NMOS晶体管形成方法技术

一种NMOS晶体管形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成氧化层，在所述氧化层表面形成多晶硅层；对所述半导体衬底进行第一离子注入，所述注入的离子为氟离子和氮离子；对所述多晶硅层和氧化层进行刻蚀，分别形成栅电极和栅氧化层，在所述栅氧化层和栅电极两侧的半导体衬底内形成轻掺杂源/漏区；在所述栅氧化层和栅电极的侧壁表面形成侧墙，在所述侧墙两侧的半导体衬底内形成重掺杂源/漏区，形成NMOS晶体管。通过对所述半导体衬底进行氟离子和氮离子注入，提高了NMOS晶体管的栅氧化层的可靠性，降低NMOS晶体管中的热载流子注入效应，改善栅氧化层的TDDB特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造技术，特别涉及一种能提高栅氧化层可靠性的NMOS晶体管形成方法。
技术介绍
随着半导体器件集成度的不断提高，特征尺寸逐渐减小，MOS晶体管的沟道的长度也逐渐减小，栅氧化层的厚度也在不断降低，由于栅极电压不会持续降低(目前至少为 IV)，使得所述栅氧化层受到的电场强度变大，与时间相关的介质击穿(time dependent dielectric breakdown, TDDB)也更容易发生,更容易导致器件失效。同时，作为芯片外围电路的输入/输出器件和作为存储器的核心器件都需要较高的驱动电压，这就导致这些器件的沟道中的电场变的很强，使得载流子在输送过程中发生碰撞电离，产生额外的空穴电子对，产生热载流子。纵向的栅极电压会使部分热载流子注入栅氧化层，导致器件的阈值电压等参数发生漂移，形成较为严重的热载流子注入效应(HotCarrier Injection, HCI)。由于电子与空穴的平均自由程不同，电子注入的几率要比空穴高3个数量级，因此NMOS晶体管更容易引起热载流子注入效应(HCI)。现有技术中通常采用LDD (Lightly Doped Drain,轻掺杂漏注本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种NMOS晶体管形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成氧化层，在所述氧化层表面形成多晶硅层；对所述半导体衬底进行第一离子注入，所述注入的离子为氟离子和氮离子；对所述多晶硅层和氧化层进行刻蚀，分别形成栅电极和栅氧化层，在所述栅氧化层和栅电极两侧的半导体衬底内形成轻掺杂源/漏区；在所述栅氧化层和栅电极的侧壁表面形成侧墙，在所述侧墙两侧的半导体衬底内形成重掺杂源/漏区，形成NMOS晶体管。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：甘正浩，冯军宏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：