利技术一种高灵敏度光MOS固体继电器，所述光隔离器和触发电路之间还设置有LED，用于显示固体继电器的工作状态，当继电器导通时，LED亮，反之熄灭。本专利技术一种高灵敏度光MOS固体继电器，所述输入电路与光隔离器之间设置有并接电容，用于抑制高频干扰对输入端的影响。综上所述，由于采用了上述技术方案，本专利技术的有益效果是：与现有的光MOS固体继电器相比，本专利技术在输入电路中设置了正反馈回路，在输出电路上设置电容泄放回路；正反馈回路实现继电器导通电压和截止电压的分离，使继电器具有良好、可调的滞回特性，防止临界抖动，准确操作，同时继电器输出不受负载的影响，输入、输出端口相对独立；电容泄放回路通过将电阻回路泄放，避免出现误触发；本专利技术采用的二极管和MOS场效应管都具有很好的抗辐射性，能够减少辐射对固体继电器的影响。附图说明本专利技术将通过例子并参照附图的方式说明，其中：图1是本专利技术的结构示意图。具体实施方式本说明书中公开的所有特征，或公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合。本说明书（包括任何附加权利要求、摘要）中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。如图1 ，本专利技术一种高灵敏度光MOS固体继电器，包括输入电路、光隔离器、触发电路、开关电路和输出电路；所述输入电路包括正反馈回路，所述输出电路上设置电容泄放回路。本专利技术一种高灵敏度光MOS固体继电器，所述输入电路包括电阻R1，R2,R3,稳压管D1，D2，开关管T1，T2；T1和T2构成正反馈回路；T1的发射极与R1连接，并连接输入端，T1的集电极与T2的基极连接，T1的基极连接T2的集电极，并连接稳压二极管D2；T2的发射极连接隔离电路；R1与R3并联，R3与R2串联。所述输入电路的工作原理：电阻R2和R1构成开关管输入分压回路；增大输入电压，当T1发射极输入端电压大于D2上电压，三极管T1导通，继而T2导通，光耦合器中发光二极管导通，电路导通；降低输入电压，D2两端电压等于T1、D1以及光耦合器中二极管三个元件的电压总和，随着电压的降低，D2上电压高于T1发射极输入端电压，此时电压为临界电压；当电压降到临界电压以下，T1截止，光耦合器中发光二极管也截止，整个电路处于截止状态。本专利技术一种高灵敏度光MOS固体继电器，所述光隔离器为光耦合器，其包括发光二极管和光敏元件。本专利技术一种高灵敏度光MOS固体继电器，所述触发电路包括电容C1、R2、R3、三极管Q2、反向保护二极管D2和稳压二极管V1；所述C1和R2并联连接，且连接三极管Q2基极、反向保护二极管D2和R3；三极管Q2的发射极与反向保护二极管D2、R3连接；所述稳压二极管V1并联于三极管Q2。本专利技术一种高灵敏度光MOS固体继电器，所述开关电路采用MOS场效应管；所述MOS场效应管的栅极与触发电路中稳压二极管V1连接，其漏极和源极与电容C2并联。本专利技术一种高灵敏度光MOS固体继电器，所述输出电路上设置电容泄放回路；所述电容泄放回路包括开关和电阻，在MOS的源极与输出端之间设置开关和电阻。本专利技术一种高灵敏度光MOS固体继电器，所述发光二极管采用双异质结发光二极管，所述双异质结发光二极管的钝化层为Si3N4钝化层。本专利技术一种高灵敏度光MOS固体继电器，所述MOS场效应管采用干氧氧化的纯净碳化硅膜；所述MOS场效应管的外壳采用陶瓷管壳，采用金属盖板封装，管壳内的芯片烧结处镀上合金材料。本专利技术一种高灵敏度光MOS固体继电器，所述光隔离器和触发电路之间还设置有LED，用于显示固体继电器的工作状态，当继电器导通时，LED亮，反之熄灭。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高灵敏度光MOS固体继电器，其特征在于：包括输入电路、光隔离器、触发电路、开关电路和输出电路；所述输入电路包括正反馈回路，所述输出电路上设置电容泄放回路。

【技术特征摘要】
1.一种高灵敏度光MOS固体继电器，其特征在于：包括输入电路、光隔离器、触发电路、开关电路和输出电路；所述输入电路包括正反馈回路，所述输出电路上设置电容泄放回路。2.如权利要求1所述的高灵敏度光MOS固体继电器，其特征在于：所述输入电路包括电阻R1，R2,R3,稳压管D1，D2，开关管T1，T2；T1和T2构成正反馈回路；T1的发射极与R1连接，并连接输入端，T1的集电极与T2的基极连接，T1的基极连接T2的集电极，并连接稳压二极管D2；T2的发射极连接隔离电路；R1与R3并联，R3与R2串联。3.如权利要求1所述的高灵敏度光MOS固体继电器，其特征在于：所述光隔离器为光耦合器，其包括发光二极管和光敏元件。4.如权利要求1所述的高灵敏度光MOS固体继电器，其特征在于：所述触发电路包括电容C1、R4、R5、三极管Q2、反向保护二极管D2和稳压二极管V1；所述C1和R4并联连接，且连接三极管Q2基极、反向保护二极管D2和R5；三极管Q2的集电极与反向保护二极管D2、R5连接；所述稳压二极管V1并联于三极管Q2。5.如权利要求1所述的高灵敏度...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢敏，
申请(专利权)人：成都创慧科达科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51