光电耦合半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术公开一种光电耦合半导体器件及其制造方法，该器件包括：第一和第二平面引线框，每个引线框有一个主要部分和一个远端部分；分别安装在第一和第二引线框远端部分的上表面上的光发射元件和光接收元件；透光性树脂件，覆盖光发射元件和光接收元件，并支撑其上表面上设置有光发射元件和光接收元件的、处于间隔相对的关系中的第一和第二引线框的远端部分，使得第一和第二引线框的主要部分在位置上成共面的关系；和非透光性树脂件，覆盖透光性树脂件并支撑第一和第二引线框的主要部分。透光性树脂件和非透光性树脂件的每个都由作为基础树脂的环氧树脂组成。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光电耦合半导体器件(光电耦合器)及其制造方法。
技术介绍
例如，在日本待定专利申请No.Hei 11-177124(1999)中公开了一种涉及本专利技术的现有技术光电耦合器，其设计使得从光发射元件发射出的光被光接收元件接收。光发射元件和光接收元件以相对的位置关系分别位于第一和第二引线框的压料垫(die pad)上，它们彼此相对倾斜并封装在透光性硅树脂的封装物中。因此，至少部分从光发射元件的主表面平行于安装面发出的光无反射地直接入射到光接收元件上。该专利公开中还公开了一种光电耦合器的制造方法，其中在分别安装有光发射元件和光接收元件的引线框上涂覆封装物，再通过重力形成预定的形状和固化，由此将光发射元件和光接收元件罐装到引线框上的封装物中。对于近来由于去除了含铅的成分而使板的安装温度提高的趋势，提高光电耦合半导体器件的封装热阻是必不可少的。但是，用于覆盖光发射元件和光接收元件以形成透光路径的硅树脂具有很高的线性膨胀系数，使得最终的封装件由于安装时出现于其中的热应力而易于脆裂。另外，前述的包括在封装物中罐装光发射元件和光接收元件的制造方法不适于批量生产，因为固化的封装物本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电耦合半导体器件，包括：第一和第二平面引线框，每个框都有一个主要部分和一个远端部分；光发射元件和光接收元件，分别安装在该第一和第二引线框的该远端部分的上表面上；透光性树脂件，其覆盖该光发射元件和该光接收元件，并支撑其上表面上安 装有该光发射元件和该光接收元件的、处于间隔相对的关系中的该第一和第二引线框的该远端部分，使得该第一和第二引线框的该主要部分被定位成共面的关系；和非透光性树脂件，覆盖该透光性树脂件并支撑该第一和第二引线框的该主要部分；其中该透光性树脂件和该非透光性树脂件的每个都由作为基础树脂的环氧树脂组成。

【技术特征摘要】
JP 2003-1-17 009991/03;JP 2003-9-12 321627/031.一种光电耦合半导体器件，包括第一和第二平面引线框，每个框都有一个主要部分和一个远端部分；光发射元件和光接收元件，分别安装在该第一和第二引线框的该远端部分的上表面上；透光性树脂件，其覆盖该光发射元件和该光接收元件，并支撑其上表面上安装有该光发射元件和该光接收元件的、处于间隔相对的关系中的该第一和第二引线框的该远端部分，使得该第一和第二引线框的该主要部分被定位成共面的关系；和非透光性树脂件，覆盖该透光性树脂件并支撑该第一和第二引线框的该主要部分；其中该透光性树脂件和该非透光性树脂件的每个都由作为基础树脂的环氧树脂组成。2.如权利要求1所述的光电耦合半导体器件，其中位于所述光发射元件和所述光接收元件之上的所述透光性树脂件部分具有大致上的半球形形状。3.如权利要求1所述的光电耦合半导体器件，其中位于所述光发射元件和所述光接收元件之上的所述透光性树脂件部分具有大致上截顶四棱锥形的形状。4.如权利要求1所述的光电耦合半导体器件，其中分别安置有所述光发射元件和所述光接收元件的所述远端部分相对于所述主要部分平缓地向下倾斜。5.如权利要求4所述的光电耦合半导体器件，其中安置有所述光发射元件的所述远端部分的倾斜角度小于安置有所述光接收元件的所述远端部分的倾斜角度。6.如权利要求4所述的光电耦合半导体器件，其中安置有所述光发射元件的所述远端部分以角度a向下倾斜，安置有所述光接收元件的所述远端部分以角度b向下倾斜，其中角度a和b满足下列表达式5°≤a≤25°，5°≤b≤25°7.如权利要求1所述的光电耦合半导体器件，其中所述透光性树脂件包括把来自所述光发射元件的光导引至所述光接收元件的上部，和支撑所述第一和第二引线框的所述远端部分的下部，该上部的体积小于该下部的体积。8.如权利要求3所述的光电耦合半导体器件，其中所述透光性树脂件具有一外围表面，并且每个所述远端部分的所述上表面和与其相邻的该外围表面部分形成45至90度的角度。9.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：小路弘之，高仓英也，楠田一夫，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]