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一种新型光MOS继电器制造技术

技术编号:10903881 阅读:90 留言:0更新日期:2015-01-14 13:37
本实用新型专利技术提供一种新型光MOS继电器,其特征在于:输入端由红外LED二极管组成,其中输入端的pin1连接红外LED二极管的“+”极、输入端的pin2连接红外LED二极管的“-”极;输出端由PDA和集成有ESD和反向恢复二极管的MOSFET组成,其中PDA的“+”极连接MOSFET的G极、PDA的“-”极连接MOSFET的S极;MOSFET的D极与输出端的pin4、pin6连接,MOSFET的S极与输出端的pin5连接;上述红外LED二极管、PDA、MOSFET、ESD、反向恢复二极管均位于同一平面内;输入端和输出端间通过透明或半透明树脂的内包封和外层黑色包封料包封组成。本实用新型专利技术使光MOS继电器的抗静电能力提高,输入输出之间的介质耐压提高,其通态、开关损耗均均有大幅度降低、也提高了开关速度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种新型光MOS继电器,其特征在于:输入端由红外LED二极管组成,其中输入端的pin1连接红外LED二极管的“+”极、输入端的pin2连接红外LED二极管的“‑”极;输出端由PDA和集成有ESD和反向恢复二极管的MOSFET组成,其中PDA的“+”极连接MOSFET的G极、PDA的“‑”极连接MOSFET的S极;MOSFET的D极与输出端的pin4、pin6连接,MOSFET的S极与输出端的pin5连接;上述红外LED二极管、PDA、MOSFET、ESD、反向恢复二极管均位于同一平面内;输入端和输出端间通过透明或半透明树脂的内包封和外层黑色包封料包封组成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:阳琳玲
申请(专利权)人:阳琳玲
类型:新型
国别省市:福建;35

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