本发明公开一种选择性沉积阻挡层于介电材料上的方法，该材料包围衬底上的一个或多个金属互连。阻挡层是用循环沉积工艺选择性沉积于金属膜上，循环沉积工艺包括预定次数的沉积循环，然后是清洗步骤。每次沉积循环可替换地包括吸附含难熔金属的前体和在介电...

本发明是有关于在一处理系统中在一半导体基底上用于移除光阻特征的一方法。该方法利用一处理气体混合物，包括一碳氢化合物气体、一氧气（Ｏ↓［２］）与一惰性气体。因此，密集与疏松区域的关键尺寸（ＣＤ）的微负载可以被消除，并且光阻移除速率也可以被...

一种在等离子体蚀刻室中选择性蚀刻基底上的低介电常数材料的等离子体蚀刻制程。此制程利用一蚀刻气体混合物进行蚀刻，此蚀刻气体混合物包括一种多氟的氟碳气体或氢氟碳气体、一种含氮气体以及一种或多种添加气体，添加气体例如是一种多氢的氢氟碳气体、一...

提供了一种避免高温计温度读取错误的方法。上部高温计用于检测来自在标准处理条件下形成在测试基底上的测试层的红外辐射。来自测试层的红外辐射具有周期，该周期的长度表示该层的生长速率。该周期一般与生长速率成反比。则生长速率直接与温度有关。

一种衬底处理设备具有一个能处理衬底的腔室，一个提供辐射的辐射源，一个适于将辐射偏振到一个或多个偏振角的辐射偏振器，偏振角选择成与衬底上的被处理部件的取向相关，一个在处理期间检测从衬底反射的辐射并产生信号的辐射检测器，以及一个处理该信号的...

本发明关于使用离子束在衬底中注入离子的方法以及和这种方法一起使用的离子注入机，其中离子束中可能出现不稳定。本发明还关于用于产生离子束的离子源，所述离子束可以被快速切断。实际上，本发明提供了一种注入离子的方法，其包括当检测到离子束中的不稳...

本发明涉及用于离子注入机的一种离子束监测装置，在所述离子注入机中，希望可以监测用于注入的离子束的通量和／或横截面图。通常希望的是，测量离子注入机内离子束的通量和／或横截面图，以提高对半导体晶片或者类似材料的离子注入的控制。本发明描述了改...

本发明的一个实施例是一种处理工具优化系统，其包括：（ａ）数据挖掘引擎，该数据挖掘引擎分析生产线后端成品率数据，以识别与低成品率有关的一个或多个处理工具；与（ｂ）响应上述分析的输出，分析来自一个或多个处理工具的处理工具数据，以识别与低成品...

本发明涉及一种在空中传送期间稳定衬底的载体的方法。在第一方案中，提供第一装置，用于衬底载体的处理位置间的空中传送。第一装置包括（１）空中传送机构；（２）挂在空中传送机构上的衬底载体支架，适于接受和支撑衬底载体；以及（３）稳定装置，适于限...

本发明涉及大批量和小批量电子设备制造装置的集成方法及其装置。在至少一个方面中，本发明提供了一种电子设备制造装置（Ｆａｂ），该装置使用能透明集成到使用大批量载具的现有Ｆａｂ中的小批量载具。制造执行系统（ＭＥＳ）可以与本发明的小批量Ｆａｂ相...

一种向形成于衬底上的亚微米结构中淀积催化层的设备和方法，该催化层包括选自贵金属、半贵金属和其合金／组合。典型的金属包括钯、铂、钴、镍和钨。催化层可通过无电淀积、电镀或化学汽相淀积技术来淀积。在一个实施方式中，催化层可淀积在结构中，从而用...

本发明提供了一种适于阻止衬底载体从动态销移出的动态销和一种衬底载体。动态销上的剪切构件与衬底载体的剪切构件相互作用以阻止衬底载体相对于动态销的横向运动。还提供了一种采用动态销的衬底载体处理装置。

本发明公开了一种连续移动、高速定位传送机系统的脱离式安装系统。支撑悬架从传送带悬出，使得支撑悬架相对传送带上至少一点保持在一个固定位置和方向，在传送带、支撑悬架或者在传送带和支撑悬架之间的连接件上不会引起明显的应力。该安装件可以包括连接...

提供了一种用于半导体应用中的具有保护涂层的物件及其制造方法。在一个实施例中，涂覆用于半导体沉积处理室的物件的铝表面的方法，包括如下步骤：加热涂层材料至半液态，所述涂层材料包括氟化铝和氟化镁中的至少一种材料；在所述铝表面沉积经加热的涂覆材...

一般地，提供了一种用于观察处理系统内的图像的方法和装置。在一个实施例中，一种装置包括一个板，该板使照相机、发送器和电池与其连接。该板适于通过衬底传输自动机械在半导体处理系统周围传输，从而允许从距离系统较远处观察系统内的图像。被观察的图像...

提供一种与支撑装置一起用于支撑制造设备的设施连接定位器。该设施连接定位器包括：流体密封斗，该斗具有底表面、从底表面向上延伸的多个侧壁和适合于将流体密封斗安装到支撑装置以便于流体密封斗相对于支撑装置在ｘ、ｙ和ｚ轴中具有固定位置的安装机构。...

本发明提供一种晶片操纵杆，其具有中心体，所述中心体具有第一末端和旋转中央轴。第一末端执行元件适于支撑第一晶片，其可旋转地连接到中心体的第一末端，从而定义中心体和第一末端执行元件之间的第一旋转轴；可选地，第二末端执行元件适于支撑第二晶片，...

本发明的实施例主要提供了一种形成氮化物栅极介电层的方法。此方法包括通过往处理腔室中注入含氮的处理气体，在处理气体中施加电离能量而在处理腔室中产生含氮的等离子体，将电离能量作脉冲调制以保证含氮的等离子体的电子平均温度不超过０．７ｅＶ。

本发明涉及离子注入衬底的剂量控制中的或有关的改进，例如给半导体晶片掺杂。对离子束进行测量以确保晶片被注入了正确均匀的离子剂量。入射离子包括离子和中性粒子，但检测器只能测量离子。离子／中性粒子的比率随离子注入器的腔压力而变化，而人们都知道...

在本发明的第一方面中，提供了一种用于探测基片的装置。该装置包括（１）发射器／接收器单元，其适合于发射光束通过位于转移室内的基片；（２）反射器，其适合于接收从发射器／接收器单元发射的光束并向发射器／接收器单元反射该发射光束；和（３）控制器...