【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了，该校准方法包括如下步骤：利用第一耦合器校准装置和第二耦合器校准装置测量待测耦合器的耦合度本底值和反射系数本底值；利用高温箱将待测耦合器的温度升高至需要的温度并且保持该温度稳定；利用矢量网络分析仪测量待测耦合器的耦合度和反射系数，获得待测耦合器的耦合度高温测量值和反射系数高温测量值；计算待测耦合器的耦合度高温测量值与耦合度本底值的差值获得待测耦合器的耦合度真实值；计算待测耦合器的反射系数高温测量值与反射系数本底值的差值获得耦合器的反射系数真实值。本专利技术的校准方法能够适用于大功率耦合器的校准；本专利技术的校准方法能够提高大功率耦合器的校准精度。【专利说明】
本专利技术涉及耦合器校准
，特别涉及，该方法适用于大功率的耦合器。
技术介绍
随着远距离雷达和高功率微波技术的飞速发展，微波源的功率不断提高。目前，实际应用需要的微波源的峰值功率高达GW量级，其平均功率高达kW量级。对于这种大功率的微波源，现有技术的测量方法无法直接测量其功率，通常需要利用耦合器将微波源发射的微波耦合为小功率的微波，然后通过测量小功率的微波实现对微...
【技术保护点】
一种耦合器校准方法，其特征在于，该校准方法包括如下步骤：利用第一耦合器校准装置和第二耦合器校准装置测量待测耦合器的耦合度本底值和反射系数本底值；利用高温箱将待测耦合器的温度升高至需要的温度并且保持该温度稳定；利用矢量网络分析仪测量待测耦合器的耦合度和反射系数，获得待测耦合器的耦合度高温测量值和反射系数高温测量值；计算待测耦合器的耦合度高温测量值与耦合度本底值的差值获得待测耦合器的耦合度真实值；计算待测耦合器的反射系数高温测量值与反射系数本底值的差值获得耦合器的反射系数真实值。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：方维海，年丰，张璐，温鑫，
申请(专利权)人：北京无线电计量测试研究所，
类型：发明
国别省市：
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