溅射装置制造方法及图纸

一种溅射装置，在处理室的上方具有多个以同心状配置的环状靶材，在处理室内部设有用于保持半导体基板的支架，靶材及支架连接直流电源。此外，在处理室上连接有内部抽真空用真空泵，还连接有向内部导入等离子体产生用待处理气体通常是氩气的气体供应源。通过分别控制各靶材的电位，可调整靶材的溅射率。由此，可提高成膜的均匀性。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在半导体器件等的制造中所使用的溅射装置。溅射装置是在等离子体中，使待处理气体的正离子通常是氩离子撞击阴极即靶材表面，将由此溅出的靶材原子堆积在阳极侧的基板例如半导体晶片上，进行成膜。在上述溅射装置中，为了通过提高靶材表面附近的等离子体的密度来提高溅射效果，广泛使用所谓的磁控管方式。在此种方式中使用一般叫作磁控管装置的磁铁装置，产生平行于靶材表面的磁场。该磁场与靶材和晶片间的电场交叉，因此从靶材射出的电子在靶材表面的附近区域被俘获，从而可提高该区域的等离子体密度。近年来，随着半导体器件的高度集成化，布线图的细微化日益发展，通过溅射法已不能在接触孔及通孔等上有效地进行成膜。例如，在标准的溅射装置中，对具有细孔的晶片表面进行成膜时，因在孔的入口处形成突起，所以存在使影响底端覆盖率的问题。由此而开发出准直溅射法或远程(远距离)溅射法等新技术。准直溅射法，是在靶材和半导体晶片间设置称为准直仪的具有多个孔的板，使得被溅射粒子穿过准直仪的孔，从而令原本无方向性的被溅射粒子具有方向性，且在半导体晶片上主要是只堆积垂直成分的被溅射粒子的技术。而远程溅射法，是靶材与半导体晶片间的距离本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种溅射装置，包括：处理室；设置于前述处理室内，且保持基板的保持装置；将前述处理室内的压力减至所规定的压力的减压装置；向前述处理室内提供待处理气体的气体供应装置；对由前述气体供应装置所提供的处理气体等离子体化的等离子体化装置；与通过前述保持装置所保持的基板相对地设置的，相互之间同心配置的、由成膜材料构成的多个靶材；以及调整前述各靶材的溅射率的装置。

【技术特征摘要】
JP 1998-10-30 310633/981.一种溅射装置，包括处理室；设置于前述处理室内，且保持基板的保持装置；将前述处理室内的压力减至所规定的压力的减压装置；向前述处理室内提供待处理气体的气体供应装置；对由前述气体供应装置所提供的处理气体等离子体化的等离子体化装置；与通过前述保持装置所保持的基板相对地设置的，相互之间同心配置的、由成膜材料构成的多个靶材；以及调整前述各靶材的溅射率的装置。2.如权利要求1所述的溅射装置，其特征在于前述靶材都是环状。3.如权利要求1所述的溅射装置，其特征在于设置于最内侧的靶材是圆盘状，而设置于其外侧的靶材至少1个是环状。4.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：小野真德，
申请(专利权)人：应用材料有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]