【技术实现步骤摘要】
PZT-ZnO薄膜
本专利技术属于复合材料领域，具体涉及一种PZT-ZnO薄膜。
技术介绍
由铁电薄膜和微电子技术相结合而发展起来的集成铁电学已成为当前国际新材料研究十分活跃的领域,薄膜异质结构是集成铁电、压电器件的核心,是提高集成器件性能及开发新器件的关键。钙钛矿结构的锆钛酸铅(PZT)薄膜具有优越的铁电、介电、压电、热释电、电光、声光效应以及能够与半导体技术兼容等特点，是铁电、压电器件常用的薄膜材料。但是PZT薄膜膜结构存在一定的问题严重制约了其应用;而ZnO是一种具有压电和光电特性的半导体材料,其六角形纤锌矿结构适合于高质量的定向外延薄膜的生长。为了提高PZT薄膜的性能可以尝试将两者进行复合。
技术实现思路
本专利技术提出了一种PZT-ZnO薄膜，具体实施步骤为：基底上先利用射频磁控溅射法制备ZnO薄膜，然后在掺杂ZnO薄膜上制备PZT薄膜，低温烧结后得到CNT-ZnO透明导电复合薄膜，具体包括以下步骤：步骤1：将基底依次用洗洁精水溶液、碱水溶液、酸溶液、无水乙醇和去离子水清洗干净；步骤2：将无水醋酸锌、六水氯化铝、乙醇胺和乙二醇甲醚在60℃搅拌混合均匀后再在室温下陈化12h得到溶胶A；步骤3：醋酸铅、硝酸氧锆以及钛酸丁酯在60℃搅拌混合均匀后得到溶胶B；步骤4：将步骤2得到的溶胶A采用射频磁控溅射步骤1清洗得到的基底上6h得到薄膜，再将薄膜进行热处理，热处理温度为600℃，保温时间15min，然后自然冷却得到掺杂ZnO薄膜；步骤5：将步骤3得到的溶液B涂布到步骤4得到的掺杂ZnO薄膜上得到薄膜，再将薄膜进行热处理，空热处理温度为600℃，保温时间15m...
【技术保护点】
一种PZT‑ZnO薄膜，其特征在于，基底上先利用射频磁控溅射法制备ZnO薄膜，然后在掺杂ZnO薄膜上制备PZT薄膜，低温烧结后得到CNT‑ZnO透明导电复合薄膜，具体包括以下步骤：步骤1：将基底依次用洗洁精水溶液、碱水溶液、酸溶液、无水乙醇和去离子水清洗干净；步骤2：将无水醋酸锌、六水氯化铝、乙醇胺和乙二醇甲醚在60℃搅拌混合均匀后再在室温下陈化12h得到溶胶A；步骤3：醋酸铅、硝酸氧锆以及钛酸丁酯在60℃搅拌混合均匀后得到溶胶B；步骤4：将步骤2得到的溶胶A采用射频磁控溅射步骤1清洗得到的基底上6h得到薄膜，再将薄膜进行热处理，热处理温度为600℃，保温时间15min，然后自然冷却得到掺杂ZnO薄膜；步骤5：将步骤3得到的溶液B涂布到步骤4得到的掺杂ZnO薄膜上得到薄膜，再将薄膜进行热处理，空热处理温度为600℃，保温时间15min，得到掺杂PZT‑ZnO薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种PZT-ZnO薄膜，其特征在于，基底上先利用射频磁控溅射法制备ZnO薄膜，然后在掺杂ZnO薄膜上制备PZT薄膜，低温烧结后得到CNT-ZnO透明导电复合薄膜，具体包括以下步骤：步骤1：将基底依次用洗洁精水溶液、碱水溶液、酸溶液、无水乙醇和去离子水清洗干净；步骤2：将无水醋酸锌、六水氯化铝、乙醇胺和乙二醇甲醚在60℃搅拌混合均匀后再在室温下陈化12h得到溶胶A；步骤3：醋酸铅、硝酸氧锆以及钛酸丁酯在60℃搅拌混合均匀后得到溶胶B；步骤4：将步骤2得到的溶胶A采用射频磁控溅射步骤1清洗得到的基底上6h得到薄膜，再将薄...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹大旭，
申请(专利权)人：青岛城轨交通装备科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37
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