溅射铜的ＤＣ磁控管溅射反应器，优选压力低于５毫乇，使用ＳＩＰ作第一铜层将铜涂覆进入窄而深的通道或沟槽的方法。使用有磁强度不相等磁极的小磁控管促进ＳＩＰ并且在溅射期间向靶施加高功率。通过长投射溅射促进洞孔填充，靶－基体间隔是基体直径的至少...

该装置有一种衬底支架、一种包围所述衬底支架的气体引导护罩，和一种垂直布置在所述衬底支架和气体引导护罩上方的遮蔽环，用于挡住所述衬底。气体引导护罩和衬底支架确定一种环形通道，提供边缘清除气体。边缘清除气体在放置在衬底支架上的衬底边缘施加一...

一种溅射装置，在处理室的上方具有多个以同心状配置的环状靶材，在处理室内部设有用于保持半导体基板的支架，靶材及支架连接直流电源。此外，在处理室上连接有内部抽真空用真空泵，还连接有向内部导入等离子体产生用待处理气体通常是氩气的气体供应源。通...

本发明提供形成可靠的互连的方法，其中线在插头或通路上的重叠最小化或被消除。在一方面，在通路上淀积包含诸如钨的导电材料的阻挡层插头，在线蚀刻过程中提供蚀刻停止物，并且如果线在通路上不对齐就可防止诸如铜的金属扩散进周围的电介质材料。另外，阻...

本发明公开了一种方法，包括，在基材上形成在包含氮的第一介电层和包含磷的第二介电层之间具有隔绝层的聚集体，并在形成该聚集体之后，热处理该基材。本发明公开了包括基材和在该基材上形成的聚集体的装置，该聚集体包括在包含氮的第一介电层和包含磷的第...

提供了一种用于集成电路制造中的氧化硅层的形成方法。氧化硅层通过使第一种气体混合物与第二种气体混合物反应形成。第一种气体混合物包含正硅酸四乙酯（ＴＥＯＳ）、氦气（Ｈｅ）和氮气（Ｎ↓［２］）。第二种气体混合物包含臭氧（Ｏ↓［３］）和任选的氧...

创建含有半导体晶片上晶片缺陷的研究案例信息的缺陷知识库的方法和相关装置。该方法包括创建一个数据库条目并且存储数据库条目以备以后访问，其中上述数据库条目含有一个指定缺陷的一个研究案例，上述研究案例包含缺陷信息而上述缺陷信息包括一或多个缺陷...

提供一种用于在悬吊运输机械和平台之间转运晶片载体的系统。该系统利用一个至少具有一个从其上延伸出来的手柄的晶片载体；一种悬吊运输机械；一种与悬吊运输机械联接的传送装置，其能够随运输机械运动并具有一种用于联接至少一个晶片载体手柄的晶片载体联...

分析半导体晶片上缺陷的方法及相关装置。该方法包括识别半导体晶片上的缺陷。在缺陷源识别器客户机内建立缺陷检测信息。通过网络将缺陷检测信息传送到缺陷源识别器服务器。响应缺陷检测信息，在缺陷源识别器服务器处导出缺陷源信息。该缺陷源信息从缺陷源...

在一第一形式中，提供一锁料室，它包括：（１）用于保持静止的第一室部分；（２）用于相对于第一室移动的第二室部分；和（３）一位于第一和第二室部分之间的基体搬运器。锁料室用于采取：（ａ）一封闭位置，其中，第一和第二室部分彼此接触，以便界定能保...

一种方法和装置，用于在一个缺陷源识别器和一个工具数据收集及控制系统之间提供通信。缺陷源识别器收集缺陷数据，直至识别出缺陷为止。一旦识别出一个缺陷，便向工具数据收集和控制系统发出请求，以请求在发生该缺陷时的工具参数数据。工具数据收集及控制...

本发明涉及在半导体结构中刻蚀钨或氮化钨的方法，特别涉及在刻蚀工艺中需要精确控制的栅极的刻蚀。我们发现了一种刻蚀钨或氮化钨的方法，该方法允许精确刻蚀外形控制，同时提供例如至少为１７５∶１的优异选择率，这有利于刻蚀钨或氮化钨而不是相邻的氧化...

公开了用于集成电路制造的硼化物层的形成方法。在一个实施例中，通过将含硼化合物（３０５）和一种难熔金属化合物（３０７）的单层化学吸附到衬底上形成硼化物层。在另一个实施例中，硼化物层具有复合结构。该复合硼化物层结构（４０９）包括两种或者多种...

在一个缺陷来源识别器服务器和客户端之间传送缺陷信息的方法和相关装置。该方法包括在一个缺陷来源识别器客户端内部产生缺陷检查信息，其中缺陷检查信息含有涉及在半导体晶片上识别的缺陷的信息。在一个方面，一个ＸＭＬ转换器将缺陷检查信息转换成经过转...

本发明描述了一种热处理方法，其中，可以在加热阶段或冷却阶段或者同时在这两个阶段对基体的温度响应进行控制。这就减轻了对基体的热聚集。尤其是，通过控制基体与一个蓄热器（比如一个水冷式反射板装置）之间的热传递速率，基体的温度响应可以在热处理过...

一种加工被置于基片加工腔室内的硅基片的方法，其包括把该基片送入加工腔室。该基片上有硬掩膜和位于硬掩膜之上，成图案的光刻胶以暴露部分硬掩膜。该类型的腔室有电源系统和偏压源系统。该方法还包含蚀刻硬掩膜的暴露部分以暴露硬掩膜下面的部分硅基片。...

一种用于平面化基片表面的制造用品、方法和设备。一方面，本发明提供一种用于抛光基片的制造用品，其包括有一主体的抛光用品，该主体包括至少一部分由导电材料涂敷的纤维、或导电填料、或其结合物，且适于抛光基片。另一方面，抛光用品包括一个主体，该主...

一种衬底处理室（１１０）包括：一个气体供给装置（５６）用以向该室提供气体，能够被电偏置的第一和第二电极（１１５、１０５），适合于激励气体，第二电极（１１５）适合充电到至少１０瓦／厘米＃＋［２］的功率密度，并且第二电极（１１５）包括接一接...

本发明的实施例大致提供了一种在热处理期间向多个衬底提供均匀热分布曲线的设备和方法。在一个实施例中，含有一个或多个加热衬底支座的盒子可移动地设置在具有基本均匀热分布曲线的加热室内，以便更均匀地加热衬底。

一种球体组件，包括：具有内部通道的外壳；在外壳的第一端且延伸进内部通道的环形座；球体，其设置在外壳中并由座阻止其脱离外壳；耦合于外壳第二端的导电适配器；和电耦合适配器和球体的接触元件。