【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是指一种。
技术介绍
在IGBT等器件的制造工艺中，涉及到一些硅背面的工艺，如IGBT器件背面的集电极引出，一般需要对硅片背面进行减薄，减薄后的硅片背面再进行离子注入作为接触层和场终止层，但是由于背面注入都是在减薄之后进行的，当硅片的厚度减薄到一定程度之后，如100 300微米时，普通的高能注入机无法对这样的薄片进行注入，而使用中能注入机进行高能注入时不仅产出的效率大大降低，而且对于需要注入更高能量条件的薄片基本很难实现，购买新的设备又会大幅提升成本。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种，利用现有的设备，保证背面离子注入的效果。为解决上述问题，本专利技术所述的，包含如下步骤第I步，对减薄后的硅片背面进行浅结离子注入，得到浅结离子分布曲线；第2步，在激光机台上针对注入离子需要推进的深度建立激光高温推进程序；第3步，利用激光工艺对完成浅结离子注入的硅背面进行激光推进；第4步，在保持 离子分布曲线的情况下将杂质离子推进到设计深度位置。进一步地，所述第I步中，浅结离子注入的结深为离子注入机注入能力范围内的任意深度...
【技术保护点】
一种硅背面的离子注入方法，其特征在于：包含如下步骤：第1步，对减薄后的硅片背面进行浅结离子注入，得到浅结离子分布曲线；第2步，在激光机台上针对注入离子需要推进的深度建立激光高温推进程序；第3步，利用激光工艺对完成浅结离子注入的硅背面进行激光推进；第4步，在保持离子分布曲线的情况下将杂质离子推进到设计深度位置。
【技术特征摘要】
1.一种硅背面的离子注入方法，其特征在于包含如下步骤第I步，对减薄后的硅片背面进行浅结离子注入，得到浅结离子分布曲线；第2步，在激光机台上针对注入离子需要推进的深度建立激光高温推进程序；第3步，利用激光工艺对完成浅结离子注入的硅背面进行激光推进；第4步，在保持离子分布曲线的情况下将杂质离子推进到设计深度位置。2.如权利要求1所述的硅背面的离子注入方法，其特征在于所述第I步中，浅结离子注入的结深为离子注入机注入能力范围内的任意深度，离子推进后离子峰值会相应下降，需要根据最终的离子浓度峰值分布进行预先浓度计算。3.如权利要求1所述的硅背面的离子注入方法，其特征在于所述第2步中，在设置激光推进程序时，根据相关要求对相应的激光参数进行设置，主要参数包括激光能量以及X-Y方向...
【专利技术属性】
技术研发人员：童宇锋，肖胜安，刘尧，刘国淦，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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