根据对半导体晶片进行热处理的制法，一个工作电压施加到第一和第二组上。然后可以确定，工作电压是介于预定的低电压与预定的上限电压之间的电压范围内的一个干扰电压。随后，第一电压被施加到第一组加热灯上，第二电压被供给到第二组加热灯上。第一电压高...

本发明提供一种设备，其包括：一反射镜，该反射镜具有面向下的镜面表面；一位于该反射镜下面的玻璃结构，在该玻璃结构内有一基座，该基座具有面向上的表面，其能够夹持要被处理的部件，且一个或多个辐射热源指向并位于玻璃结构的下面。

一种用于ｎ个用电设备的结构配置，这ｎ个用电设备中有ｍ个用电设备被同时供给电能，其中ｍ＜ｎ，其特征在于包括：　　　　ａ）一种包括ｋ个电源模块（１６－３５）的模块式电源（１００）；　　　　ｂ）一种控制器（３６），其将一个用电设备（１－１５）...

说明了一种电镀系统。该电镀系统实现一种把基片上形成的种层浸入到电解液中的方法。在一个方面，通过进入电解液时倾斜基片把基片浸入该电镀系统中从而限制电解液中在基片和基片支持器之间捕获或形成气泡。在另一个方面，提供一种用于电镀的设备，其包括一...

我们发现铝合金部件表面的颗粒夹杂物的形成可以通过以下方法控制，其中这些夹杂物干扰从合金表面到此表面上的氧化铝保护层的平滑过渡：保持流动杂质和不流动杂质的含量在特定的范围内，并且控制这些流动和不流动杂质及其化合物的颗粒的大小和分布；在低于...

本发明提供了一种用于从衬底表面上去除天然氧化物的方法和装置。一方面，该腔包括一个腔体和一个至少部分布置在腔体内并适合在其上支撑衬底的支撑装置。该支撑装置包括至少部分在其中形成并能冷却衬底的一个或多个流体通道。该腔进一步包括布置在腔体上表...

一种用于处理衬底的方法，其包括：沉积第一防反射层；并且通过一种工艺在所述第一防反射层上沉积第二防反射层，所述工艺包括：将一种处理气体引入处理腔中，所述处理气体中的化合物包括一种无氧硅烷基化合物以及一种含氧和碳的化合物 ...

依照本发明的实施例涉及在工件表面上分配处理气体的装置和方法。依照本发明的一个实施例，工艺气体通过形成有多个孔的基本圆形的气体分配喷头流向半导体晶片的表面。位于面板中心的第一组孔以不共心的方式排列且不呈径向对称。这种不对称排列使得孔和其中...

本实用新型的实施方式提供一种装置，诸如处理室，其适合于蚀刻高纵横比结构。其它的实施方式包括在处理室中使用的衬底支座。在一个实施方式中，衬底支座包括静电卡盘，该静电卡盘包括具有由上壁、中壁和下壁限定外径的主体。中壁的高度小于下壁的高度且大...

本实用新型通常提供一种接地护罩，其用于物理气相沉积（ＰＶＤ）室中。在一个实施例中，接地护罩包括一个大致呈圆柱形的主体，其包含外壁、内上壁、内下壁（所具有的直径小于所述内上壁的直径）和凹角特征，该凹角特征连接所述上壁和所述内下壁。所述凹角...

本实用新型的实施例提供一种适于刻蚀高纵横比部件的装置，如处理腔室。其它实施例包括用在处理腔室中的上腔室衬垫。在一个实施例中，上腔室衬垫包括圆柱主体，其具有在外表面中形成的凹口。狭槽设置在凹口中并穿过所述主体形成。圆柱主体包括上边缘和下边...

本实用新型提供了一种用于半导体晶片处理系统喷头的面板。面板具有多个气体通道，以向处理区域提供多种气体，并且这些气体在到达处理腔内的处理区域前不会混合。喷头包括一个面板和一个气体分配歧管装置。面板限定了多个第一气体孔，用来运输第一气体，把...

一种用于化学机械抛光装置中运载头上的固定环，此固定环具有下表面，内表面和外表面，并且在下表面上有多个凹槽。每个凹槽可包括内拖曳表面和浆料捕集区域。通道连接浆料捕集区域和内表面。内拖曳表面可被构造用于将嵌入工具固定在其上，此嵌入工具有接触...

本实用新型提供了一种从支撑表面清除处理残留物的清洁晶片，所述支撑表面被用于在激励气体中的衬底处理。所述清洁晶片包括一个圆盘，其包括源自液态前体的聚酰亚胺层，通过把液态聚酰亚胺前体施加到该圆盘，所述聚酰亚胺层直接形成在该圆盘上。所述聚酰亚...

一种用于加工基材的抛光制品，包括一个具有至少一个适于抛光基材的导电表面的主体，其特征在于：　　　　所述导电表面包括至少一个导电元件，该导电元件包括设置于聚合物材料中的导电填料，采用导电材料涂敷的纤维，或其结合物。

一种用于加工基材的抛光制品，其特征在于所述抛光制品包括：　　　　一个具有适于抛光基材的表面的主体；以及　　　　一个位于所述主体内的导电元件，所述导电元件包括由导电材料涂敷的交织纤维的织物。

一种化学机械抛光用的带凸缘夹持环，其特征在于：包括：　　　　一大体为环状的本体，其有一顶表面，一底表面，一内径表面和一外径表面，其中所述的外径表面包括一向外凸出的凸缘，所述凸缘有一下表面，且所述底表面包括多个沟槽。

提供一种减少导电材料迁移的基片基座和方法。在一个实施例中，基座包括具有支撑侧和背侧的夹盘主体。保护电极靠近夹盘主体背侧设置于夹盘主体内。另一方面，提供一种减少导电材料迁移的方法。在一个实施例中，该方法包括以下步骤：靠近基片基座的背侧设置...

一个真空处理系统，具有一个或多个带有一个端部操作装置的晶片搬运器，该端部操作装置从其固定的一端起，先向里回缩，在端部操作装置的背对两侧上形成一对侧部凹进，然后再向外扩出到自由端，使其宽度大于固定端的宽度。在其自由端，端部操作装置设置了另...

本发明提供一种腐蚀铜层的方法，该方法能够去除希望的导电互连结构的不需要的膜部分，同时避免结构的过腐蚀和在被腐蚀铜层表面上形成侵蚀表面沾污。深腐蚀所淀积的铜层到含有填充有铜的沟槽和通道的上或“场”表面。可以利用低温区，主要利用铜表面的物理...