温度测量方法、热处理方法及半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术的目的，在于：精确地测量出加热中的物体温度，并在正确的温度下对物体进行热处理。在衬底１０的热处理工序中，在测量衬底１０背面的辐射率ε时，衬底１０表面上形成有由能使辐射率ε改变的材料制成的膜，例如成为插塞１５Ａ的第一ＤＰＳ膜１５、成为电容下部电极１７Ａ的第二ＤＰＳ膜１７及成为电容上部电极２０Ａ的第三ＤＰＳ膜２０；而在衬底１０的背面上则未形成由ＤＰＳ膜等能使辐射率ε改变的材料制成的膜。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种温度测量方法，即一种通过测量衬底等物体的辐射率而精确地测量出物体的温度的方法。尤其涉及一种热处理方法，即根据物体的辐射率而在正确的温度下对物体进行热处理的方法。
技术介绍
图9示意地显示现有的热处理装置的剖面结构，具体而言，即炉加热式(热壁式)热处理装置的剖面结构。图9所示的加热装置100，包括由SiC制成的纵型炉101及环绕在炉101侧面的线圈102。炉101的内部通过线圈102的加热被维持在一定的温度上。具体而言，在炉101内部的加热区域Rth形成有温度梯度，例如加热区域Rth的上部温度较高，例如被设定在1050℃上；加热区域Rth的下部温度则较低，例如被设定在850℃上。加热装置100中还有承载加热对象即衬底10的承载台103及支撑承载台103且能让它上下移动的支撑部104。可借助承载台103的上、下移动来将衬底10放在加热区域Rth的任意位置上，由此而可在所希望的温度下对衬底10进行热处理。图9示出了承载台103位于开始对衬底10进行热处理之前的初始位置H0时的情况。而且，承载台103支撑着衬底10，让衬底的背面部分露出。加热装置100中，包括炉101、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种辐射率测量方法，它包括：边对具有一面与另一面的物体加热，边用一定波长的测量光照射所述另一面，由此来测量所述物体的辐射率ε的工序，其中：在所述测量辐射率ε的工序中，所述一面上形成有由能使所述辐射率ε改变的材料制成的膜，所述另一面上 则未形成由所述材料制成的膜。

【技术特征摘要】
JP 2001-10-30 332217/20011.一种辐射率测量方法，它包括边对具有一面与另一面的物体加热，边用一定波长的测量光照射所述另一面，由此来测量所述物体的辐射率ε的工序，其中在所述测量辐射率ε的工序中，所述一面上形成有由能使所述辐射率ε改变的材料制成的膜，所述另一面上则未形成由所述材料制成的膜。2.根据权利要求第1项所述的辐射率测量方法，其中所述测量辐射率ε的工序，包括先测量所述物体的所述另一面的反射率r，再用测得的所述反射率r测量出所述辐射率ε的工序。3.一种辐射率测量方法，它包括边对具有一面与另一面的物体加热，边用一定波长的测量光照射所述另一面，由此测出所述物体的辐射率ε的工序，其中在所述测量辐射率ε的工序中，所述一面上形成有经过掺杂的多晶硅，而所述另一面上则未形成经过掺杂的多晶硅。4.根据权利要求第3项所述的辐射率测量方法，其中所述测量辐射率ε的工序，包括先测量所述物体的所述另一面的反射率r，再用测得的所述反射率r测量出所述辐射率ε的工序。5.一种温度测量方法，它包括边对具有一面与另一面的物体加热，边测量所述物体的所述另一面的辐射率ε的工序、根据测得的所述辐射率ε算出加热中的所述物体的温度的工序，其中在所述测量辐射率ε的工序中，所述一面上形成有由能使所述辐射率ε改变的材料制成的膜，所述另一面上则未形成由所述材料制成的膜。6.根据权利要求第5项所述的温度测量方法，其中所述测量辐射率ε的工序，包括先测量所述物体的所述另一面的反射率r，再用测得的所述反射率r测量出所述辐射率ε的工序。7.一种温度测量方法，它包括边对具有一面与另一面的物体加热，边测量所述物体的所述另一面的辐射率ε的工序、及根据测得的所述辐射率ε计算出加热中的所述物体的温度的工序，其中在所述测量辐射率ε的工序中，所述一面上形成有经过掺杂的多晶硅，而所述另一面上则未形成经过掺杂的多晶硅。8.根据权利要求第7项所述的温度测量方法，其中所述测量辐射率ε的工序，包括先测量所述物体的所述另一面的反射率r，再用测得的所述反射率r来测量出所述辐射率ε的工序。9.一种热处理方法，它用加热装置对所述衬底进行热处理，该加热装置包括衬底承载部、对由所述衬底承载部承载的衬底加热的加热部、及测量由所述衬底承载部承载的所述衬底的辐射率ε的测量部，其中包括在所述衬底的表面上形成有由能使所述辐射率ε改变的材料制成的膜且所述衬底的背面上未形成有由所述材料制成的膜的状态下，边由所述衬底承载部承载所述衬底并由所述加热部加热所述衬底，边由所述测量部测量所述衬底背面的所述辐射率ε的工序；边根据测得的所述辐射率ε控制所述衬底的加热温度，边对所述衬底进行热处理的工序。10.根据权利要求第9项所述的热处理方法，其中所述测量辐射率ε的工序，包括先测量所述衬底背面的反射率r，再用测得的所述反射率r测量出所述辐射率ε的工序。11.根据权利要求第9项所述的热处理方法，其中在所述测量辐射率ε的工序之前，还有除去形成在所述衬底背面上且由所述材料制成的膜的工序。12.根据权利要求第11项所述的热处理方法，其中在除去由所述材料制成的膜的工序之前，还有在所述衬底的表面及背面上同时形成由所述材料制成的膜的工序。13.根据权利要求第9项所述的热处理方法，其中所述加热部在既定...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴田聪，平濑顺司，杉山龙男，金崎惠美，川濑文俊，内藤康志，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]